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為了降低 EMI,廠商有多努力

Simon觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃山明 ? 2025-06-24 06:46 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 黃山明)在儲能技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下,如何降低電磁干擾(EMI)已成為市場矚目的焦點(diǎn)。EMI 是一種由高頻開關(guān)器件、電流突變等因素產(chǎn)生的電磁噪聲,它可能對系統(tǒng)自身或周邊設(shè)備的正常運(yùn)行造成影響。

倘若 EMI 過高,極有可能干擾電池管理系統(tǒng)(BMS)的電壓 / 電流檢測,導(dǎo)致檢測誤差,使逆變器控制信號失真,甚至觸發(fā)保護(hù)機(jī)制,致使設(shè)備停機(jī)。嚴(yán)重的 EMI 還可能引發(fā)電路誤動作,甚至造成高壓擊穿,進(jìn)而帶來設(shè)備損壞或火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)。此外,過高的 EMI 會導(dǎo)致產(chǎn)品無法通過電磁兼容性(EMC認(rèn)證,從而無法進(jìn)入市場。

EMI 通常源自一些高頻開關(guān)器件。例如,儲能逆變器、BMS 等電路中采用的快恢復(fù)二極管、MOSFET 等器件,在高頻切換(30 - 70kHz)時(shí),由于反向恢復(fù)時(shí)間(Trr)和寄生電容充放電,會產(chǎn)生電流脈沖和電壓尖峰,進(jìn)而形成高頻噪聲源。

此外,在一些功率電路拓?fù)渲?,大電流回路的電流突變(di/dt)會通過導(dǎo)線或空間耦合產(chǎn)生差模和共模干擾。同時(shí),電網(wǎng)波動、雷電等外部電磁場也可能通過傳導(dǎo)路徑引入干擾。

廠商如何降低 EMI

鑒于 EMI 的破壞性,在電動車、工業(yè)儲能和可再生能源整合領(lǐng)域,降低 EMI 的需求極為迫切。研究顯示,EMI 減少技術(shù)不僅能夠提高系統(tǒng)可靠性,還能滿足諸如 CISPR 32 Class B 等嚴(yán)格的國際標(biāo)準(zhǔn)。

那么,企業(yè)是如何降低 EMI 的呢?以德州儀器(TI)的 bq24192 數(shù)據(jù)手冊為例,其中強(qiáng)調(diào)要最小化高頻電流路徑循環(huán),以防止電磁場輻射和高頻共振問題。采用固定頻率(如 1.5MHz)有助于簡化輸出濾波器設(shè)計(jì),這也會對 EMI 性能產(chǎn)生積極影響。

相比之下,電源管理 IC,尤其是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器 IC,在儲能系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,并且具備明確的 EMI 減少功能。

例如,TI 的 LM25149 在負(fù)載電流超過 40% 時(shí)會自動啟用低頻 EMI 抑制功能。其規(guī)格包括 DC 增益 68dB、單位增益帶寬 300MHz,同時(shí)結(jié)合低頻三角形和高頻隨機(jī)調(diào)制技術(shù),可使 150kHz 至 30MHz 頻段的傳導(dǎo)發(fā)射降低 15dBμV,30MHz 至 108MHz 頻段降低 5dBμV,調(diào)制頻率范圍為 8.2 至 16.2kHz,調(diào)制頻率變化 7%,以此有效降低 EMI。

國內(nèi)廠商也推出了諸多方案。比如南芯科技 SC814xx 系列降壓轉(zhuǎn)換器,通過展頻技術(shù)分散噪聲能量,降低峰值 EMI,并通過 RBOOT 引腳調(diào)整開關(guān)節(jié)點(diǎn)頻率,避免因共振效應(yīng)引發(fā)的 EMI 峰值。

元芯半導(dǎo)體的 YX2265 Buck-Boost 控制器,除采用展頻技術(shù)外,還借助最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)算法實(shí)現(xiàn)太陽能板最大功率跟蹤,減少能量波動,從而降低 EMI 產(chǎn)生的可能性。世微的 AP2813 雙路降壓恒流驅(qū)動器,則通過平均電流采樣模式,提高寬電壓輸入下的電流精度,進(jìn)而間接減少噪聲。

此外,通過感測并消除低頻噪聲,可將外部差模輸入濾波器尺寸減小 50%,降低系統(tǒng)成本,同時(shí)實(shí)現(xiàn)主動 EMI 過濾。還可通過微調(diào)時(shí)鐘頻率,降低峰值能量,減少基頻和諧波的 EMI。瑞薩電子(Renesas)的擴(kuò)展頻譜時(shí)鐘生成器(SSCG)支持下擴(kuò)展和中心擴(kuò)展模式。另外,選擇合適的開關(guān)頻率(如 1.5MHz 至 2.1MHz)并優(yōu)化印刷電路板(PCB)布局,能夠減少高頻電流路徑循環(huán),防止電磁場輻射。

小結(jié)

研究預(yù)測,到 2030 年,全球儲能安裝容量將超過 30GW,這凸顯了市場對高效、低 EMI 的 IC 的迫切需求。降低 EMI 可通過展頻技術(shù)、優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)、縮短電流路徑、集成保護(hù)機(jī)制、采用自適應(yīng)工作模式等方式實(shí)現(xiàn)。這些芯片通過集成多種技術(shù),在提升能效的同時(shí)顯著降低 EMI,滿足了儲能系統(tǒng)對穩(wěn)定性和可靠性的要求。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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