LM5102 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。輸出是獨立控制的。每個輸出的上升沿可以通過編程電阻器獨立延遲。提供了一個集成的高壓二極管，用于為高壓側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。穩(wěn)健的電平轉(zhuǎn)換器以高速運行，同時功耗低，并提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動器的干凈電平轉(zhuǎn)換。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定功能。該器件采用標準 VSSOP 10 引腳和 WSON 10 引腳封裝。
*附件：lm5102.pdf

特性

• 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
• 可獨立編程的高側(cè)和低側(cè)上升沿延遲
• 自舉電源電壓范圍高達 118 V 直流
• 快速關(guān)斷傳播延遲（典型值為 25 ns）
• 以 15ns 的上升和下降時間驅(qū)動 1000pF 負載
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 定時器可以在序列中途終止

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM2是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動同步降壓配置或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動器具有獨立可編程的高側(cè)和低側(cè)上升沿延遲，以及高達0V的浮動高側(cè)驅(qū)動能力。

二、主要特性

• ?獨立可編程延遲?：高側(cè)和低側(cè)輸出的上升沿延遲可獨立編程。
• ?高壓能力?：支持高達0V的供電電壓。
• ?快速關(guān)斷傳播延遲?：典型值為5ns。
• ?集成高壓二極管?：用于為高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容充電。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：保護低側(cè)和高側(cè)電源軌。
• ?低功耗?：設(shè)計用于提高輕載效率。

三、引腳功能

• ?VDD?：正柵極驅(qū)動供電。
• ?HB?：高側(cè)柵極驅(qū)動器自舉軌。
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
• ?HS?：高側(cè)MOSFET源極連接。
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
• ?VSS?：地返回。
• ?LI?：低側(cè)驅(qū)動控制輸入。
• ?HI?：高側(cè)驅(qū)動控制輸入。
• ?RT?：高側(cè)輸出上升沿延遲編程電阻。
• ?RT?：低側(cè)輸出上升沿延遲編程電阻。
• ?NC?：未連接引腳。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V。
• ?UVLO閾值?：VDD的欠壓鎖定閾值為.V至7.4V。
• ?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值為.V至1.8V，高電平輸入電壓閾值為2.2V。
• ?輸出特性?：高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器具有高電平輸出電流和低電平輸出電流能力，峰值電流可達1.6A和.A。

五、功能描述

• ?獨立可編程延遲?：通過RT和RT2引腳上的外部電阻，可以獨立設(shè)置高側(cè)和低側(cè)輸出的上升沿延遲。
• ?啟動和UVLO?：UVLO電路確保在供電電壓足夠之前不會啟用驅(qū)動器輸出。
• ?定時器終止功能?：如果RT引腳被拉低到定時器消除閾值（典型值為.V）以下，則繞過上升沿延遲。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：包括同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、電流饋電推挽功率轉(zhuǎn)換器等。
• ?設(shè)計指南?：提供了自舉電容選擇、延遲時間設(shè)置、布局和熱管理等方面的設(shè)計建議。

七、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦使用低ESR/ESL電容靠近IC，并保持短而寬的接地路徑以減少寄生電感和電阻。RT引腳上的電阻應(yīng)靠近IC放置，以避免噪聲耦合。
• ?熱管理?：通過估算最壞情況下的結(jié)溫來確?？煽康拈L期操作，利用暴露的熱焊盤進行有效散熱。

八、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供VSSOP（引腳）和WSON（引腳）封裝選項。
• ?訂購代碼?：包括不同封裝選項的訂購代碼，如LMMM/NOPB（VSSOP封裝）和LM2SD/NOPB（WSON封裝）。

九、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：包括數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南等。
• ?社區(qū)資源?：提供TI的EE在線社區(qū)鏈接，方便用戶交流問題和經(jīng)驗。
• ?安全警示?：提醒用戶注意靜電放電（ESD）防護和其他安全事項。