在UPS不間斷電源中，高效的電能轉(zhuǎn)換依賴于核心功率器件的精準(zhǔn)選型。MOS管與IGBT常應(yīng)用于系統(tǒng)的不同電壓段與功能模塊，而MOS管憑借其極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，特別適配低壓不間斷電源。

今天我們要分享的這一款MOS管是能代換NCE82H140型號(hào)適用于低壓UPS不間斷電源中的。

FHP140N08V MOS管是飛虹半導(dǎo)體專門推廣可以很好用于UPS不間斷電源中的一款場(chǎng)效應(yīng)管。它具有140A、82V、4.3mΩ，正滿足不間斷電源的電路設(shè)計(jì)，而且能無縫代換NCE82H140場(chǎng)效應(yīng)管。

FHP140N08V采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)（Trench Technology），結(jié)合更優(yōu)的工藝條件、精細(xì)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，使產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通電阻并優(yōu)化了開關(guān)特性和可靠性。

在封裝上面，該晶體管屬于TO-220外形封裝，對(duì)于產(chǎn)品的散熱設(shè)計(jì)也是常用的封裝類型，適配市場(chǎng)大多數(shù)電路設(shè)計(jì)。

具體從FHP140N08V場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)可看：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2.9；ID（A）：140A；BVdss（V）：82V。靜態(tài)導(dǎo)通電阻RDS (on) = 4.3mΩ(max)@VGS =10V、RDS (on) = 5.2mΩ(typ)@VGS =10V。

正是上述參數(shù)，讓FHP140N08V場(chǎng)效應(yīng)管是能更好代換NCE82H140型號(hào)參數(shù)用于不間斷電源的電路。

FHP140N08V通過了100% UIS測(cè)試、100% Rg測(cè)試、100% DVDS瞬間熱阻測(cè)試等。

同時(shí)也通過采用特色的trench工藝，結(jié)合優(yōu)秀的封裝BOM材料，使產(chǎn)品擁有更高的可靠性,雪崩耐量高，抗沖擊性能強(qiáng)。

好產(chǎn)品才能占有更多市場(chǎng)，如研發(fā)中有選型的問題，歡迎溝通交流。需要選擇140A、82V、4.3mΩ的MOS管用于不間斷電源的選型問題，建議選用FHP140N08V場(chǎng)效應(yīng)管。

除參數(shù)適合外，飛虹的工程師還會(huì)提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測(cè)試服務(wù)。飛虹致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。除可提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。