chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

利用集成 MOSFET 發(fā)揮理想二極管的優(yōu)勢(shì)

海闊天空的專欄 ? 來(lái)源:Pete Bartolik ? 作者:Pete Bartolik ? 2025-05-25 14:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

作者:Pete Bartolik

投稿人:DigiKey 北美編輯

理想二極管技術(shù)可為電子應(yīng)用帶來(lái)諸多好處,包括降低壓降、增強(qiáng)系統(tǒng)控制和強(qiáng)大的保護(hù)功能。產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可充分利用這些先進(jìn)解決方案的潛力,創(chuàng)造出更高效、更緊湊和更堅(jiān)固耐用的產(chǎn)品。但是,要為應(yīng)用選擇合適的理想二極管,需要在電氣性能、散熱、可靠性、成本和合規(guī)性等多種因素之間找到平衡點(diǎn)。

傳統(tǒng)二極管的壓降在 0.6 V 至 0.7 V 之間,肖特基二極管的壓降約為 0.3 V。在大電流應(yīng)用中,這些壓降會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的功率損耗。理想二極管(圖 1)使用低導(dǎo)通電阻電源開(kāi)關(guān)(通常是 MOSFET)來(lái)模擬二極管的單向電流流動(dòng)特征,但沒(méi)有二極管的壓降損耗。

二極管(上)與理想二極管電路的區(qū)別圖 1:該圖說(shuō)明了二極管(上部)與理想二極管電路之間的區(qū)別。(圖片來(lái)源:Analog Devices, Inc.)

例如,在 1 A 負(fù)載下,10 mΩ MOSFET 的壓降僅為 10 mV,而標(biāo)準(zhǔn)二極管的壓降通常為 600 mV。電壓降的減小也意味著功耗的大幅降低。10 mΩ MOSFET 在 1 A 負(fù)載時(shí)的損耗為 10 mW,而普通二極管的損耗為 600 mW。

通過(guò)增加背靠背 MOSFET 和控制電路,集成式理想二極管解決方案實(shí)現(xiàn)了更先進(jìn)的功能,包括優(yōu)先源選擇、限流和浪涌限制,同時(shí)顯著提升了電源管理的精密程度。傳統(tǒng)上,這需要不同的控制器,導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)全面的系統(tǒng)保護(hù)變得復(fù)雜且繁瑣。但是,在理想的二極管解決方案中添加背靠背 MOSFET(圖 2),通過(guò)啟用一個(gè)或兩個(gè) MOSFET 的開(kāi)啟/關(guān)閉功能,或限制電流,就可實(shí)現(xiàn)全面的系統(tǒng)控制。

使用背靠背 MOSFET 的理想二極管解決方案圖 2:使用背靠背 MOSFET 實(shí)現(xiàn)高級(jí)功能和控制的理想二極管解決方案。(圖片來(lái)源:Analog Devices, Inc.)

集成式解決方案可針對(duì)常見(jiàn)系統(tǒng)故障提供強(qiáng)大的保護(hù),從而減少系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間??烧{(diào)欠壓鎖定 (UVLO) 和過(guò)壓鎖定 (OVLO) 閾值、可編程限流和熱關(guān)斷保護(hù)等功能確保系統(tǒng)即使在惡劣條件下也能保持正常工作。集成解決方案還有助于最大限度地減少所需元器件數(shù)量和電路板空間。

用集成 MOSFET 的解決方案取代傳統(tǒng)肖特基二極管,可顯著降低功耗,使其成為工業(yè)電源、電池供電系統(tǒng)以及電信和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中冗余電源 OR-ing 的理想之選。這種解決方案還能確保反向輸入保護(hù),防止意外極性反接造成損壞。

選擇理想二極管時(shí)面臨的挑戰(zhàn)

集成理想二極管解決方案旨在確保應(yīng)用的可靠和高效運(yùn)行。

但是,設(shè)計(jì)人員在選擇理想二極管時(shí)會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn),包括熱管理、電流處理、額定電壓、集成復(fù)雜性、成本和元器件供應(yīng)情況:

  • 雖然理想二極管能降低功率耗散,但熱管理仍然是一個(gè)重要的考慮因素。設(shè)計(jì)人員必須確保二極管能夠承受熱負(fù)荷而不影響性能。正確的散熱和熱設(shè)計(jì)對(duì)防止過(guò)熱至關(guān)重要。
  • 二極管的電流處理能力必須能夠管理應(yīng)用的預(yù)期電流負(fù)載,不會(huì)超出額定限制。這包括評(píng)估二極管的 RDS (ON) ,確保其在最大負(fù)載條件下保持在可接受的范圍內(nèi)。
  • 二極管的額定電壓必須足以承受應(yīng)用中的最大電壓水平。設(shè)計(jì)人員需要同時(shí)考慮正向壓降和額定反向電壓,以確??煽窟\(yùn)行。
  • 雖然集成解決方案的優(yōu)勢(shì)眾多,但也會(huì)使設(shè)計(jì)過(guò)程復(fù)雜化。設(shè)計(jì)人員必須確保所有集成功能(如 UVLO、OVLO 和電流限值)配置合適,這可能需要額外的設(shè)計(jì)和測(cè)試時(shí)間。
  • 設(shè)計(jì)人員必須權(quán)衡集成的好處和增加的成本,并確定增加的功能是否值得花費(fèi)。
  • 設(shè)計(jì)人員必須確保所選二極管隨時(shí)有貨,不會(huì)出現(xiàn)影響生產(chǎn)計(jì)劃的供應(yīng)鏈問(wèn)題。

發(fā)揮綜合解決方案的優(yōu)勢(shì)

[Analog Devices, Inc. (ADI)] 是電源管理解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),其推出的理想二極管控制器產(chǎn)品組合采用了基于 MOSFET 的設(shè)計(jì)方案。該公司的集成解決方案可最大限度地降低功耗、改善散熱性能并提高系統(tǒng)可靠性,是工業(yè)、汽車、電信和電池供電型應(yīng)用的必備之選。

集成解決方案將理想二極管功能與過(guò)壓、欠壓、熱插拔和電子保險(xiǎn)絲 (eFuse) 保護(hù)等附加系統(tǒng)保護(hù)功能整合在一個(gè)集成電路中。以前,這些功能都由不同的控制器提供,使得實(shí)現(xiàn)全面系統(tǒng)保護(hù)變得更加復(fù)雜。

如 [MAX17614](圖 3)等 ADI 的理想二極管控制器具有先進(jìn)的反向輸入保護(hù)、快速切換能力和高壓處理能力,可實(shí)現(xiàn)無(wú)縫電源冗余并提高能效。MAX17614 是一款高度集成的解決方案,在單個(gè)集成電路中集成了一個(gè)高性能理想二極管和多種其他功能,可為電源系統(tǒng)提供全面保護(hù)。

MAX17614 提供 140 ns 的反向電流阻斷保護(hù),因此,可在優(yōu)先電源選擇器應(yīng)用中使用更小的輸出保持電容器,以提高整體系統(tǒng)效率。該器件將理想二極管/優(yōu)先電源選擇器功能與可調(diào)限流、熱插拔、電子保險(xiǎn)絲、欠壓 (UV) 和過(guò)壓 (OV) 保護(hù)功能組合在一起。

Analog Devices 的 MAX17614 理想二極管/電源選擇器圖 3:ADI 的 MAX17614 理想二極管/電源選擇器。(圖片來(lái)源:Analog Devices, Inc.)

更小的解決方案尺寸

集成式理想二極管解決方案最大限度地減少了所需元器件的數(shù)量和電路板空間。例如,MAX17614 集成了兩個(gè) N 溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (NFET),可將解決方案的尺寸縮小 40%。

集成式 NFET 采用串聯(lián)連接,具有低至 130 mΩ 的累積典型 RDS (on) 。這些器件可用于實(shí)現(xiàn)理想二極管的功能,具備反向輸入電壓和反向電流保護(hù)特性,還能提高系統(tǒng)效率。輸入 UV 保護(hù)可在 4.5 V 至 59 V 之間設(shè)置,而 OV 保護(hù)可在 5.5 V 至 60 V 之間獨(dú)立設(shè)置。此外,該器件的默認(rèn)內(nèi)部 UVLO 上升閾值設(shè)置為 4.2 V(典型值)。

MAX17614 結(jié)構(gòu)緊湊,尤其適合空間有限的應(yīng)用。憑借快速響應(yīng)時(shí)間、高電壓能力和最小功率損耗,該器件在太陽(yáng)能系統(tǒng)、USB-C 電源傳輸、工業(yè)自動(dòng)化和醫(yī)療設(shè)備等對(duì)高效電源管理和可靠性要求極高的領(lǐng)域廣受歡迎。

與分立式 MOSFET 相比,集成式 NFET 優(yōu)化了熱管理,減少了對(duì)額外冷卻元器件的需求。在用于電信和數(shù)據(jù)中心解決方案的冗余電源 OR-ing 應(yīng)用中,這些器件還能實(shí)現(xiàn)電源之間的快速切換。NFET 還提供反向輸入保護(hù),可防止電壓連接錯(cuò)誤或反向饋電造成損壞。

由于采用了集成式 NFET,設(shè)計(jì)人員無(wú)需尋找、選擇外部 MOSFET,因此簡(jiǎn)化了物料清單 (BOM) 和 PCB 布局。設(shè)計(jì)人員可以利用元器件數(shù)量減少的優(yōu)勢(shì),設(shè)計(jì)出更小、更緊湊的產(chǎn)品。

ADI 還提供 [MAX17614EVKIT]評(píng)估套件,供設(shè)計(jì)人員測(cè)試并將 MAX17614 理想二極管控制器集成到其電源管理解決方案中。該評(píng)估板為評(píng)估基于 NFET 的集成理想二極管的效率、開(kāi)關(guān)特性和保護(hù)功能提供了一個(gè)平臺(tái)。

使用 EVKIT,可為工業(yè)電源、電池管理系統(tǒng)以及電信和服務(wù)器應(yīng)用中的冗余電源 OR-ing 等應(yīng)用進(jìn)行高效電源路徑解決方案的原型開(kāi)發(fā)。該套件可用于分析不同負(fù)載條件下的電壓和電流特性,有助于確保最佳元器件選型和設(shè)計(jì)布局,因此設(shè)計(jì)人員可在進(jìn)行大規(guī)模 PCB 開(kāi)發(fā)之前驗(yàn)證電路性能。

結(jié)語(yǔ)

理想二極管技術(shù)可為各種應(yīng)用提供高效率、低損耗的電源路徑控制,包括降低功率耗散、最大限度地減少壓降和改善散熱性能。理想二極管可提高能效、減少發(fā)熱并消除對(duì)笨重散熱器的需求,不僅能簡(jiǎn)化 PCB 設(shè)計(jì),還能提高系統(tǒng)可靠性。ADI 的 MAX17614 及其配套評(píng)估板有助于設(shè)計(jì)人員為各種應(yīng)用創(chuàng)建更小、更高效和高穩(wěn)定性的電源解決方案。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    10312

    瀏覽量

    176483
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9428

    瀏覽量

    229672
  • 理想二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    115

    瀏覽量

    13873
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    理想二極管的應(yīng)用實(shí)例及主要規(guī)格

    本文研究具有背靠背MOSFET理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想
    的頭像 發(fā)表于 01-07 11:13 ?8000次閱讀
    <b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>二極管</b>的應(yīng)用實(shí)例及主要規(guī)格

    替代LTC4364具理想二極管的浪涌抑制控制器

    MOSFET在欠壓狀態(tài)下保持關(guān)斷,自動(dòng)重試在過(guò)壓狀態(tài)下停用。集成理想二極管控制器負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)第個(gè)MOSFE
    發(fā)表于 07-09 14:42

    理想二極管和熱插拔功能的實(shí)現(xiàn)

    輸出電壓不變,所以比 LTC4225 有優(yōu)勢(shì)。如圖 9 所示,檢測(cè)電阻器放置在理想二極管和熱插拔 MOSFET 之間,從而允許在輸入電源出現(xiàn)故障時(shí),靠輸出負(fù)載電容暫時(shí)保持 SENSE+
    發(fā)表于 09-29 16:41

    SiC-MOSFET二極管特性

    trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ?同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS發(fā)揮其特征的應(yīng)用事例什么是PFC臨界模式PFC :
    發(fā)表于 11-27 16:40

    理想二極管

    理想二極管
    發(fā)表于 11-11 10:31 ?33次下載

    穩(wěn)壓二極管(齊納二極管),穩(wěn)壓二極管是什么意思

    穩(wěn)壓二極管(齊納二極管),穩(wěn)壓二極管是什么意思     這是利用了PN接合的反向特性的二極管。用于基準(zhǔn)
    發(fā)表于 03-01 10:53 ?5212次閱讀

    理想二極管是什么?理想二極管有什么特點(diǎn)?

    理想二極管是一種假設(shè),根據(jù)題目要求假設(shè),如為沒(méi)有壓降,沒(méi)有損耗,反向不會(huì)擊穿等理想狀態(tài)。而實(shí)際二極管是達(dá)不到的。目的是為了突出重點(diǎn),去除次要問(wèn)題。
    發(fā)表于 01-31 08:41 ?7.3w次閱讀

    LTC4358 - 理想二極管控制器集成 5A MOSFET 以取代損耗的肖特基二極管

    LTC4358 - 理想二極管控制器集成 5A MOSFET 以取代損耗的肖特基二極管
    發(fā)表于 03-18 21:56 ?14次下載
    LTC4358 - <b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>二極管</b>控制器<b class='flag-5'>集成</b> 5A <b class='flag-5'>MOSFET</b> 以取代損耗的肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>

    理想二極管電橋

    理想二極管電橋
    發(fā)表于 04-29 11:35 ?6次下載
    <b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>二極管</b>電橋

    理想二極管電橋

    理想二極管電橋
    發(fā)表于 04-29 12:50 ?3次下載
    <b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>二極管</b>電橋

    TVS二極管陣列是什么,它的優(yōu)勢(shì)有哪些

    電路保護(hù)器件,只是不同的客戶,對(duì)于它的名稱叫法不一樣而已,以下統(tǒng)稱TVS二極管陣列。TVS二極管陣列具有導(dǎo)通電壓低、反應(yīng)速度快、集成度高、體積小、封裝多樣等優(yōu)勢(shì),可實(shí)現(xiàn)多條數(shù)據(jù)線保護(hù),
    發(fā)表于 09-20 10:10 ?5291次閱讀
    TVS<b class='flag-5'>二極管</b>陣列是什么,它的<b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>有哪些

    負(fù)電壓理想二極管的應(yīng)用

    理想二極管(也稱為二極管或控制器,更一般地稱為 PowerPath 控制器)是分立式功率二極管的強(qiáng)健、擴(kuò)展的功能替代品。它由一個(gè)MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 01-06 11:50 ?4498次閱讀
    負(fù)電壓<b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>二極管</b>的應(yīng)用

    SiC-MOSFET的體二極管的特性

    如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏-源間存在體二極管。從MOSFET
    發(fā)表于 02-24 11:47 ?4638次閱讀
    SiC-<b class='flag-5'>MOSFET</b>的體<b class='flag-5'>二極管</b>的特性

    理想二極管IC的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

    正向電壓為零且僅允許電流沿一個(gè)方向流動(dòng)的二極管稱為理想二極管。
    發(fā)表于 09-25 17:00 ?2476次閱讀
    <b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>二極管</b>IC的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

    一文讀懂理想二極管的原理與應(yīng)用

    本文聚焦理想二極管,合科泰深度剖析其技術(shù)優(yōu)勢(shì)、多元應(yīng)用場(chǎng)景及選型挑戰(zhàn)。同時(shí),著重闡釋合科泰針對(duì)理想二極管方向的發(fā)展路徑與創(chuàng)新解決方案,為電子
    的頭像 發(fā)表于 04-24 17:18 ?1449次閱讀
    一文讀懂<b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>二極管</b>的原理與應(yīng)用