chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

直播預(yù)告 | @7/8 Innoscience SolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù),煥新便攜光儲市場

大大通 ? 2025-06-27 16:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

wKgZPGhiMXCAQElzAAYqHh5Y7pM542.png英諾賽科 SolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù),煥新便攜光儲市場

如果你想了解氮化鎵如何引領(lǐng)便攜光儲市場?那么一定不能錯過這場由大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)和英諾賽科原廠聯(lián)合舉辦的線上研討會?!?strong>Innoscience SolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù),煥新便攜光儲市場”。7月8日,上午1000,歡迎鎖定大大通直播間收看!


研討會介紹與亮點

讓能源觸手可及是永不褪色的民生向往。便攜光儲不僅減輕時尚歐羅巴家庭的賬單壓力,也照亮貧困亞非拉部落的漫漫長夜。便攜光儲設(shè)備隨著應(yīng)用場景更加豐富,硅基技術(shù)的輕載效率和高頻損耗已制約了產(chǎn)品實用性。市場在悄然革新,氮化鎵技術(shù)憑借高頻低損耗優(yōu)勢開始為便攜光儲設(shè)備賦能。


氮化鎵技術(shù)分為E-mode和D-mode兩種路線,D-mode雖憑借封裝兼容性優(yōu)勢較早入局,但GaN和MOS的Cascode結(jié)構(gòu)存在天然缺陷,導(dǎo)致市場進(jìn)展緩慢,國際大廠也開始放棄D-mode轉(zhuǎn)向E-mode。

英諾賽科SolidGaN系列集成700V E-mode,內(nèi)置DESAT和OTP,封裝和MOS/SiC/IGBT兼容,支持10-24V寬壓驅(qū)動,可無縫替換硅基方案,為煥新便攜光儲市場領(lǐng)航。


精彩內(nèi)容搶先看

基于InnoGaN INN650TA030AH & INN150FQ070A 設(shè)計的2000W微逆方案

基于InnoGaN INN650TA030C & INN650TA050C 設(shè)計的2KW 48V雙向ACDC儲能電源方案

基于InnoGaN ISG6121TD 設(shè)計的4kW雙向PFC電源方案

英諾賽科推出2kW 微逆方案,實現(xiàn)設(shè)計和性能雙突破

效率95% 芯仙方案推出2KW氮化鎵雙向逆變電源 內(nèi)置英諾賽科氮化鎵晶片


直播時間

7月8日 上午10:00-11:00

報名&觀看路徑

https://www.wpgdadatong.com.cn/reurl/qu2Enq


主講嘉賓

wKgZO2hiMXCASBSGAAGxkS_ZXMI056.png


答疑嘉賓

wKgZPGhiMXCAMjZJAAcg7PynjrM349.png


主持人

wKgZO2hiMW-AboEUAAF4XBzUgsc553.png


直播福利

觀看&參與直播互動,將有機(jī)會獲得以下驚喜好禮!

wKgZPGhiMXCAFU3RAAH2Utsf6sc906.png


英諾賽科簡介

wKgZO2hiMXCAd6sXAANb2lEQLlw530.png

登錄大大通網(wǎng)站-直播專區(qū),報名&鎖定本場研討會!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    63

    文章

    1834

    瀏覽量

    118899
  • 英諾賽科
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    52

    瀏覽量

    10661
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    京東方華燦淺談氮化材料與技術(shù)發(fā)展

    近日,應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請,在行業(yè)目光聚焦之際,京東方華燦多位專家圍繞氮化材料與技術(shù)展開深度分享,為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中,京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界
    的頭像 發(fā)表于 08-14 15:31 ?2667次閱讀

    科士達(dá)領(lǐng)航能源變革!全場景充解決方案閃耀SNEC PV+

    6月11日,第十八屆(2025)國際太陽能伏與智慧能源(上海)大會暨展覽會在上海國家會展中心盛大啟幕,科士達(dá)以“共生,共塑新能”為主題重磅亮相,攜旗艦產(chǎn)品及創(chuàng)新技術(shù)成果亮相
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:41 ?926次閱讀
    科士達(dá)<b class='flag-5'>領(lǐng)航</b>能源變革!全場景<b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>儲</b>充解決方案閃耀SNEC PV+

    330W氮化方案,可過EMC

    氮化
    深圳市三佛科技
    發(fā)布于 :2025年04月01日 11:31:39

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化(GaN)FET是常關(guān)器件
    發(fā)表于 03-31 14:26

    納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

    功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動器,通過單級BDS(雙向開關(guān))變換器實現(xiàn)電源技術(shù)范式躍遷。該技術(shù)將推動傳統(tǒng)雙級拓?fù)湎騿渭壖軜?gòu)轉(zhuǎn)型,目標(biāo)市場涵蓋電動汽車充電(車載充電機(jī)OBC及充電樁)、
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:49 ?2474次閱讀
    納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率芯片

    氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計技術(shù)手冊免費下載

    氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計.pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?:并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合,如牽引逆變器、可回
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:26 ?800次閱讀

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?3289次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?800次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    GANB4R8-040CBA雙向氮化(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-10 16:22 ?0次下載
    GANB4R<b class='flag-5'>8</b>-040CBA雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)FET規(guī)格書

    深圳銀聯(lián)寶科技氮化芯片2025年持續(xù)發(fā)力

    ,還不會占據(jù)過多空間,有助于設(shè)備的小型化設(shè)計。在充電器制造方面更是如此,如今消費者對充電器的便攜性要求越來越高,氮化芯片可以讓充電器在體積縮小的情況下,依然能夠
    的頭像 發(fā)表于 02-07 15:40 ?755次閱讀
    深圳銀聯(lián)寶科技<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>芯片2025年持續(xù)發(fā)力

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的散熱性能也使內(nèi)部原件排布可以更加精密,最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。很明顯,氮化就是我們要尋找的代替材料。 了解了各自的材質(zhì)特性,氮化
    發(fā)表于 01-15 16:41

    PI公司1700V氮化產(chǎn)品直播預(yù)告

    PI公司誠邀您報名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講,介紹新的氮化耐壓基準(zhǔn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 15:41 ?714次閱讀

    25W氮化電源芯片U8722BAS的主要特征

    在消費類快充電源市場中,氮化有著廣泛的應(yīng)用,如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化快充產(chǎn)品線,推出的
    的頭像 發(fā)表于 12-24 16:06 ?1034次閱讀

    英飛凌全新一代氮化產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者,氮化(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新,隨著氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-06 01:02 ?1180次閱讀
    英飛凌全新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    氮化晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化(GaN)晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比,每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片,技術(shù)和效率顯著提升。這一突破將極大地推動
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1999次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓在劃切過程中如何避免崩邊