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用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

新啟航 ? 來源:jf_18672672 ? 作者:jf_18672672 ? 2025-05-21 11:00 ? 次閱讀
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摘要:本文針對晶圓切割過程中 TTV(總厚度偏差)控制難題,提出一種用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。詳細(xì)介紹該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作原理及其在控制 TTV 方面的技術(shù)優(yōu)勢,為提升晶圓切割質(zhì)量提供新的設(shè)備方案 。

關(guān)鍵詞:晶圓切割;TTV 控制;硅棒安裝機(jī)構(gòu);結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

一、引言

晶圓制造過程中,切割環(huán)節(jié)對晶圓 TTV 有著重要影響。精確控制晶圓 TTV 是保障芯片性能和良品率的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)硅棒安裝方式在切割過程中,因硅棒固定不穩(wěn)定、定位精度低等問題,易導(dǎo)致晶圓切割后 TTV 超差。因此,設(shè)計(jì)一種高效可靠的用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)具有重要意義 。

二、硅棒安裝機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)

2.1 機(jī)構(gòu)整體結(jié)構(gòu)

該硅棒安裝機(jī)構(gòu)主要由基座、定位組件、夾緊組件和微調(diào)組件構(gòu)成?;鶠檎麄€機(jī)構(gòu)提供穩(wěn)定支撐,采用高強(qiáng)度、高剛性材料制作,減少外界振動對硅棒安裝的影響。定位組件包括多個定位銷和定位槽,通過精密配合實(shí)現(xiàn)硅棒的精準(zhǔn)定位;夾緊組件采用氣動或液壓驅(qū)動方式,可快速且穩(wěn)定地夾緊硅棒,確保切割過程中硅棒不會發(fā)生位移;微調(diào)組件則由高精度的絲桿螺母副和傳感器組成,能夠?qū)璋舻陌惭b位置進(jìn)行微小調(diào)整,以達(dá)到最佳的切割姿態(tài) 。

2.2 工作原理

在安裝硅棒時(shí),先將硅棒放置在定位組件的定位槽內(nèi),通過定位銷實(shí)現(xiàn)初步定位。隨后,夾緊組件啟動,對硅棒進(jìn)行夾緊固定。在切割前,微調(diào)組件根據(jù)預(yù)設(shè)的參數(shù)和傳感器反饋的信息,對硅棒的位置進(jìn)行微調(diào),使硅棒處于理想的切割位置。在切割過程中,夾緊組件持續(xù)保持對硅棒的夾緊力,定位組件和微調(diào)組件協(xié)同工作,實(shí)時(shí)監(jiān)測并補(bǔ)償硅棒可能出現(xiàn)的微小位移或姿態(tài)變化,從而有效控制晶圓切割過程中的 TTV 。

2.3 關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)

硅棒安裝機(jī)構(gòu)的關(guān)鍵在于高精度定位和穩(wěn)定夾緊。定位組件的定位精度需達(dá)到微米級,以保證硅棒安裝位置的準(zhǔn)確性;夾緊組件的夾緊力要根據(jù)硅棒的材質(zhì)和尺寸進(jìn)行合理調(diào)節(jié),既不能因夾緊力過大導(dǎo)致硅棒損傷,也不能因夾緊力過小使硅棒在切割時(shí)發(fā)生位移。此外,微調(diào)組件的控制算法需要精確高效,能夠快速響應(yīng)并處理硅棒位置的變化信息 。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決晶圓/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BOW(彎曲度)、WARP(翹曲度),TIR(Total Indicated Reading 總局部厚度偏差)等這類技術(shù)指標(biāo)。

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高通量晶圓測厚系統(tǒng),全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相比傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式;可一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

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1,靈活適用更復(fù)雜的材料,從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++),碳化硅,藍(lán)寶石,玻璃,鈮酸鋰等晶圓材料。

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重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測)

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粗糙的晶圓表面,(點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光,相比靠光譜探測方案,不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響,因而對測量粗糙表面晶圓)

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低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3);(通過對偏振效應(yīng)的補(bǔ)償,加強(qiáng)對低反射晶圓表面測量的信噪比)

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絕緣體上硅(SOI)和MEMS,可同時(shí)測量多 層 結(jié) 構(gòu),厚 度 可 從μm級到數(shù)百μm 級不等。

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可用于測量各類薄膜厚度,厚度最薄可低至 4 μm ,精度可達(dá)1nm。

可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力,體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng),充分提高重復(fù)性測量能力。

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4,采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,一改過去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式,解決了由于相干長度短,而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾,實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì),同時(shí)也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線自動化集成測量。

5,靈活的運(yùn)動控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。

審核編輯 黃宇

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