聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1869瀏覽量
116746 -
microchip
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
1602瀏覽量
120126
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
NAND閃存芯片功能與應(yīng)用分析
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析: 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ):以電信號(hào)形式長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù),斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫:支持
NIST-800-88 建議SSD擦除標(biāo)準(zhǔn)
SSD、NVMe等閃存硬盤如何安全擦除?本文基于NIST SP-800-88r1標(biāo)準(zhǔn),詳解Clear、Purge、Secure Erase等方法,避免數(shù)據(jù)殘留風(fēng)險(xiǎn),確保企業(yè)數(shù)據(jù)安全合規(guī)。

stm32h563無(wú)法完全整片擦除怎么解決?
stm32cubeprogrammer v2.19.0
在做安全啟動(dòng)及升級(jí)的實(shí)驗(yàn)時(shí),采用DA回退實(shí)驗(yàn)?zāi)壳暗那闆r是,product state為open,但是整片擦除,可能還是有部分扇區(qū)因?yàn)閷懕Wo(hù)無(wú)法擦除。請(qǐng)問(wèn)option bytes還需要確定哪些配置,才能完全
發(fā)表于 07-10 06:20
什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash
處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。
耐用性
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的NAND塊尺寸要比
發(fā)表于 07-03 14:33

Flash閃存技術(shù)是什么?創(chuàng)世SD NAND Flash又有何獨(dú)特之處?#嵌入式開發(fā) #存儲(chǔ)芯片 #閃存
閃存
深圳市雷龍發(fā)展有限公司
發(fā)布于 :2025年06月05日 17:58:25
MPC5744P C55閃存驅(qū)動(dòng)程序,間歇擦除怎么解決?
我們正在調(diào)查閃存的特定部分未按預(yù)期擦除的兩個(gè)問(wèn)題。
我們使用的是 v.1.1.0 c-array 軟件驅(qū)動(dòng)程序,直到構(gòu)建了新一批硬件,才觀察到此問(wèn)題。MCU 具有掩碼集 1N15P 和日期代碼
發(fā)表于 04-10 06:55
STM32H523中FLASH扇區(qū)擦除到0x8020000后面時(shí)擦除不干凈,是什么原因?qū)е碌模?/a>
我使用的256K Flash的產(chǎn)品,使用的是HAL庫(kù)函數(shù)HAL_FLASHEx_Erase進(jìn)行連續(xù)扇區(qū)擦除,然后工程是CUBEMX生成的,flash_lantcy是5,擦除延時(shí)也對(duì)是2,擦除前幾個(gè)扇區(qū)的時(shí)候都是正常的,但是
發(fā)表于 03-07 07:55
DLP4500-C350REF用UM232H下載器擦除FLASH,點(diǎn)擦除就卡死了怎么解決?
DLP4500-C350REF用UM232H下載器擦除FLASH,到了擦除這一步就出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題,點(diǎn)擦除就卡死了,未響應(yīng),請(qǐng)問(wèn)怎么解決?
發(fā)表于 02-20 07:03
GD32G5x3閃存讀寫(RWW)特性介紹
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32G5x3閃存讀寫(RWW)特性介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-07 14:41
?0次下載

AN-0973: 超級(jí)時(shí)序控制器的EEPROM擦除和編程
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-0973: 超級(jí)時(shí)序控制器的EEPROM擦除和編程.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-09 13:43
?0次下載

1分鐘了解擦除AI服務(wù)器SAS硬盤:企業(yè)數(shù)據(jù)防泄密
本文深入探討了AI服務(wù)器中SAS硬盤的重要性,以及如何通過(guò)擦除技術(shù)確保企業(yè)數(shù)據(jù)安全并實(shí)現(xiàn)硬盤的再利用。了解SAS硬盤的性能優(yōu)勢(shì)、汰換策略、擦除技術(shù)的應(yīng)用,以及擦除后的硬盤如何用于資源回收、教育科研等。文章還提供了常見問(wèn)題解答,幫

PROM器件的編程和擦除方法
一次性編程,但一旦編程完成,數(shù)據(jù)就無(wú)法被擦除或修改。PROM器件通常由一系列的存儲(chǔ)單元組成,每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)(0或1)。這些存儲(chǔ)單元通過(guò)編程過(guò)程被設(shè)置為特定的狀態(tài),從而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 2. PROM器件的編程方法 PROM器件的編程方法主要有兩種
ROM芯片如何寫入和擦除
PROM。紫外線照射是一種常見的方法,它通過(guò)改變PROM中的熔絲結(jié)構(gòu)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電子方式則是通過(guò)編程器發(fā)送特定的電壓和電流信號(hào)來(lái)改變PROM中的存儲(chǔ)單元狀態(tài)。 擦除過(guò)程 :PROM一旦編程,就無(wú)法擦除。如果需要更改數(shù)據(jù),必須更換一個(gè)新的PROM芯片。 2. EPROM(可
評(píng)論