電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)業(yè)界消息，三星電子、SK海力士、美光均已完成DDR6規(guī)格的初期原型開發(fā)，正與英特爾、AMD、英偉達等CPU/GPU廠商共同推進平臺驗證。當前目標性能為8800MT/s，后續(xù)計劃提升至17600MT/s，達到現(xiàn)行DDR5最高速度（約8000MT/s）的兩倍以上。

2024 年，JEDEC 開始著手研究下一代內(nèi)存標準 DDR6，目標是為存儲器領域帶來更快的讀寫速度和更高的性能。2024年底，JEDEC完成了DDR6主要草案標準，為后續(xù)標準的正式發(fā)布奠定了基礎。

根據(jù)規(guī)劃，DDR6將于2026年完成平臺認證，2027年率先在服務器市場商用，隨后向高端筆記本等消費級市場擴展。

DDR6采用4×24-bit子通道架構(gòu)，相較于DDR5的2×32-bit通道設計，能提高并行處理能力、數(shù)據(jù)流量和帶寬利用率。CAMM2 標準正逐漸成為DDR6時代的重要接口方案，與傳統(tǒng)的DIMM和SO-DIMM相比，有望帶來更佳的性能、更高的容量和更高的效率。其具有高帶寬、高集成度、低信號干擾和緊湊薄型的設計特點，可有效克服 DDR5 時代 288 針 DIMM 插槽在擴展性與電氣性能上的瓶頸。

CAMM2 模塊已經(jīng)成為存儲廠商爭相拓展的新產(chǎn)品。例如，華碩和芝奇展示了一款以 DDR5-10000 速度運行的 64GB CAMM2 模塊。為滿足日漸增長的端側(cè)AI需求，實現(xiàn)大語言模型的端側(cè)運行，江波龍推出了LPCAMM2、CAMM2等內(nèi)存新形態(tài)產(chǎn)品，該產(chǎn)品成功打通了PC和手機的應用場景，在性能、能效和空間利用上均實現(xiàn)了顯著提升，幫助客戶打造更輕薄、長續(xù)航、高性能的設備，為公司消費級存儲業(yè)務拓展提供強有力的產(chǎn)品支撐。

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2024年第四季度DDR5在服務器DRAM市場的滲透率已達45%，2025年將提升至65%，PC端滲透率則從35%躍升至55%。

聚辰股份表示，通常認為DDR5內(nèi)存模組在服務器領域的滲透率較個人電腦領域更高一些，市場估算DDR5內(nèi)存模組到2024年的滲透率水平在40%-50%左右；DDR5內(nèi)存模組于2021年第四季度方正式商用，根據(jù)第三方資料，DDR內(nèi)存模組從歷史上看，其每個代際的周期大約跨越十年，弗若斯特沙利文預計DDR5內(nèi)存模組到2030年在服務器領域的占比仍維持在95%左右。

受人工智能（AI）算力爆發(fā)及行業(yè)技術迭代的雙重驅(qū)動，DDR5從服務器/HPC領域加速滲透，而業(yè)界預計這一爆發(fā)態(tài)勢將加速DDR6的普及進程。