業(yè)界開始重新審視十年前開發(fā)的處理器架構(gòu)，看好速度較GPU快1萬倍的所謂「存儲器式運算」(In-Memory Computing；IMC)，將有助于新一代AI加速器發(fā)展。

新創(chuàng)公司、企業(yè)巨擘和學術(shù)界開始重新審視十年前開發(fā)的處理器架構(gòu)，看好它或許剛好就是機器學習(machine learning)的理想選擇。他們認為，「存儲器式運算」(In-Memory Computing；IMC)架構(gòu)可望推動新型的人工智能(AI)加速器進展，使其速度較現(xiàn)行的GPU更快1萬倍。

這些處理器承諾可在CMOS微縮速度放緩之際擴展芯片性能，而要求密集乘法累積陣列的深度學習演算法也正逐漸獲得動能。這些芯片雖然距離商用化上市還有一年多的時間，但也可能成為推動新興非揮發(fā)性存儲器成長的引擎。

例如，新創(chuàng)公司Mythic瞄準在快閃存儲器(flash)陣列內(nèi)部進行神經(jīng)網(wǎng)路運算任務(wù)，致力于從模擬領(lǐng)域降低功耗。該公司的目標是在2019年底量產(chǎn)芯片，成為率先推出這一類新芯片的公司之一。

美國圣母大學(Notre Dame)電子工程系系主任Suman Datta說：「在我們學術(shù)界大多數(shù)的人認為，新興存儲器將成為實現(xiàn)存儲器處理器(processor-in-memory；PIM)的技術(shù)之一。采用新的非揮發(fā)性存儲器將意味著創(chuàng)造新的使用模式，而存儲器式運算架構(gòu)將是關(guān)鍵之一?！?/p>

Datta指出，在1990年代，有幾位學者試圖打造這樣的處理器。諸如EXECUBE、IRAM和FlexRAM之類的設(shè)計都「失敗了，而今，隨著相變存儲器(PCM)、電阻式RAM (RRAM)和STT MRAM等新興存儲器出現(xiàn)，以及業(yè)界對于機器學習硬體加速器的興趣濃厚，開始振興這個領(lǐng)域的研究。不過，據(jù)我所知，大部份的展示都還是在元件或元件陣列層級進行，而不是一個完整的加速器?！?/p>

其中一家競爭對手來自IBM于2016年首次披露的「電阻處理器」(Resistive Processing Unit；RPU)。這是一款4,096 x 4,096交叉陣列的模擬元件。

IBM研究員Vijay Narayanan認為，「其挑戰(zhàn)在于找出正確的模擬存儲器元素是什么——我們正在評估相變、RRAM和鐵電?！筕ijay Narayanan同時也是一位材料科學家，他主要的研究領(lǐng)域是在高K金屬閘極。

在2015年，美國史丹佛大學(Stanford University)也曾經(jīng)發(fā)布在這一領(lǐng)域的研究。中國和韓國的研究人員也在追求這一理念。

為了實現(xiàn)成功，研究人員需要找到相容于CMOS晶圓廠的存儲器元件所需材料。此外，Narayanan說，「真正的挑戰(zhàn)」就在于必須在施加電壓時展現(xiàn)對稱的電導或電阻。

IBM Research的材料科學家Vijay Narayanan表示，大多數(shù)用于AI的存儲器處理器仍處于研究階段，距離可上市的時間約三至五年

關(guān)于未來電晶體的幾點思考

IBM至今已經(jīng)制造出一些離散式元件和陣列，但并不是一款具有4Kx4K陣列的完整測試芯片，也尚未采用目前所認為的理想材料。Narayanan表示，IBM的Geoff Burr在500 x 661陣列上采用相變材料進行深度神經(jīng)網(wǎng)路(DNN)訓練，而其結(jié)果顯示「合理的精確度和加速度」。

「我們正穩(wěn)步前進，但了解還必須改善現(xiàn)有的材料，而且也在評估新材料?！?/p>

IBM希望使用模擬元件，以便能夠定義多個電導狀態(tài)，從而較數(shù)位元件更有助于為低功耗操作開啟大門。該公司還看好大型陣列可望成為平行執(zhí)行多項AI操作的大好機會。

Narayanan樂觀地認為，IBM可以利用其于高k金屬閘極方面累積的多年經(jīng)驗，找到調(diào)整AI加速器電阻的材料。他花了十幾年的時間，才將IBM在該領(lǐng)域的專業(yè)知識從研究轉(zhuǎn)向商業(yè)產(chǎn)品，并與格芯(Globalfoundries)和三星(Samsung)等業(yè)界伙伴合作。

展望未來，IBM將致力于開發(fā)閘極全環(huán)(GAA)電晶體，將納米片用于7nm節(jié)點以外的應(yīng)用。他認為這一類的設(shè)計并不存在根本的障礙，而只是實施的問題。

除了納米片之外，研究人員正在探索負電容場效電晶體(FET)，這些FET可在電壓變化很小的情況下提供較大的電流變化。從研究人員發(fā)現(xiàn)這種摻雜氧化鉿是鐵電材料，而且可能相容于CMOS后，過去這五年來，這種想法越來越受到關(guān)注。

但Narayanan也說，「目前還有很多反對者以及同時支持二者的人?！?/p>

「我們的研究顯示，負電容是一種短暫的效應(yīng)，」Notre Dame的Datta說，「因此，當極化開關(guān)切換時，通道電荷得以暫時啟動，而一旦暫態(tài)穩(wěn)定后就不會再取得任何結(jié)果?！?/p>

美國加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)的研究人員則「相信這是一種重要的『新狀態(tài)』。因此，故事仍在繼續(xù)發(fā)展中，可以說大部份的公司都在內(nèi)部進行評估中。 」