chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星8nm LPP工藝?yán)?Mentor Tessent 工具節(jié)省大量設(shè)計(jì)測(cè)試時(shí)間

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師1 ? 2018-05-29 04:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Mentor, a Siemens business 今天宣布,三星電子有限公司根據(jù)三星代工廠的 8nm LPP(低功耗 Plus)工藝對(duì) MentorTessent? 產(chǎn)品進(jìn)行了認(rèn)證。對(duì)于針對(duì)移動(dòng)通信、高速網(wǎng)絡(luò)/服務(wù)器計(jì)算、加密貨幣和自動(dòng)駕駛等市場(chǎng)的特大型設(shè)計(jì),這些工具可大幅縮短設(shè)計(jì)和測(cè)試時(shí)間。

當(dāng)今領(lǐng)先半導(dǎo)體器件的特大型設(shè)計(jì)可能會(huì)因需要大量計(jì)算資源、測(cè)試向量生成時(shí)間太長(zhǎng)或在設(shè)計(jì)流程中執(zhí)行得太晚而受到拖累。TessentTestKompress? 工具通過(guò)提供采用層次化可測(cè)試性設(shè)計(jì) (DFT) 方法的自動(dòng)功能來(lái)解決這些問(wèn)題。三星代工廠解決方案參考流程包括在寄存器傳輸級(jí) (RTL) 設(shè)計(jì)階段早期自動(dòng)插入的 TestKompress 掃描壓縮邏輯控制器和 Tessent ScanPro 片上時(shí)鐘控制器。只要內(nèi)核設(shè)計(jì)準(zhǔn)備就緒,Tessent TestKompress 即可用于在設(shè)計(jì)流程早期創(chuàng)建該內(nèi)核的測(cè)試向量。這些測(cè)試向量可直接重復(fù)使用,并自動(dòng)重定向到全芯片設(shè)計(jì)。因此,可將用于自動(dòng)測(cè)試模式生成 (ATPG) 的計(jì)算資源和 ATPG 運(yùn)行時(shí)間提高一個(gè)數(shù)量級(jí)。Tessent 層次化 DFT 流程中不需要完整的器件網(wǎng)表。

“在 EUV 時(shí)代之前推出的這些工藝中,從性能、功耗和面積方面考慮,我們的 8LPP 都是最佳之選?!比请娮哟な袌?chǎng)營(yíng)銷副總裁 Ryan Lee 說(shuō)道?!拔覀兣c Mentor 長(zhǎng)期合作,這將使我們的 8LPP 對(duì)雙方客戶而言更具吸引力。Mentor 的 Tessent TestKompress 層次化 DFT 解決方案是此類技術(shù)的一個(gè)例子,將節(jié)省大量測(cè)試生成周轉(zhuǎn)時(shí)間?!?/p>

Tessent TestKompress 工具用于將掃描數(shù)據(jù)輸入共享到 MCP(多核處理器)設(shè)計(jì)中的眾設(shè)計(jì)內(nèi)核。共享輸入管腳可實(shí)現(xiàn)更高級(jí)別的測(cè)試向量壓縮,而這關(guān)系到降低生產(chǎn)測(cè)試成本。Tessent Diagnosis 和 TessentYieldInsight? 工具用于查找系統(tǒng)性良率限制因素并提高制造良率。這些工具包括執(zhí)行反向模式映射的自動(dòng)化,可令失效生產(chǎn)模式直接映射到與其相關(guān)的層次化模塊。對(duì)目標(biāo)模塊執(zhí)行診斷可以大大縮短診斷時(shí)間,減少計(jì)算資源。

“規(guī)模更大且更加復(fù)雜的設(shè)計(jì)需要額外的 DFT 和自動(dòng)化才能滿足上市時(shí)間和測(cè)試成本要求,而借助三星代工廠的 8LPP 便可以實(shí)現(xiàn)?!盡entor Tessent產(chǎn)品系列營(yíng)銷總監(jiān) Brady Benware 說(shuō)道?!霸搮⒖剂鞒讨械年P(guān)鍵功能,如層次化 DFT,目前被業(yè)界廣泛采用,對(duì)于此新工藝技術(shù)的成功至關(guān)重要。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266733
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15897

    瀏覽量

    183237
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    大突破!三星產(chǎn)出10nm以下DRAM

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日消息,三星電子已經(jīng)成功產(chǎn)出全球首個(gè)10納米以下制程的DRAM工程裸晶(Working Die)。這一里程碑式的成果,標(biāo)志著DRAM制造工藝首次正式邁入個(gè)位數(shù)納米時(shí)代
    的頭像 發(fā)表于 04-28 09:10 ?1757次閱讀
    大突破!<b class='flag-5'>三星</b>產(chǎn)出10<b class='flag-5'>nm</b>以下DRAM

    貞光科技代理品牌三星電容 CL31B475KBHVPNE #三星電容代理商 #三星電容 #三星電機(jī)

    三星電機(jī)
    貞光科技
    發(fā)布于 :2026年04月28日 17:05:16

    三星力爭(zhēng)2030年量產(chǎn)1nm芯片,引入“fork sheet”新結(jié)構(gòu)

    在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門正全力沖刺,計(jì)劃在2030年前推出1nm工藝,這一技術(shù)被譽(yù)為“夢(mèng)想半導(dǎo)體”工藝,每個(gè)計(jì)算單元大小僅相當(dāng)于五個(gè)原子。此舉目標(biāo)明確,直指與
    的頭像 發(fā)表于 04-01 18:47 ?301次閱讀

    三星2nm良率提升至50%,2027年前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利可期

    據(jù)報(bào)道,三星電子第一代2nm GAA制程(SF2)良率已穩(wěn)定在50%,該數(shù)據(jù)也通過(guò)其量產(chǎn)的Exynos 2600處理器得到印證。
    的頭像 發(fā)表于 01-19 18:16 ?3573次閱讀

    三星電容的紋波電流承受能力如何?

    三星電容的紋波電流承受能力需結(jié)合具體型號(hào)分析,其產(chǎn)品通常通過(guò)材料優(yōu)化、工藝改進(jìn)和嚴(yán)格測(cè)試來(lái)提升性能,但需根據(jù)規(guī)格書(shū)確認(rèn)具體參數(shù)。以下為詳細(xì)分析: 一、三星電容的紋波電流承受能力基礎(chǔ) 紋
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:31 ?309次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電容的紋波電流承受能力如何?

    三星發(fā)布Exynos 2600,全球首款2nm SoC,NPU性能提升113%

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡,它不僅是三星首款2nm芯片,更是全球首款采用2納米(2nm)全環(huán)繞柵極(GAA)
    的頭像 發(fā)表于 12-25 08:56 ?9090次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>發(fā)布Exynos 2600,全球首款2<b class='flag-5'>nm</b> SoC,NPU性能提升113%

    三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)

    三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),相比第二代3nm
    的頭像 發(fā)表于 11-19 15:34 ?1398次閱讀

    0201三星貼片電容的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用

    三星0201貼片電容憑借0.50mm×0.25mm的極致尺寸(部分批次為0.6mm×0.3mm),在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能集成,成為推動(dòng)電子設(shè)備小型化與功能升級(jí)的關(guān)鍵元件。 0201三星貼片電容的優(yōu)勢(shì)
    的頭像 發(fā)表于 11-12 15:10 ?748次閱讀
    0201<b class='flag-5'>三星</b>貼片電容的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用

    全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600

    據(jù)外媒韓國(guó)媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動(dòng) SoC 芯片,目
    的頭像 發(fā)表于 09-04 17:52 ?2872次閱讀

    今日看點(diǎn)丨三星美國(guó)廠2nm產(chǎn)線運(yùn)作;《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識(shí)辦法》正式生效

    三星美國(guó)廠2nm 產(chǎn)線運(yùn)作 美國(guó)2nm晶圓代工廠近期再添生力軍,在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下,原本暫緩的三星美國(guó)德州新廠2nm產(chǎn)線近期傳
    發(fā)表于 09-02 11:26 ?1944次閱讀

    三星s8把無(wú)線充電模塊拆掉影響正常使用嗎?

    三星S8無(wú)線充電模塊拆除影響功能、穩(wěn)定性及維修成本,需謹(jǐn)慎操作。
    的頭像 發(fā)表于 08-04 08:11 ?1531次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>s<b class='flag-5'>8</b>把無(wú)線充電模塊拆掉影響正常使用嗎?

    三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

    我們來(lái)看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試
    的頭像 發(fā)表于 07-31 19:47 ?1991次閱讀

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年

    在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2
    的頭像 發(fā)表于 07-03 15:56 ?1024次閱讀

    三星MLCC電容的微型化技術(shù),如何推動(dòng)電子產(chǎn)品輕薄化?

    三星MLCC電容的微型化技術(shù)通過(guò)減小元件尺寸、提升單位體積容量、優(yōu)化電路板空間利用率及支持高頻高容量需求,直接推動(dòng)了電子產(chǎn)品的輕薄化進(jìn)程,具體如下: 1、先進(jìn)的材料與工藝三星采用高
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:30 ?963次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>MLCC電容的微型化技術(shù),如何推動(dòng)電子產(chǎn)品輕薄化?

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    Galaxy S系列指紋排線、三星Galaxy Note系列指紋排線、三星Galaxy Fold系列指紋排線、三星Galaxy A系列指紋排線、三星W系列指紋排線。 同時(shí)本公司
    發(fā)表于 05-19 10:05