當(dāng)工業(yè)電源、儲(chǔ)能設(shè)備、新能源交通等領(lǐng)域?qū)β拭芏鹊男枨笸黄茦O限，傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MOS，以顛覆性的散熱設(shè)計(jì)與功率承載能力，成為大功率場(chǎng)景的核心解決方案。這款專(zhuān)為大芯片、大電流設(shè)計(jì)的器件，正以“散熱快、損耗低、密度高”的三大優(yōu)勢(shì)，重新定義功率半導(dǎo)體的應(yīng)用邊界。

顛覆傳統(tǒng)的頂部散熱：讓大功率不再“燙手”

TOLT封裝的核心突破在于將傳統(tǒng)底部散熱路徑“Junction→PCB” 徹底重構(gòu)為“Junction→頂部散熱器”。這種設(shè)計(jì)如同為芯片打開(kāi)了“散熱天窗”：

·熱傳導(dǎo)效率飆升：熱量直接通過(guò)頂部TIM 熱界面材料傳導(dǎo)至散熱器，相較于 TOLL 封裝溫度降低 36%，比傳統(tǒng) TO-220 插件封裝散熱效率提升近一倍。

·功率密度自由：允許芯片工作在更高溫度區(qū)間，配合大尺寸芯片設(shè)計(jì)，單器件可承載超過(guò)50A 的持續(xù)電流，輕松應(yīng)對(duì)充電樁、儲(chǔ)能變流器等大電流場(chǎng)景。

·PCB 設(shè)計(jì)解放：擺脫底部散熱對(duì)PCB 過(guò)孔和銅箔的依賴，電路板背面可自由布局驅(qū)動(dòng)電路，使功率密度提升 40% 以上。

五大技術(shù)特性：大功率場(chǎng)景的“硬核支撐”

? 開(kāi)爾文腳設(shè)計(jì)：驅(qū)動(dòng)效率提升的 “魔法鑰匙”

內(nèi)置獨(dú)立開(kāi)爾文源極引腳，將寄生電感降低至1nH 以下，開(kāi)關(guān)損耗減少 20%，在高頻逆變場(chǎng)景中效率突破 99%。

? 1mm 爬電距離：高壓安全的 “防護(hù)墻”

相比JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)增加 1mm 爬電距離，輕松通過(guò) 1500V 耐壓測(cè)試，滿足儲(chǔ)能電池組、工業(yè)電源等高壓應(yīng)用的安規(guī)要求。

? 鷗翼型引腳：工藝可靠性的 “守護(hù)者”

獨(dú)特的鷗翼結(jié)構(gòu)使貼片焊接面積增加30%，抗震動(dòng)能力提升 5 倍，同時(shí)焊點(diǎn)可視化檢測(cè)便捷，無(wú)空洞率困擾，完美適配自動(dòng)化產(chǎn)線。

? Clip 鍵合技術(shù)：低阻大電流的 “助推器”

內(nèi)部采用銅Clip 取代傳統(tǒng)金線鍵合，RDS (ON) 降低 15%，大電流下溫升再降 12%，尤其適合 BMS 雙面貼裝場(chǎng)景，比 TOLL 封裝溫度下降 22%。

? 超薄化設(shè)計(jì)：空間革命的 “推動(dòng)者”

厚度僅1.2mm，可直接貼裝于設(shè)備外殼散熱，取代傳統(tǒng) TO-220/247 插件，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品厚度減半，為電動(dòng)叉車(chē)、無(wú)人艇等緊湊型設(shè)備釋放更多空間。

全場(chǎng)景覆蓋：從工業(yè)到新能源的“功率心臟”

在工業(yè)領(lǐng)域，TOLT 封裝 MOS 已成為 AI 服務(wù)器電源、通信基站電源的標(biāo)配，其高可靠性助力數(shù)據(jù)中心 24 小時(shí)不間斷運(yùn)行；在新能源交通場(chǎng)景，從兩輪電動(dòng)車(chē)到游艇電機(jī)控制器，它以低損耗特性延長(zhǎng)續(xù)航里程 15% 以上；而在電池 BMS 領(lǐng)域，雙面貼裝方案使電池組能量密度提升 20%，成為儲(chǔ)能系統(tǒng)降本增效的關(guān)鍵。

如今，仁懋電子已實(shí)現(xiàn)中低壓MOS、Cool MOS、SiC MOS 全系列 TOLT 封裝量產(chǎn)，為高端工業(yè)、新能源市場(chǎng)提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的一站式服務(wù)。當(dāng)大功率應(yīng)用遇見(jiàn) TOLT，一場(chǎng)關(guān)于效率與空間的革命正在上演 —— 你的下一個(gè)高功率方案，或許只差這顆 “會(huì)呼吸” 的 MOSFET。