LM5108 是一款高頻半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，最大開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中控制兩個(gè) N 溝道 MOSFET，例如同步降壓、全橋、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。

該器件具有互鎖功能，可防止兩個(gè)輸出同時(shí)為高電平，當(dāng)兩個(gè)輸入都為高電平時(shí)。這種聯(lián)鎖功能提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)工具應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。啟用和禁用功能允許靈活、快速地控制功率級(jí)。電池供電的工具還可以使用 LM5108 的使能功能來(lái)降低待機(jī)電流并響應(yīng)系統(tǒng)故障。輸入與電源電壓無(wú)關(guān)，可以具有獨(dú)立的脈沖寬度。這允許最大的控制靈活性。inputs 和 enable 都具有足夠的遲滯，以提高系統(tǒng)在易受噪聲影響的應(yīng)用（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)）中的穩(wěn)健性。
*附件：lm5108.pdf

低側(cè)和高側(cè)輸出在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配到 1ns。這允許死區(qū)時(shí)間優(yōu)化，從而提高效率。5V UVLO 允許驅(qū)動(dòng)器在較低的偏置電源下工作，從而進(jìn)一步允許功率級(jí)在更高的開(kāi)關(guān)頻率下工作，而不會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗。VDD 和 HB UVLO 閾值規(guī)格的設(shè)計(jì)方式是，高端和低端驅(qū)動(dòng)器通常都在 5 V 時(shí)導(dǎo)通。如果 VDD 和 HB UVLO 閾值相同，則設(shè)計(jì)人員將需要比 VDD UVLO 閾值更高的偏置電源來(lái)接通高端和低端驅(qū)動(dòng)器。

板載自舉二極管無(wú)需外部分立二極管，從而提高了電路板空間利用率。小型封裝支持密集的電源設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)工具。

特性

• 在高側(cè)低側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 采用 3mm x 3mm 封裝
• 聯(lián)鎖或交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)
• 啟用/禁用功能
• HS 上的絕對(duì)最大負(fù)電壓處理能力 （–7 V）
• 5V 典型欠壓鎖定
• 20ns 典型傳播延遲
• 11 ns 上升，8 ns 典型下降時(shí)間（負(fù)載為 1000 pF 時(shí)）
• 1ns 典型延遲匹配
• 2.6A 灌電流、1.6A 拉電流輸出電流
• 絕對(duì)最大啟動(dòng)電壓 110 V
• 禁用時(shí)電流消耗低 （7μA）
• 集成自舉二極管

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM8是一款高頻半橋門驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET，適用于高邊和低邊配置。該產(chǎn)品具備互鎖或交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)功能，并提供使能/禁用功能，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源工具以及開(kāi)關(guān)模式電源等應(yīng)用。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：最大開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS）電壓額定值為0V。
• ?小封裝?：采用mm x mm封裝，適用于高密度功率設(shè)計(jì)。
• ?保護(hù)功能?：集成互鎖功能，防止兩個(gè)輸出同時(shí)為高電平；具備欠壓鎖定（UVLO）功能。
• ?低延遲?：典型傳播延遲為ns，上升時(shí)間為ns，下降時(shí)間為8ns。
• ?高驅(qū)動(dòng)電流?：源輸出電流為.A，漏輸出電流為2.6A。
• ?低靜態(tài)電流?：禁用時(shí)電流消耗僅為7μA。
• ?集成自舉二極管?：消除了對(duì)外部離散二極管的需求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源工具
• 開(kāi)關(guān)模式電源
• 輔助逆變器

四、功能描述

• ?獨(dú)立輸入控制?：兩個(gè)輸入信號(hào)獨(dú)立控制高邊和低邊輸出，允許最大控制靈活性。
• ?互鎖功能?：當(dāng)兩個(gè)輸入均為高電平時(shí)，兩個(gè)輸出均被關(guān)閉，提高系統(tǒng)魯棒性。
• ?使能/禁用功能?：通過(guò)使能（EN）引腳可靈活控制電源級(jí)。
• ?UVLO功能?：低邊和高邊電源軌均具備欠壓鎖定保護(hù)，確保在足夠電源電壓下工作。
• ?匹配延遲?：高邊和低邊輸出之間的開(kāi)啟和關(guān)閉延遲匹配到1ns，優(yōu)化死區(qū)時(shí)間，提高效率。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了LM8在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)N溝道FET的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟。設(shè)計(jì)步驟涵蓋了自舉電容和VDD電容選擇、驅(qū)動(dòng)器功率損耗估計(jì)、外部柵極電阻選擇、延遲和脈沖寬度考慮等內(nèi)容。

六、電源推薦

• 推薦VDD供電電壓范圍為5.5V至6V。
• 需要在VDD和GND之間、HB和HS之間分別連接旁路電容，以支持高峰值電流。

七、布局指南

• ?旁路電容放置?：旁路電容應(yīng)盡可能靠近相應(yīng)的電源引腳，以最小化ESL和ESR。
• ?接地設(shè)計(jì)?：將高峰值電流限制在最小物理區(qū)域，以減小環(huán)路電感和最小化噪聲。
• ?熱設(shè)計(jì)?：將熱焊盤(pán)連接到大的重銅平面，以改善熱性能。