科銳(NASDAQ: CREE)宣布與荷蘭Nexperia公司簽署非排他性、全球性的付費專利許可協(xié)議。通過這一協(xié)議,Nexperia將有權使用科銳GaN氮化鎵功率器件專利組合,包括了超過300項已授權美國和國外專利,涵蓋了HEMT(高電子遷移率場效晶體管)和GaN氮化鎵肖特基二極管的諸多創(chuàng)新。這一專利組合針對新型器件結構、材料和工藝提升,以及封裝技術。這一專利授權不包括技術轉讓。
科銳聯合創(chuàng)始人兼Wolfspeed首席技術官John Palmour表示:“科銳創(chuàng)立以來,對包括GaN氮化鎵和SiC碳化硅在內的新型化合物半導體材料進行了深入研究,并利用它們的獨特性能開發(fā)出新型器件?;诳其J數十年創(chuàng)新成果的器件,幫助實現新型電源管理和無線系統(tǒng)的市場導入。為了加速這類新市場的增長,科銳正在對用于GaN氮化鎵電源管理系統(tǒng)的GaN氮化鎵功率器件專利開展授權?!?/p>
關于CREE
Cree成立于1987年,是美國上市公司(1993年,納斯達克:CREE),為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領先者。
Cree的產品系列包括SiC材料,電源開關設備和射頻設備,目標是電動汽車,快速充電,逆變器,電源供應,電信和mil/aero。Cree的LED產品系列包括藍色和綠色LED芯片、高亮度LED和照明級LED燈,目標是室內和室外照明、視頻顯示器、交通和電子信號和信號。Cree的LED照明系統(tǒng)和燈具服務于室內和室外應用。
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原文標題:【晨日科技·情報】科銳與Nexperia簽署GaN功率器件專利授權協(xié)議
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科銳宣布與荷蘭Nexperia簽署專利許可協(xié)議
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