恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。

氮化鎵快充芯片U8733L特征：

集成 700V E-GaN

集成高壓啟動功能

超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

谷底鎖定模式，最 高 工 作 頻 率 兩 檔 可 調(diào)(220kHz，130kHz)

集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

驅(qū)動電流分檔配置

集成恒功率功能

外置 OTP 及主動降功率功能

集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護(hù) (OVP/UVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

外置過熱保護(hù)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

封裝類型 ESOP-7

氮化鎵快充芯片U8733L采用HSOP-7封裝，引腳說明為：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 NTC I/O 外置溫度檢測，過溫降功率和過溫保護(hù)功能。

5 GND P 芯片參考地

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵快充芯片U8733L集成外置溫度檢測環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。U8733L還集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能，優(yōu)化能源利用效率！