什么是功率器件？特性是什么？包含哪些？
功率器件定義與核心特性
功率器件（Power Semiconductor Device）是電力電子領域的核心組件，特指直接處理電能的主電路器件，通過電壓、電流的變換與控制實現(xiàn)功率轉換、放大、開關、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W，在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。
一、主要分類
?按器件結構劃分?
?二極管?：如整流二極管、快恢復二極管，用于單向導電與電壓鉗位；
?晶體管?：含雙極結型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開關與控制功能；
?晶閘管?：包含可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC），適用于大功率交流控制。
?按功率等級劃分?
?高壓大功率?：新能源發(fā)電、特高壓輸電系統(tǒng)。
二、典型應用領域
功率器件廣泛應用于需高效電能轉換的場景：
?新能源領域?：光伏逆變器、風力發(fā)電變流器、儲能系統(tǒng)；
?汽車電子?：電動汽車電驅系統(tǒng)、車載充電模塊（OBC）、DC-DC轉換器；
?軌道交通?：牽引變流器、輔助供電系統(tǒng)。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
功率器件
+關注
關注
43文章
2098瀏覽量
94850
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
隨著全球對能源效率和可持續(xù)發(fā)展的關注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率
半導體器件CV特性/CV特性測試的定義、測試分析和應用場景
一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀
如何正確選購功率半導體器件靜態(tài)參數測試機？
主要的功率半導體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關特性。這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數測試
功率器件測量系統(tǒng)參數明細
(Wafer Sort)，剔除不良品，提升后端封裝良率。 功率器件研發(fā)與特性分析：全面表征器件靜態(tài)參數（IV特性：BVdss, Rds(on
發(fā)表于 07-29 16:21
簡述碳化硅功率器件的應用領域
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一種新興的半導體材料，因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅（Si）材料，成為功率器件領域的重要選擇。SiC功率
利用普源示波器進行功率器件動態(tài)特性測試的研究
功率器件作為電子系統(tǒng)中的核心元件，其動態(tài)特性直接影響著系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。因此，對功率器件動態(tài)特
新型功率器件的老化測試方法
隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異?；趯κ惺跥aN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術的現(xiàn)狀，重點闡述了各
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現(xiàn)代電子技術飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子
逆變電路中功率器件的損耗分析
在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現(xiàn)預期的電路工作和特性，同時還需要進行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的
碳化硅功率器件的特性和應用
）功率器件，成為電力電子領域的核心技術之一。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本特性、主要類型、應用領域、市場前景以及未來發(fā)展趨勢。
碳化硅功率器件的散熱方法
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高功率
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅
功率器件熱設計基礎知識
功率器件熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識，不僅有助于提高
工商網監(jiān)
評論