chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

晶圓切割深度動態(tài)補償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預測控制

新啟航半導體有限公司 ? 2025-07-23 09:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

摘要:本文針對超薄晶圓切割過程中 TTV 均勻性控制難題,研究晶圓切割深度動態(tài)補償?shù)?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/" target="_blank">智能決策模型與 TTV 預測控制方法。分析影響切割深度與 TTV 的關鍵因素,闡述智能決策模型的構建思路及 TTV 預測控制原理,為實現(xiàn)晶圓高質量切割提供理論與技術參考。

一、引言

半導體制造技術不斷進步的背景下,超薄晶圓的應用愈發(fā)廣泛,其切割工藝的精度要求也日益嚴苛。切割深度的精準控制對保障晶圓 TTV 均勻性至關重要,傳統(tǒng)控制方法難以應對復雜多變的切割工況?;谥悄軟Q策模型的切割深度動態(tài)補償與 TTV 預測控制,成為提升晶圓切割質量的關鍵技術,相關研究對推動半導體制造產業(yè)發(fā)展具有重要價值。

二、影響切割深度與 TTV 的關鍵因素

(一)設備與工藝參數(shù)

切割設備的主軸轉速、進給速度、切割刀具磨損程度等直接影響切割深度。主軸轉速不穩(wěn)定會導致切割力波動,進給速度不當易造成切割熱累積,刀具磨損則改變刀刃形狀,這些因素均會使切割深度出現(xiàn)偏差,進而影響 TTV 均勻性。

(二)晶圓材料特性

不同類型的晶圓材料,其硬度、熱膨脹系數(shù)、內部應力分布等特性存在差異。在切割過程中,材料特性會影響切割力大小、切割熱產生以及材料去除方式,致使切割深度難以穩(wěn)定控制,最終影響 TTV。

三、智能決策模型的構建

(一)數(shù)據(jù)采集與預處理

利用多種傳感器實時采集切割過程中的設備參數(shù)、工藝參數(shù)以及晶圓狀態(tài)數(shù)據(jù),如切割力、溫度、刀具振動等。對采集到的原始數(shù)據(jù)進行清洗、降噪與歸一化處理,消除數(shù)據(jù)中的異常值與干擾因素,為模型訓練提供高質量數(shù)據(jù)。

(二)模型架構設計

采用深度學習算法,如卷積神經網絡(CNN)與長短期記憶網絡(LSTM)相結合的架構。CNN 用于提取數(shù)據(jù)中的空間特征,捕捉切割參數(shù)與晶圓狀態(tài)之間的局部關聯(lián);LSTM 則處理時間序列數(shù)據(jù),分析切割過程中參數(shù)變化的時間依賴關系,從而實現(xiàn)對切割深度動態(tài)補償決策的智能判斷。

四、TTV 預測控制方法

(一)預測模型建立

基于歷史切割數(shù)據(jù)與對應的 TTV 測量結果,運用機器學習算法,如隨機森林、支持向量回歸等,構建 TTV 預測模型。通過對大量數(shù)據(jù)的學習,挖掘切割過程參數(shù)與 TTV 之間的潛在映射關系,實現(xiàn)對 TTV 的準確預測。

(二)閉環(huán)控制策略

將 TTV 預測結果與設定的目標值進行對比,若預測 TTV 超出允許范圍,智能決策模型根據(jù)偏差情況生成切割深度動態(tài)補償指令,調整切割設備參數(shù),形成 “數(shù)據(jù)采集 - TTV 預測 - 決策補償 - 效果反饋” 的閉環(huán)控制流程,實現(xiàn)對 TTV 的有效控制。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術,精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題,重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結果不一致的痛點,經不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

wKgZO2g-jKKAXAVPAATGQ_NTlYo059.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

該系統(tǒng)基于第三代可調諧掃頻激光技術,相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?

點掃描第三代掃頻激光技術,有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

wKgZO2g-jKeAYh0xAAUBS068td0375.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

wKgZPGg-jKqAYFs2AAGw6Lti-7Y319.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

此外,可調諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

wKgZO2d_kAqAZxzNAAcUmXvDHLM306.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

wKgZO2g-jLKAeN9uAAT_9vEy4Nk849.png

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    336

    文章

    29551

    瀏覽量

    251805
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5292

    瀏覽量

    131114
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    模型預測控制介紹

    這篇主要講一下模型預測控制,如果對PID控制了解的同學,那效果更好。如果不了解PID控制,還是熟悉下比較好。模型
    發(fā)表于 08-18 06:21

    降低 TTV 的磨片加工方法

    摘要:本文聚焦于降低 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過對磨片設備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進,有效控制
    的頭像 發(fā)表于 05-20 17:51 ?592次閱讀
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 的磨片加工方法

    用于切割 TTV 控制的硅棒安裝機構

    摘要:本文針對切割過程中 TTV(總厚度偏差)控制難題,提出一種用于切割
    的頭像 發(fā)表于 05-21 11:00 ?276次閱讀
    用于<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> <b class='flag-5'>控制</b>的硅棒安裝機構

    淺切多道切割工藝對 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

    一、引言 在半導體制造領域,總厚度變化(TTV)是衡量質量的關鍵指標之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 07-11 09:59 ?299次閱讀
    淺切多道<b class='flag-5'>切割</b>工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

    切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應對 TTV 的影響

    一、引言 在半導體制造領域,總厚度變化(TTV)是衡量
    的頭像 發(fā)表于 07-12 10:01 ?270次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應對 <b class='flag-5'>TTV</b> 的影響

    基于淺切多道的切割 TTV 均勻性控制與應力釋放技術

    一、引言 在半導體制造中,總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關鍵因素,而切割過程產生的應力會導致
    的頭像 發(fā)表于 07-14 13:57 ?331次閱讀
    基于淺切多道的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 均勻性<b class='flag-5'>控制</b>與應力釋放技術

    超薄淺切多道切割TTV 均勻性控制技術研究

    我將從超薄淺切多道切割技術的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā),結合相關研究案例,闡述該技術的關鍵要點與應用前景。 超薄
    的頭像 發(fā)表于 07-15 09:36 ?297次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>淺切多道<b class='flag-5'>切割</b>中 <b class='flag-5'>TTV</b> 均勻性<b class='flag-5'>控制</b>技術研究

    超薄淺切多道切割TTV 均勻性控制技術探討

    超薄厚度極薄,切割TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手,分析淺切多道切割在超
    的頭像 發(fā)表于 07-16 09:31 ?277次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>淺切多道<b class='flag-5'>切割</b>中 <b class='flag-5'>TTV</b> 均勻性<b class='flag-5'>控制</b>技術探討

    切割深度動態(tài)補償技術對 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

    厚度不均勻 。切割深度動態(tài)補償技術通過實時調整切割深度,為提升
    的頭像 發(fā)表于 07-17 09:28 ?268次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>深度</b><b class='flag-5'>動態(tài)</b><b class='flag-5'>補償</b>技術對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

    切割深度補償 - 切削熱耦合效應對 TTV 均勻性的影響及抑制

    一、引言 在制造流程中,總厚度變化(TTV)均勻性是衡量
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:29 ?271次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>中<b class='flag-5'>深度</b><b class='flag-5'>補償</b> - 切削熱耦合效應對 <b class='flag-5'>TTV</b> 均勻性的影響及抑制

    基于多傳感器融合的切割深度動態(tài)補償 TTV 協(xié)同控制

    影響,單一傳感器獲取的信息存在局限性,難以實現(xiàn)切割深度的精確動態(tài)補償TTV 的有效控制 。多
    的頭像 發(fā)表于 07-21 09:46 ?264次閱讀
    基于多傳感器融合的<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>深度</b><b class='flag-5'>動態(tài)</b><b class='flag-5'>補償</b>與<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 協(xié)同<b class='flag-5'>控制</b>

    切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對 TTV 厚度均勻性的影響機制與參數(shù)設計

    摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:23 ?316次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>液多性能協(xié)同優(yōu)化對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 厚度均勻性的影響機制與參數(shù)設計

    基于納米流體強化的切割液性能提升與 TTV 均勻性控制

    摘要:本文圍繞基于納米流體強化的切割液性能提升及對 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強化
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:12 ?248次閱讀
    基于納米流體強化的<b class='flag-5'>切割</b>液性能提升與<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> 均勻性<b class='flag-5'>控制</b>

    超薄切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術探究

    我將圍繞超薄切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術展開,從切割液對 TTV 影響、現(xiàn)有問題
    的頭像 發(fā)表于 07-30 10:29 ?218次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>液性能優(yōu)化與 <b class='flag-5'>TTV</b> 均勻性保障技術探究

    切割液性能智能調控系統(tǒng)與 TTV 預測模型的協(xié)同構建

    摘要 本論文圍繞超薄切割工藝,探討切割液性能智能調控系統(tǒng)與
    的頭像 發(fā)表于 07-31 10:27 ?240次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>液性能<b class='flag-5'>智能</b>調控系統(tǒng)與<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> <b class='flag-5'>TTV</b> <b class='flag-5'>預測</b><b class='flag-5'>模型</b>的協(xié)同構建