Analog Devices LTC7890/1同步降壓控制器是高性能直流-直流開關(guān)穩(wěn)壓器控制器，用來驅(qū)動輸入電壓高達(dá)100V的所有N溝道同步氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級。這些控制器為使用GaN FET時(shí)在傳統(tǒng)上面臨的挑戰(zhàn)提供了解決方案。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 解決方案相比，這些器件無需保護(hù)二極管或額外的外部元件，簡化了應(yīng)用設(shè)計(jì)。

Adi LTC7890/1同步降壓控制器支持內(nèi)部智能自舉開關(guān)，可防止升壓引腳在死區(qū)時(shí)間內(nèi)對SW引腳高側(cè)驅(qū)動器電源進(jìn)行過充電，從而保護(hù)頂部GaN FET的柵極。該系列對兩個(gè)開關(guān)沿上的柵極驅(qū)動器時(shí)序都進(jìn)行了內(nèi)部優(yōu)化，以提供智能的接近于零的死區(qū)時(shí)間，即使在高輸入電壓下，也能提高效率并允許高頻運(yùn)行。LTC7890/1上的柵極驅(qū)動電壓可在4V至5.5V范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié)，以優(yōu)化性能和支持不同的GaN FET，甚至是不同邏輯電平的MOSFET。

LTC7890系列采用40引線 (6mm × 6mm) 側(cè)面可濕的QFN封裝，而LTC7891則采用28引線 (4mm × 5mm) 側(cè)面可濕的QFN封裝。

特性

• 對GaN FET全盤優(yōu)化的GaN驅(qū)動技術(shù)
• 寬輸入電壓 ( VIN ) 范圍：4V至100V
• 寬輸出電壓范圍：0.8V ≤VOUT ≤60V
• 無需續(xù)流、鉗位或自舉二極管
• 內(nèi)部智能自舉開關(guān)可防止高側(cè)驅(qū)動器電源過度充電
• 內(nèi)部優(yōu)化的智能近零死區(qū)時(shí)間或電阻可調(diào)死區(qū)時(shí)間
• 分離輸出柵極驅(qū)動器，用于可調(diào)節(jié)的導(dǎo)通和關(guān)斷驅(qū)動器強(qiáng)度
• 精確的可調(diào)驅(qū)動器電壓和UVLO
• 低工作靜態(tài)電流 (I Q )：5μA（48VIN 至5VOUT ）
• 可編程頻率（100 kHz至3 MHz）
• 可鎖相頻率（100kHz至3MHz）
• 擴(kuò)頻調(diào)頻
• 封裝
  • 40引腳 (6mm × 6mm)，側(cè)面可濕QFN封裝 (LTC7890)
  • 28引腳 (4mm × 5mm) 側(cè)面可濕QFN封裝 (LTC7891)

應(yīng)用

• 工業(yè)電源系統(tǒng)
• 軍用航空電子設(shè)備和醫(yī)療系統(tǒng)
• 電信電源系統(tǒng)

效率和功率損失與負(fù)載電流的對比

典型應(yīng)用電路