chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星8nm LPP工藝?yán)?Mentor Tessent 工具節(jié)省大量設(shè)計測試時間

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師1 ? 2018-05-29 04:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Mentor, a Siemens business 今天宣布,三星電子有限公司根據(jù)三星代工廠的 8nm LPP(低功耗 Plus)工藝對 MentorTessent? 產(chǎn)品進(jìn)行了認(rèn)證。對于針對移動通信、高速網(wǎng)絡(luò)/服務(wù)器計算、加密貨幣和自動駕駛等市場的特大型設(shè)計,這些工具可大幅縮短設(shè)計和測試時間。

當(dāng)今領(lǐng)先半導(dǎo)體器件的特大型設(shè)計可能會因需要大量計算資源、測試向量生成時間太長或在設(shè)計流程中執(zhí)行得太晚而受到拖累。TessentTestKompress? 工具通過提供采用層次化可測試性設(shè)計 (DFT) 方法的自動功能來解決這些問題。三星代工廠解決方案參考流程包括在寄存器傳輸級 (RTL) 設(shè)計階段早期自動插入的 TestKompress 掃描壓縮邏輯控制器和 Tessent ScanPro 片上時鐘控制器。只要內(nèi)核設(shè)計準(zhǔn)備就緒,Tessent TestKompress 即可用于在設(shè)計流程早期創(chuàng)建該內(nèi)核的測試向量。這些測試向量可直接重復(fù)使用,并自動重定向到全芯片設(shè)計。因此,可將用于自動測試模式生成 (ATPG) 的計算資源和 ATPG 運行時間提高一個數(shù)量級。Tessent 層次化 DFT 流程中不需要完整的器件網(wǎng)表。

“在 EUV 時代之前推出的這些工藝中,從性能、功耗和面積方面考慮,我們的 8LPP 都是最佳之選?!比请娮哟な袌鰻I銷副總裁 Ryan Lee 說道?!拔覀兣c Mentor 長期合作,這將使我們的 8LPP 對雙方客戶而言更具吸引力。Mentor 的 Tessent TestKompress 層次化 DFT 解決方案是此類技術(shù)的一個例子,將節(jié)省大量測試生成周轉(zhuǎn)時間?!?/p>

Tessent TestKompress 工具用于將掃描數(shù)據(jù)輸入共享到 MCP(多核處理器)設(shè)計中的眾設(shè)計內(nèi)核。共享輸入管腳可實現(xiàn)更高級別的測試向量壓縮,而這關(guān)系到降低生產(chǎn)測試成本。Tessent Diagnosis 和 TessentYieldInsight? 工具用于查找系統(tǒng)性良率限制因素并提高制造良率。這些工具包括執(zhí)行反向模式映射的自動化,可令失效生產(chǎn)模式直接映射到與其相關(guān)的層次化模塊。對目標(biāo)模塊執(zhí)行診斷可以大大縮短診斷時間,減少計算資源。

“規(guī)模更大且更加復(fù)雜的設(shè)計需要額外的 DFT 和自動化才能滿足上市時間和測試成本要求,而借助三星代工廠的 8LPP 便可以實現(xiàn)?!盡entor Tessent產(chǎn)品系列營銷總監(jiān) Brady Benware 說道?!霸搮⒖剂鞒讨械年P(guān)鍵功能,如層次化 DFT,目前被業(yè)界廣泛采用,對于此新工藝技術(shù)的成功至關(guān)重要。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29639

    瀏覽量

    253998
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182774
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

    我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測試
    的頭像 發(fā)表于 07-31 19:47 ?1355次閱讀

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年

    在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2
    的頭像 發(fā)表于 07-03 15:56 ?502次閱讀

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    Galaxy S系列指紋排線、三星Galaxy Note系列指紋排線、三星Galaxy Fold系列指紋排線、三星Galaxy A系列指紋排線、三星W系列指紋排線。 同時本公司
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)?b class='flag-5'>時間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40
    發(fā)表于 04-18 10:52

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?據(jù)多方消息來源推測,三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝三星在?“Samsung?Foundry?Forum?20
    的頭像 發(fā)表于 03-23 11:17 ?1628次閱讀

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 據(jù)多方消息來源推測,三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 20
    的頭像 發(fā)表于 03-22 00:02 ?2236次閱讀

    三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

    據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.3w次閱讀

    三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道

    DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn),并從頭開始設(shè)計新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對此表示否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?780次閱讀

    三星2025年晶圓代工投資減半

    工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面,三星計劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2nm
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:32 ?907次閱讀

    三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM

    問題,在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時,從頭設(shè)計新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關(guān)媒體表示相關(guān)報道不準(zhǔn)確。盡管三星
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1186次閱讀

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

    據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?831次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?915次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計,應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1210次閱讀

    三星芯片代工新掌門:先進(jìn)與成熟制程并重

    制程與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實力。 同時,韓真晚也提到了三星電子在GAA
    的頭像 發(fā)表于 12-10 13:40 ?1029次閱讀

    銳成芯微推出基于8nm工藝的PVT Sensor IP

    近日,銳成芯微基于8nm工藝工藝、電壓、溫度傳感IP(PVT Sensor IP,下同)完成硅測試,驗證結(jié)果展現(xiàn)出了其優(yōu)異的性能,未來將為客戶在先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 11-08 16:17 ?886次閱讀