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Renesas Electronics F1950NBGI8數(shù)字步進衰減器參數(shù)特性 EDA模型與數(shù)據(jù)手冊

向上 ? 來源:Renesas ? 作者:Renesas ? 2025-06-12 18:37 ? 次閱讀
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Renesas F1950NBGI8數(shù)據(jù)手冊免費下載

*附件:F1950NBGI8.pdf

Renesas F1950NBGI8的EDA模型免費下載http://www.brongaenegriffin.com/p/e262303290
http://www.brongaenegriffin.com/p/e262303290

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:F1950 Digital Step Attenuator
  • ?產(chǎn)品系列?:Glitch-Free DSA(數(shù)字步進衰減器)系列,專為通信基礎(chǔ)設(shè)施的嚴格要求而設(shè)計。
  • ?封裝形式?:緊湊的4x4 QFN封裝,具有50Ω阻抗,便于集成到無線電系統(tǒng)中。

二、競爭優(yōu)勢

  • ?低插入損耗?:提供最佳的信噪比(SNR)。
  • ?無抖動技術(shù)?:采用Renesas的Glitch-Free技術(shù),在MSB(最高有效位)轉(zhuǎn)換時過沖小于0.6 dB,而競爭產(chǎn)品抖動可能高達10 dB。
  • ?高精度與低失真?:具有極低的失真(+65 dBm IP3I)。
  • ?快速穩(wěn)定時間?:最終衰減值穩(wěn)定時間小于400 ns。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

  • ?基站?:2G、3G、4G、TDD無線電卡。
  • ?中繼器和E911系統(tǒng)?。
  • ?數(shù)字預(yù)失真?。
  • ?點對點基礎(chǔ)設(shè)施?。
  • ?公共安全基礎(chǔ)設(shè)施?。
  • ?WIMAX接收器和發(fā)射器?。
  • ?軍事系統(tǒng)?:JTRS無線電。
  • ?RFID手持和便攜式閱讀器?。
  • ?電纜基礎(chǔ)設(shè)施?。

四、規(guī)格參數(shù)

1. 基本參數(shù)

  • ?頻率范圍?:150 MHz至5000 MHz。
  • ?分辨率/范圍?:0.25 dB/31.75 dB。
  • ?控制方式?:并行與串行控制。
  • ?插入損耗?:在2 GHz時小于1.3 dB。
  • ?衰減誤差?:在2 GHz時小于0.3 dB。
    image.png

2. 電氣特性

  • ?供電電壓?:3V至5V。
  • ?輸入IP3?:在不同衰減設(shè)置下,IP3I值在+57 dBm至+63 dBm之間。
  • ?0.1 dB壓縮點?:在20 dBm輸入功率下,約為27.5 dBm。
  • ?穩(wěn)定時間?:從LE上升沿開始到輸出穩(wěn)定(±0.1 dB)約400 ns。
    image.png

3. 控制接口

  • ?串行模式?:數(shù)據(jù)以LSB(最低有效位)優(yōu)先的方式時鐘輸入。包含CLK抑制功能,以減少對CLK總線噪聲的敏感性。
  • ?并行模式?:支持直接并行模式和鎖存并行模式,提供最快的穩(wěn)定時間。

五、封裝與引腳信息

  • ?封裝尺寸?:4 mm x 4 mm,高度0.8 mm,24引腳。
  • ?引腳功能?:包括電源(VDD)、地(GND)、射頻輸入/輸出(RF1、RF2)、控制引腳(D0-D6、LE、CLK、DATA)、模式選擇(V_MODE)等。
    image.png

image.png

六、性能曲線

  • ?插入損耗 vs 頻率?:在最小衰減(A_MIN)下,隨頻率增加略有增加。
  • ?回波損耗(S11、S22)vs 頻率?:在150 MHz至5000 MHz范圍內(nèi)表現(xiàn)穩(wěn)定。
  • ?相位 vs 頻率?:在不同衰減設(shè)置下,相位隨頻率變化較小。
  • ?輸入IP3 vs 頻率?:在900 MHz至3900 MHz范圍內(nèi),IP3值隨頻率變化較小。

七、校準與測試

  • ?TRL校準?:使用“通過-反射-線”(TRL)方法進行校準,以消除評估板損耗對S參數(shù)測量的影響。

Renesas F1950NBGI8的EDA模型免費下載http://www.brongaenegriffin.com/p/e262303290
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