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onsemi NCP402045集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-11-24 11:49 ? 次閱讀
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安森美 NCP402045集成驅(qū)動(dòng)器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高側(cè)MOSFET、 和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直流-直流降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具有快速開(kāi)關(guān)能力、低導(dǎo)通損耗和高集成度,有助于優(yōu)化系統(tǒng)效率,同時(shí)最大限度地減少熱管理問(wèn)題。與分立元件解決方案相比,安森美 NCP402045集成解決方案顯著減少了封裝寄生效應(yīng)和電路板空間。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:onsemi NCP402045集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 平均電流能力高達(dá)45A
  • 能夠以高達(dá)2MHz頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)
  • 峰值電流 (10ms) 高達(dá)75A
  • 兼容3.3V或5V PWM輸入
  • 正確響應(yīng)3級(jí)PWM輸入
  • 通過(guò)3級(jí)PWM實(shí)現(xiàn)零交叉檢測(cè)選項(xiàng)
  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 欠壓鎖定
  • 支持Intel^?^ IMVP9.1/9.2低功耗特性
  • 熱警告輸出
  • 熱關(guān)斷
  • PQFN31 封裝
  • 無(wú)鉛,符合RoHS指令

應(yīng)用電路原理

1.png

框圖

2.png

onsemi NCP402045集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)解析

產(chǎn)品概述

NCP402045是一款高度集成的功率轉(zhuǎn)換解決方案,將MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高邊MOSFET和低邊MOSFET整合在單一封裝內(nèi)。該器件專(zhuān)為大電流DC-DC降壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,相比分立元件解決方案,顯著降低了封裝寄生參數(shù)和電路板空間占用。

核心特性

?功率性能?

  • 平均電流支持高達(dá)45A
  • 峰值電流(持續(xù)10ms)可達(dá)75A
  • 開(kāi)關(guān)頻率最高2MHz
  • 兼容3.3V或5V PWM輸入

?保護(hù)功能?

  • 欠壓鎖定保護(hù)
  • 熱警告輸出
  • 熱關(guān)斷保護(hù)
  • 內(nèi)部自舉二極管

?控制特性?

  • 正確響應(yīng)三電平PWM輸入
  • 支持零電流檢測(cè)(配合三電平PWM)
  • 支持Intel IMVP9.1/9.2低功耗特性

電氣參數(shù)詳解

工作條件

  • ?電源電壓范圍?:VCC/VCCD為4.5-5.5V(典型值5.0V)
  • ?轉(zhuǎn)換電壓范圍?:VIN為4.5-20V(典型應(yīng)用12V)
  • ?結(jié)溫范圍?:-40℃至+125℃

關(guān)鍵性能指標(biāo)

?輸出電流能力?

  • 開(kāi)關(guān)頻率1MHz,VIN=12V,VOUT=1.0V:最高40A
  • 開(kāi)關(guān)頻率300kHz,VIN=12V,VOUT=1.0V:最高45A
  • 峰值電流條件:開(kāi)關(guān)頻率500kHz,VIN=12V,VOUT=1.0V:最高75A

?功耗特性?

  • 正常工作電流(IVCC_NM):典型值10.5mA
  • 多種待機(jī)模式電流,最低可達(dá)25μA

引腳功能分析

?控制引腳?

  • ?PWM?:PWM控制輸入和零電流檢測(cè)使能
  • ? SMOD# ?:跳躍模式引腳,支持三態(tài)輸入
  • ? DISB# ?:輸出禁用引腳,內(nèi)部帶下拉電阻

?電源管理引腳?

  • ?VCC?:控制電源輸入
  • ?VCCD?:驅(qū)動(dòng)器電源輸入
  • ?VIN?:轉(zhuǎn)換電源功率輸入(引腳8-11)

?保護(hù)監(jiān)測(cè)引腳?

  • ?THWN?:熱警告指示器,開(kāi)漏輸出

應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)

自舉電路設(shè)計(jì)

集成自舉二極管配合外部自舉電容(CBST)為高邊驅(qū)動(dòng)器供電。建議使用容量大于100nF的多層陶瓷電容,可選擇串聯(lián)1-4Ω電阻以減小VSW過(guò)沖。

電源去耦

  • VCCD引腳需靠近放置低ESR電容(1-4.7μF MLCC
  • VCC引腳需配置1μF陶瓷電容
  • 建議在VCC和VCCD去耦電容間使用10Ω電阻隔離噪聲

PCB布局建議

  • 功率路徑需短而寬以減小寄生電感
  • 信號(hào)地與功率地合理分離
  • 散熱焊盤(pán)需充分連接至地平面

典型應(yīng)用場(chǎng)景

?移動(dòng)計(jì)算設(shè)備?

  • 筆記本、平板電腦和超極本
  • 適用于處理器核心供電和系統(tǒng)電源管理

?高性能計(jì)算?

  • 顯卡供電
  • 臺(tái)式機(jī)和一體機(jī)電腦的V-Core及非V-Core轉(zhuǎn)換器

?工業(yè)應(yīng)用?

  • 大電流DC-DC負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
  • 高功率密度電源設(shè)計(jì)

保護(hù)機(jī)制

?熱管理?

  • 熱警告閾值:典型值150℃
  • 熱關(guān)斷閾值:典型值180℃
  • 熱警告滯后:典型值15℃

?電壓保護(hù)?

  • VCC欠壓鎖定:?jiǎn)?dòng)閾值4.2V,滯后300mV
  • 自舉UVLO:上升閾值3.7V,下降閾值3.4V
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