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LM5102系列 具有 8V UVLO 和可編程延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-21 16:59 ? 次閱讀
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LM5102 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。輸出是獨(dú)立控制的。每個(gè)輸出的上升沿可以通過(guò)編程電阻器獨(dú)立延遲。提供了一個(gè)集成的高壓二極管,用于為高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉電容器充電。穩(wěn)健的電平轉(zhuǎn)換器以高速運(yùn)行,同時(shí)功耗低,并提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定功能。該器件采用標(biāo)準(zhǔn) VSSOP 10 引腳和 WSON 10 引腳封裝。
*附件:lm5102.pdf

特性

  • 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
  • 可獨(dú)立編程的高側(cè)和低側(cè)上升沿延遲
  • 自舉電源電壓范圍高達(dá) 118 V 直流
  • 快速關(guān)斷傳播延遲(典型值為 25 ns)
  • 以 15ns 的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 定時(shí)器可以在序列中途終止

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

LM2是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓配置或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器具有獨(dú)立可編程的高側(cè)和低側(cè)上升沿延遲,以及高達(dá)0V的浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)能力。

二、主要特性

  • ?獨(dú)立可編程延遲?:高側(cè)和低側(cè)輸出的上升沿延遲可獨(dú)立編程。
  • ?高壓能力?:支持高達(dá)0V的供電電壓。
  • ?快速關(guān)斷傳播延遲?:典型值為5ns。
  • ?集成高壓二極管?:用于為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉電容充電。
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:保護(hù)低側(cè)和高側(cè)電源軌。
  • ?低功耗?:設(shè)計(jì)用于提高輕載效率。

三、引腳功能

  • ?VDD?:正柵極驅(qū)動(dòng)供電。
  • ?HB?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器自舉軌。
  • ?HO?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?HS?:高側(cè)MOSFET源極連接。
  • ?LO?:低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?VSS?:地返回。
  • ?LI?:低側(cè)驅(qū)動(dòng)控制輸入。
  • ?HI?:高側(cè)驅(qū)動(dòng)控制輸入。
  • ?RT?:高側(cè)輸出上升沿延遲編程電阻
  • ?RT?:低側(cè)輸出上升沿延遲編程電阻。
  • ?NC?:未連接引腳。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VDD為V至V。
  • ?UVLO閾值?:VDD的欠壓鎖定閾值為.V至7.4V。
  • ?輸入閾值?:低電平輸入電壓閾值為.V至1.8V,高電平輸入電壓閾值為2.2V。
  • ?輸出特性?:高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器具有高電平輸出電流和低電平輸出電流能力,峰值電流可達(dá)1.6A和.A。

五、功能描述

  • ?獨(dú)立可編程延遲?:通過(guò)RT和RT2引腳上的外部電阻,可以獨(dú)立設(shè)置高側(cè)和低側(cè)輸出的上升沿延遲。
  • ?啟動(dòng)和UVLO?:UVLO電路確保在供電電壓足夠之前不會(huì)啟用驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?定時(shí)器終止功能?:如果RT引腳被拉低到定時(shí)器消除閾值(典型值為.V)以下,則繞過(guò)上升沿延遲。

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:包括同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、電流饋電推挽功率轉(zhuǎn)換器等。
  • ?設(shè)計(jì)指南?:提供了自舉電容選擇、延遲時(shí)間設(shè)置、布局和熱管理等方面的設(shè)計(jì)建議。

七、布局與熱管理

  • ?布局指南?:推薦使用低ESR/ESL電容靠近IC,并保持短而寬的接地路徑以減少寄生電感和電阻。RT引腳上的電阻應(yīng)靠近IC放置,以避免噪聲耦合
  • ?熱管理?:通過(guò)估算最壞情況下的結(jié)溫來(lái)確??煽康拈L(zhǎng)期操作,利用暴露的熱焊盤進(jìn)行有效散熱。

八、封裝與訂購(gòu)信息

  • ?封裝類型?:提供VSSOP(引腳)和WSON(引腳)封裝選項(xiàng)。
  • ?訂購(gòu)代碼?:包括不同封裝選項(xiàng)的訂購(gòu)代碼,如LMMM/NOPB(VSSOP封裝)和LM2SD/NOPB(WSON封裝)。

九、文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:包括數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用指南等。
  • ?社區(qū)資源?:提供TI的EE在線社區(qū)鏈接,方便用戶交流問(wèn)題和經(jīng)驗(yàn)。
  • ?安全警示?:提醒用戶注意靜電放電(ESD)防護(hù)和其他安全事項(xiàng)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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