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集成單相MOSFET驅(qū)動器、高端MOSFET和低端MOSFET為一體的驅(qū)動器

御風(fēng)傳感 ? 來源:御風(fēng)傳感 ? 作者:御風(fēng)傳感 ? 2025-06-26 09:13 ? 次閱讀
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電機(jī)驅(qū)動芯片是包含了速度控制、力矩控制、位置控制及過載保護(hù)等功能的集成電路,可以根據(jù)輸入信號,按照內(nèi)置的算法控制電機(jī)繞組電路流動方向,從而控制電動機(jī)的啟停與轉(zhuǎn)動方向。它集成了邏輯運算電路與功率驅(qū)動電路,利用它可以與主處理器、電機(jī)和增量型編碼器構(gòu)成一個完整的運動控制系統(tǒng),可以用來驅(qū)動直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、及繼電器等感性負(fù)載。

電機(jī)驅(qū)動芯片是集成有CMOS控制電路和DMO 功率器件的芯片,利用它可以與主處理器、電機(jī)和增量型編碼器構(gòu)成一個完整的運動控制系統(tǒng);可以用來驅(qū)動直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和繼電器等感性負(fù)載。

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電機(jī)驅(qū)動芯片 - SS6208


工采網(wǎng)代理的國產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動芯片 - SS6208,該電機(jī)驅(qū)動芯片是集成了一個單相MOSFET驅(qū)動器,高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET到一個3mm*3mm8引腳DFN包。與離散組件解決方案相比,SS6208集成解決方案大大減少了封裝寄生效應(yīng)和板空間。

驅(qū)動程序和mosfet已經(jīng)為半橋應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。通過一個較寬的工作電壓范圍,可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè)MOSFET柵極的驅(qū)動器電壓,以達(dá)到較佳的效率。內(nèi)部自適應(yīng)非重疊電路通過防止兩個mosfet的同時傳導(dǎo),進(jìn)一步減少了開關(guān)損耗。

當(dāng)VCC低于規(guī)定的閾值電壓時,UVLO電路可以防止發(fā)生故障。為待機(jī)模式設(shè)計的PIN EN可使芯片進(jìn)入低靜止電流狀態(tài),電池壽命長。

SS6208是一款專為半橋應(yīng)用設(shè)計的集成驅(qū)動器和MOSFET模塊。僅需單個PWM輸入信號即可正確驅(qū)動高端和低端MOSFET。

低邊驅(qū)動器集成用于驅(qū)動接地參考的低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET。該低邊驅(qū)動器的電壓軌內(nèi)部連接至VCC和PGND。

高端驅(qū)動器采用集成設(shè)計,用于驅(qū)動具有低導(dǎo)通電阻的浮地N溝道MOSFET。該高端驅(qū)動器的柵極電壓通過一個以開關(guān)節(jié)點(SW)引腳為參考的自舉電路產(chǎn)生。

結(jié)構(gòu)圖:

wKgZPGhcnnuAOLf-AAEYbVjhg0I773.png

結(jié)構(gòu)圖

馬達(dá)驅(qū)動芯片- SS6208的特性:

較大額定連續(xù)電流4A,峰值8A

引導(dǎo)式高側(cè)驅(qū)動器

高/低側(cè)MOSFET集成

高頻操作(高達(dá)1MHz)

PWM輸入兼容3.3V和5V

內(nèi)部引導(dǎo)二極管

處于電壓鎖定狀態(tài)

內(nèi)部熱停機(jī)

適應(yīng)性保護(hù)

封裝:DFN3*3,8個引腳

無鉛設(shè)備

深圳率能半導(dǎo)體在電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域深耕多年,技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善,如果想了解更多電機(jī)驅(qū)動的技術(shù)資料,請登錄工采網(wǎng)官網(wǎng)進(jìn)行咨詢。

審核編輯 黃宇

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