chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Platform 中的多項工具已通過TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認證

電子工程師 ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:工程師d ? 2018-05-17 15:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Mentor, a Siemens business 宣布,該公司 Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE (AFS?) Platform 中的多項工具已通過TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Mentor 同時宣布,已更新了 Calibre nmPlatform 工具,可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協(xié)助雙方共同客戶更快地為高增長市場提供芯片創(chuàng)新。

TSMC 設計基礎架構營銷部資深總監(jiān) Suk Lee 表示:“Mentor 通過提供更多功能和解決方案來支持我們最先進的工藝,持續(xù)為TSMC 生態(tài)系統(tǒng)帶來了更高的價值。通過為我們的新工藝提供不斷創(chuàng)新的先進電子設計自動化 (EDA) 技術,Mentor 再次證明了對 TSMC 以及我們的共同客戶的承諾?!?br />
Mentor 增強工具功能,以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝

Mentor 與 TSMC 密切合作,針對 TSMC 的 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝,對 Mentor 的 Calibre nmPlatform 中的各種工具進行認證,其中包括 Calibre nmDRC?、Calibre nmLVS?、Calibre PERC?、Calibre YieldEnhancer 和 Calibre xACT?。這些 Calibre 解決方案現(xiàn)已新增測量與檢查功能,包括但不限于支持與 TSMC 共同定義的極紫外 (EUV) 光刻技術要求。Mentor 的 Calibre nmPlatform 團隊還與 TSMC 合作,通過增強多 CPU 運行的可擴展性,來改善物理驗證運行時的性能,進而提高生產(chǎn)率。Mentor 的 AFS 平臺,包括 AFS Mega 電路仿真器,現(xiàn)在也獲得TSMC 的 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認證。

Mentor 增強工具功能,以支持 TSMC 的 WoW 晶圓堆疊技術

Mentor 在其 Calibre nmPlatform 工具中新增了幾項增強功能,以支持 WoW 封裝技術。增強功能包括適用于帶背面硅通孔 (BTSV) 的裸片的 DRC 和 LVS Signoff、芯片到芯片的接口對齊與連通性檢查以及芯片到封裝堆疊的接口對齊與連通性檢查。其他增強功能還包括背面布線層、硅通孔 (TSV) 中介層以及接口耦合的寄生參數(shù)提取。

Calibre Pattern Matching,可支持 TSMC 7nm SRAM 陣列檢查實用工具

Mentor 與 TSMC 密切合作,將 Calibre Pattern Matching 與 TSMC 的 7nm SRAM 陣列檢查實用工具進行整合。該流程有助于客戶確保其構建的 SRAM 實現(xiàn)可滿足工藝需要。借助這種自動化,客戶即能成功流片。SRAM 陣列檢查實用工具可供 TSMC 7nm工藝的客戶使用。

Mentor, a Siemens business 副總裁兼Design to Silicon 部門總經(jīng)理 Joe Sawicki 表示:“TSMC 持續(xù)不斷地開發(fā)創(chuàng)新晶圓工藝,使我們的共同客戶能夠向市場推出許多世界上最先進的 IC,我們不僅為 Mentor 的平臺能率先獲得 TSMC 最新工藝的認證感到自豪,也為我們能與 TSMC 緊密合作,攜手開發(fā)新技術以協(xié)助客戶加速硅片生產(chǎn)的目標感到自豪。”

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    462

    文章

    53227

    瀏覽量

    454803
  • sram
    +關注

    關注

    6

    文章

    798

    瀏覽量

    116954
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    AMD 7nm Versal系列器件NoC的使用及注意事項

    AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(NoC, Network on Chip),這是一個硬化的、高帶寬、低延遲互連結構,旨在實現(xiàn)可編程邏輯(PL)、處理系統(tǒng)(PS)、AI引擎(AIE)、DDR控制器(DDRMC)、CPM(PCIe/CXL)等模塊之間的高效數(shù)據(jù)交換。
    的頭像 發(fā)表于 09-19 15:15 ?1756次閱讀
    AMD <b class='flag-5'>7nm</b> Versal系列器件NoC的使用及注意事項

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術

    %。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。 2、晶背供電技術 3、EUV光刻機與其他競爭技術 光刻技術是制造3nm、5nm工藝節(jié)點的高端半導體芯片的關鍵技術。是將設計好的芯片版圖圖形轉
    發(fā)表于 09-15 14:50

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

    個先例,其變化形式如圖6所示。 晶背供電技術已被證明,它可以很好地解決5nm以下芯片的電源完整性問題,同樣也證明 它是優(yōu)化特定版圖設計任務的用力工具。 圖6 功能性晶 隨著工藝創(chuàng)新的層出不窮,相信摩爾神話還能持續(xù),AI芯片也將為
    發(fā)表于 09-06 10:37

    龍圖光罩90nm掩模版量產(chǎn),啟動28nm制程掩模版的規(guī)劃

    研發(fā)到量產(chǎn)的跨越,65nm產(chǎn)品開始送樣驗證。 ? 掩模版也稱光罩,是集成電路制造過程的圖形轉移工具或者母板,載著圖形信息和工藝技術信息,
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:19 ?8853次閱讀
    龍圖光罩90<b class='flag-5'>nm</b>掩模版量產(chǎn),<b class='flag-5'>已</b>啟動28<b class='flag-5'>nm</b>制程掩模版的規(guī)劃

    體硅FinFET和SOI FinFET的差異

    在半導體制造領域,晶體管結構的選擇如同建筑的地基設計,直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當制程節(jié)點推進到22nm以下時,傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求,鰭式場效應晶體管(FinFET) 以其
    的頭像 發(fā)表于 06-25 16:49 ?1339次閱讀
    體硅<b class='flag-5'>FinFET</b>和SOI <b class='flag-5'>FinFET</b>的差異

    FinFET與GAA結構的差異及其影響

    本文介紹了當半導體技術從FinFET轉向GAA(Gate-All-Around)時工藝面臨的影響。
    的頭像 發(fā)表于 05-21 10:51 ?2378次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>與GAA結構的差異及其影響

    Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功

    我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標準封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級 IP 解決方案?的承諾,可滿足新一代汽車電子和高性能計算應用的嚴格要求。
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:17 ?574次閱讀
    Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的<b class='flag-5'>5nm</b>汽車<b class='flag-5'>工藝</b>上實現(xiàn)流片成功

    FinFET技術在晶圓制造的優(yōu)勢

    本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術的原理、工藝和優(yōu)勢。
    的頭像 發(fā)表于 04-14 17:23 ?1003次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>技術在晶圓制造<b class='flag-5'>中</b>的優(yōu)勢

    曝三星量產(chǎn)第四代4nm芯片

    據(jù)外媒曝料稱三星量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進技術。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.3w次閱讀

    DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少?

    DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少,480mW/cm2能否使用,有沒有在355nm下的客戶應用案例? 這個是激光器的參數(shù):355nm,脈寬5ns,單脈沖能量
    發(fā)表于 02-20 08:42

    FinFET制造工藝的具體步驟

    本文介紹了FinFET(鰭式場效應晶體管)制造過程后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。
    的頭像 發(fā)表于 01-20 11:02 ?4287次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>制造<b class='flag-5'>工藝</b>的具體步驟

    FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的

    本文介紹了FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的。 在FinFET制造工藝,當完成偽柵極結構后,接下來的關鍵步驟是形成源漏極(Source/Drain)。這一階段
    的頭像 發(fā)表于 01-17 11:00 ?2044次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFet</b> Process Flow-源漏極是怎樣形成的

    FinFet Process Flow—啞柵極的形成

    FinFET的柵極寬度,這對于控制電流流動至關重要。在22nm及以下技術節(jié)點中,由于鰭片尺寸非常小,通常通過SADP(Self-Aligned Double Patterning)或SAQP
    的頭像 發(fā)表于 01-14 13:55 ?1735次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFet</b> Process Flow—啞柵極的形成

    消息稱臺積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價,即日起效!

    )計劃從2025年1月起對3nm、5nm先進制程和CoWoS封裝工藝進行價格調整。 先進制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對3nm5nm
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:35 ?888次閱讀

    臺積電產(chǎn)能爆棚:3nm5nm工藝供不應求

    臺積電近期成為了高性能芯片代工領域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺積電的3nm5nm工藝產(chǎn)能利用率均達到了極高水平,其中3nm將達到100%,而
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:20 ?1206次閱讀