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合科泰NMOS管HKTD5N50產品介紹

合科泰半導體 ? 來源:合科泰半導體 ? 2025-05-20 10:55 ? 次閱讀
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前言

合科泰N溝道功率MOS管HKTD5N50采用經典N溝道結構,通過柵極電壓精準調控漏源電流,兼具高壓開關與功率轉換核心功能。作為電壓驅動型器件,其依托電場效應實現(xiàn)大電流高效控制,在電源管理、工業(yè)驅動、新能源等高壓大電流場景中發(fā)揮關鍵作用。

電氣性能

器件電氣性能以高壓適配與穩(wěn)定驅動為核心。500V最低漏源耐壓可直接接入工業(yè)高壓母線或儲能系統(tǒng),簡化電機驅動、開關電源電路設計,減少外圍保護器件;5A連續(xù)漏極電流與16A脈沖電流規(guī)格,滿足中功率負載持續(xù)運行及瞬時浪涌需求。高密度單元結構實現(xiàn)超低導通電阻——10V柵壓下,1A電流時最大1.7Ω、2.5A時降至1.6Ω,典型值低至1.45Ω,顯著降低導通損耗,提升電源轉換效率,尤其適合對能效敏感的服務器供電、光伏逆變等場景。±30V寬柵源電壓兼容主流驅動電路,-55~+150℃寬溫范圍結合110℃/W熱阻設計,確保高低溫環(huán)境下穩(wěn)定運行;12mJ單脈沖雪崩能量吸收能力,有效抵御電感負載反電動勢沖擊,增強電路可靠性。

封裝設計

封裝設計兼顧緊湊性與散熱性能,TO-252規(guī)格以10.4mm×6.7mm×2.38mm尺寸、0.33g重量適配便攜式設備與高密度PCB布局。UL94V-0阻燃外殼滿足工業(yè)安全標準,260℃耐高溫引腳兼容波峰焊、回流焊工藝;漏極引腳與殼體大面積連接,優(yōu)化散熱路徑,配合散熱片可提升中高功耗場景下的穩(wěn)定性,適合空間受限的車載充電機、高壓LED驅動等應用。

應用場景

多元場景中,HKTD5N50優(yōu)勢顯著。在電源管理領域,其高耐壓與低導阻特性助力DC-DC轉換器、反激式開關電源實現(xiàn)90%以上效率,支持48V轉12V降壓或220V輸入系統(tǒng)的高效能量轉換;工業(yè)控制中,作為電機驅動橋臂開關管,12ns開通延遲與50ns關斷延遲確保PWM信號精準輸出,適配0.75kW以下電機調速,雪崩保護功能有效應對電磁閥等感性負載的瞬時過壓;新能源領域,器件在太陽能逆變器中處理500V以下高壓直流信號,低損耗提升光能轉換效率;車載充電機中,憑借抗浪涌設計支持400V電池平臺快充,從容應對電壓波動。此外,其快速開關特性(上升/下降時間46ns/48ns)還可應用于雷達脈沖調制等特種場景,實現(xiàn)納秒級信號響應。

結語

作為中功率高壓場景的優(yōu)選方案,HKTD5N50以緊湊封裝、寬溫適應及低導阻優(yōu)勢,為工程師提供高性價比選擇。從高壓系統(tǒng)的穩(wěn)定控制到嚴苛環(huán)境下的高效轉換,其優(yōu)異性能持續(xù)助力電路小型化、可靠化設計,成為電源、驅動、新能源領域的信賴之選。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術及專精特新企業(yè)。

產品包括:

1、半導體封裝材料;2、被動元件,主要有:電阻、電容、電感;3、半導體分立器件,主要有:MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他集成電路等。

合科泰設有兩個智能生產制造中心

1、中國華南地區(qū)的制造中心,位于惠州市博羅縣的合科泰科技智能制造園區(qū),建筑面積75000㎡,擁有先進設備及檢測儀器1000多臺,在當?shù)嘏涮准瘓F物流配送中心,而東莞塘廈生產中心為目前生產基地;2、中國西南地區(qū)的制造中心,位于四川省南充市順慶區(qū)科創(chuàng)中心,廠房面積35000㎡,擁有先進設備和檢測儀器儀表約2000臺;2024年合科泰全面拓寬產品線,在四川南充成立三家子公司,分別是順芯半導體、南充安昊、南充晶科,主要負責研發(fā)生產半導體封裝材料;產品線拓寬后將最大程度滿足客戶需求。合科泰堅持客戶至上、品質第一、創(chuàng)新驅動、以人為本的經營方針,為客戶提供一站式應用解決方案服務。同時合科泰提供半導體芯片和分立器件封裝測試OEM代工等綜合性業(yè)務。

合科泰在集成電路設計、芯片測試、分立器件工藝設計、可靠性實驗等方面積累了豐富核心技術儲備,擁有國家發(fā)明專利、實用新型專利等100多項。

合科泰通過了ISO9001、ISO14001、IATF16949體系認證。

產品廣泛應用于電源、照明、醫(yī)療電子、小家電、通信、安防儀器、工控、汽車電子等領域。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:合科泰NMOS管HKTD5N50:高壓高效,適配多元功率場景

文章出處:【微信號:合科泰半導體,微信公眾號:合科泰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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