安森美 NCP402045集成驅(qū)動器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動器、高側(cè)MOSFET、 和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直流-直流降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具有快速開關(guān)能力、低導(dǎo)通損耗和高集成度,有助于優(yōu)化系統(tǒng)效率,同時最大限度地減少熱管理問題。與分立元件解決方案相比,安森美 NCP402045集成解決方案顯著減少了封裝寄生效應(yīng)和電路板空間。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:onsemi NCP402045集成驅(qū)動器和MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 平均電流能力高達(dá)45A
- 能夠以高達(dá)2MHz頻率進(jìn)行開關(guān)
- 峰值電流 (10ms) 高達(dá)75A
- 兼容3.3V或5V PWM輸入
- 正確響應(yīng)3級PWM輸入
- 通過3級PWM實現(xiàn)零交叉檢測選項
- 內(nèi)部自舉二極管
- 欠壓鎖定
- 支持Intel^?^ IMVP9.1/9.2低功耗特性
- 熱警告輸出
- 熱關(guān)斷
- PQFN31 封裝
- 無鉛,符合RoHS指令
應(yīng)用電路原理圖

框圖

onsemi NCP402045集成驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)解析
產(chǎn)品概述
NCP402045是一款高度集成的功率轉(zhuǎn)換解決方案,將MOSFET驅(qū)動器、高邊MOSFET和低邊MOSFET整合在單一封裝內(nèi)。該器件專為大電流DC-DC降壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,相比分立元件解決方案,顯著降低了封裝寄生參數(shù)和電路板空間占用。
核心特性
?功率性能?
- 平均電流支持高達(dá)45A
- 峰值電流(持續(xù)10ms)可達(dá)75A
- 開關(guān)頻率最高2MHz
- 兼容3.3V或5V PWM輸入
?保護(hù)功能?
- 欠壓鎖定保護(hù)
- 熱警告輸出
- 熱關(guān)斷保護(hù)
- 內(nèi)部自舉二極管
?控制特性?
- 正確響應(yīng)三電平PWM輸入
- 支持零電流檢測(配合三電平PWM)
- 支持Intel IMVP9.1/9.2低功耗特性
電氣參數(shù)詳解
工作條件
- ?電源電壓范圍?:VCC/VCCD為4.5-5.5V(典型值5.0V)
- ?轉(zhuǎn)換電壓范圍?:VIN為4.5-20V(典型應(yīng)用12V)
- ?結(jié)溫范圍?:-40℃至+125℃
關(guān)鍵性能指標(biāo)
?輸出電流能力?
- 開關(guān)頻率1MHz,VIN=12V,VOUT=1.0V:最高40A
- 開關(guān)頻率300kHz,VIN=12V,VOUT=1.0V:最高45A
- 峰值電流條件:開關(guān)頻率500kHz,VIN=12V,VOUT=1.0V:最高75A
?功耗特性?
- 正常工作電流(IVCC_NM):典型值10.5mA
- 多種待機(jī)模式電流,最低可達(dá)25μA
引腳功能分析
?控制引腳?
- ?PWM?:PWM控制輸入和零電流檢測使能
- ? SMOD# ?:跳躍模式引腳,支持三態(tài)輸入
- ? DISB# ?:輸出禁用引腳,內(nèi)部帶下拉電阻
?電源管理引腳?
- ?VCC?:控制電源輸入
- ?VCCD?:驅(qū)動器電源輸入
- ?VIN?:轉(zhuǎn)換電源功率輸入(引腳8-11)
?保護(hù)監(jiān)測引腳?
- ?THWN?:熱警告指示器,開漏輸出
應(yīng)用設(shè)計要點(diǎn)
自舉電路設(shè)計
集成自舉二極管配合外部自舉電容(CBST)為高邊驅(qū)動器供電。建議使用容量大于100nF的多層陶瓷電容,可選擇串聯(lián)1-4Ω電阻以減小VSW過沖。
電源去耦
- VCCD引腳需靠近放置低ESR電容(1-4.7μF MLCC)
- VCC引腳需配置1μF陶瓷電容
- 建議在VCC和VCCD去耦電容間使用10Ω電阻隔離噪聲
PCB布局建議
- 功率路徑需短而寬以減小寄生電感
- 信號地與功率地合理分離
- 散熱焊盤需充分連接至地平面
典型應(yīng)用場景
?移動計算設(shè)備?
?高性能計算?
- 顯卡供電
- 臺式機(jī)和一體機(jī)電腦的V-Core及非V-Core轉(zhuǎn)換器
?工業(yè)應(yīng)用?
- 大電流DC-DC負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
- 高功率密度電源設(shè)計
保護(hù)機(jī)制
?熱管理?
- 熱警告閾值:典型值150℃
- 熱關(guān)斷閾值:典型值180℃
- 熱警告滯后:典型值15℃
?電壓保護(hù)?
- VCC欠壓鎖定:啟動閾值4.2V,滯后300mV
- 自舉UVLO:上升閾值3.7V,下降閾值3.4V
-
MOSFET
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