TOPCon技術(shù)通過(guò)超薄SiO?和磷摻雜多晶硅（n?-poly-Si）層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸，理論效率可達(dá)28.7%。然而，poly-Si層厚度存在矛盾：過(guò)厚層（>100 nm）增加寄生吸收損失，過(guò)薄層（<50 nm）則無(wú)法抵抗銀漿腐蝕，導(dǎo)致金屬化接觸失效。本文通過(guò)美能在線Poly膜厚測(cè)試儀對(duì)poly-Si層膜厚的測(cè)量制備30–100 nm厚度梯度的n?-poly-Si層，系統(tǒng)研究厚度對(duì)接觸電阻率（ρc）、復(fù)合電流密度（J?,metal）及電池效率的影響，為工業(yè)化薄層化工藝提供依據(jù)。

n-TOPCon制備工藝

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采用n型Cz-Si晶圓（330.15 cm2），經(jīng)堿液制絨后，通過(guò)LPCVD沉積1.6±0.2 nm SiO?層和30~100 nm本征非晶硅（a-Si）層。a-Si層在850°C下結(jié)晶為poly-Si，并原位摻磷（POCl?/O?/N?氣氛）。隨后用5% HF溶液去除磷硅酸鹽玻璃（PSG），通過(guò)電化學(xué)電容-電壓（ECV）剖面分析確定摻雜濃度。最后，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在H型柵格上印刷Ag漿料，經(jīng)730°C燒結(jié)形成金屬接觸。(a) n-TOPCon太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖(b) 四探針?lè)阶铚y(cè)試儀原理圖

poly-Si層厚度對(duì)鈍化性能影響

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不同厚度n?-poly-Si/SiO?層的ECV濃度分布（a）及方阻（b）

不同厚度n?-poly-Si層的ECV剖面顯示，表面濃度均高于5×102? atoms/cm3，但總摻雜量隨厚度增加而上升。當(dāng)厚度從100 nm降至30 nm時(shí)，方阻（R□）從45 Ω/□增至57 Ω/□，表明薄層總摻雜量不足導(dǎo)致電阻升高。

電池的J?（a）和PL強(qiáng)度（b）

J?值隨厚度變化較小（約0.5 fA/cm2），但30 nm時(shí)因磷擴(kuò)散深度較淺（~15~20 nm），奧格復(fù)合增強(qiáng)，J?略高于100 nm樣品。光致發(fā)光（PL）測(cè)試表明，30 nm層仍能有效鈍化，印證SiO?層的場(chǎng)效應(yīng)鈍化作用。

金屬接觸復(fù)合機(jī)制

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不同厚度n?-poly-Si層的J?,measured與金屬化比例關(guān)系：(a) 30 nm, (b) 50 nm, (c) 70 nm, (d) 100 nm；(e) J?,metal隨厚度變化

J?,metal隨poly-Si層減薄顯著增加：70~30 nm時(shí)，J?,metal從304 fA/cm2升至545 fA/cm2。

Ag/poly-Si界面截面SEM圖：(a) Ag柵線與n?-poly-Si接觸界面；(b) Ag塊狀結(jié)構(gòu)與非均勻界面；(c) poly-Si表面白色Ag析出顆粒

SEM分析顯示，Ag漿料腐蝕導(dǎo)致薄poly-Si層（<70 nm）界面不均勻，局部區(qū)域被穿透，Ag顆粒沉淀加劇復(fù)合。厚層（100 nm）因摻雜濃度高且抗腐蝕能力強(qiáng)，J?,metal最低（26 fA/cm2）。

太陽(yáng)能電池接觸電阻率（ρc）隨poly-Si厚度變化

此外，ρc隨厚度增加先降后升，70 nm時(shí)達(dá)最優(yōu)值（3.9 Ω·cm2），表明厚度需平衡摻雜濃度與Ag腐蝕深度。

I-V 參數(shù)優(yōu)化

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n-TOPCon太陽(yáng)能電池的I-V參數(shù)

70 nm 厚層電池實(shí)現(xiàn)了 25.47% 的轉(zhuǎn)換效率，Voc 為 723.5 mV，Jsc 為 42.01 mA/cm2，F(xiàn)F 達(dá) 83.8%。盡管 J?,metal（304 fA/cm2）高于 100 nm 層，但電流增益補(bǔ)償了 Voc 損失。值得注意的是，厚度小于 40 nm 時(shí)，Jsc 未因寄生吸收降低而提升，反而因 Ag 腐蝕導(dǎo)致光生電子收集效率下降。

光學(xué)與量子效率對(duì)比

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(a) 70 nm與100 nm樣品的量子效率（IQE，實(shí)線）和光學(xué)反射（虛線）；(b) 電流損失機(jī)制分析

70 nm 厚層的內(nèi)部量子效率在 < 550 nm短波長(zhǎng)處顯著高于 100 nm 層，歸因于低總磷摻雜濃度減少了藍(lán)光吸收。同時(shí)，薄層的近紅外寄生吸收損失降低，使 Jsc 增加 0.14 mA/cm2，但需平衡前表面織構(gòu)損傷導(dǎo)致的反射率增加。本文研究了n+poly-Si層厚度對(duì)n-TOPCon太陽(yáng)能電池金屬化接觸性能的影響。結(jié)果表明，n+poly-Si層厚度對(duì)J?值影響較小，但對(duì)J?,metal值和接觸電阻率有顯著影響。最佳的poly-Si層厚度為70 nm，可以在保持低J0,metal值的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)低接觸電阻率，從而提高電池轉(zhuǎn)換效率至25.65%。該優(yōu)化工藝可在光伏行業(yè)中廣泛應(yīng)用，以減少加工時(shí)間和降低成本。

美能在線膜厚測(cè)試儀

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采用微納米薄膜光學(xué)測(cè)量技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)超廣測(cè)量范圍20nm-2000nm和0.5nm超高重復(fù)性精度，可對(duì)樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的5點(diǎn)同步掃描。

Poly膜厚測(cè)試范圍20nm-2000nm

快速、自動(dòng)的5點(diǎn)同步掃描

非接觸、無(wú)損測(cè)量，零碎片率

24小時(shí)自動(dòng)且不停線校準(zhǔn)，保證生產(chǎn)效率