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瑞薩RZ/G2L MPU的DDR配置(1)

瑞薩嵌入式小百科 ? 來源:瑞薩MCU小百科 ? 2025-08-04 13:40 ? 次閱讀
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RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55(1.2GHz)CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器(H.264)。此外,這款微處理器還配備有大量接口,如攝像頭輸入、顯示輸出、USB2.0和千兆以太網(wǎng),因此特別適用于入門級(jí)工業(yè)人機(jī)界面(HMI)和具有視頻功能的嵌入式設(shè)備等應(yīng)用。

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目錄

RZ/G2L的DDR配置

1. RZ/G2L對(duì)DDR的支持

1.1 RZ/G2L支持的DDR類型

1.2 RZ/G2L DDR控制器的相關(guān)硬件特性

1.3 RZ/G2L DDR控制器ECC功能介紹

2. DDR3和DDR4的背景技術(shù)介紹

2.1 DDR3

2.2 DDR4

2.3 DDR3L

2.4 DDR3L和DDR4的技術(shù)特點(diǎn)和區(qū)別

3. DDR配置工具使用流程(以RZ/G2L為例)

3.1 配置工具介紹

3.2 使用前準(zhǔn)備

3.3 具體使用步驟

3.3.1 01_Condition與02_Connection表的選擇

3.3.2 03_Topology表的選擇

3.3.3 05_CA_Remap表操作

3.3.4 GenParam表操作

3.3.5 生成配置文件

3.4 使用技巧與注意事項(xiàng)

4. 總結(jié)

1RZ/G2L對(duì)DDR的支持

1.1RZ/G2L支持的DDR類型

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RZ/G2L-LC-UL型號(hào)的MPU處理器在內(nèi)存適配這塊還是比較靈活的,他們的DRAM IF/MC/PYH模塊是一樣的,配置工具因此是通用的,支持DDR3L和DDR4兩種類型的DDR內(nèi)存。

DDR3L是DDR3的低電壓版本,工作電壓為1.35V,在RZ/G2L中,其數(shù)據(jù)傳輸速率范圍為800-1333Mbps(對(duì)應(yīng)400-666MHz)。較低的工作電壓使其在功耗控制上更具優(yōu)勢(shì),適用于對(duì)功耗敏感的嵌入式設(shè)備場(chǎng)景,如便攜式工業(yè)控制終端、移動(dòng)數(shù)據(jù)采集設(shè)備等。

DDR4則是新一代的內(nèi)存技術(shù),工作電壓進(jìn)一步降低至1.2V,在RZ/G2L上支持的傳輸速率為1333-1600Mbps(666-800MHz)。更高的傳輸速率和更低的功耗,使其在處理復(fù)雜計(jì)算任務(wù)和大數(shù)據(jù)量傳輸時(shí)表現(xiàn)更為出色,適合于對(duì)性能要求較高的應(yīng)用,如邊緣計(jì)算設(shè)備、高端工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)等。

此外,兩種內(nèi)存均支持16位的數(shù)據(jù),可根據(jù)實(shí)際需求選擇全寬(16bits)或半寬(8bits)數(shù)據(jù)寬度模式,同時(shí)支持單Rank(Rank:1)或雙Rank(Rank:2)的配置,滿足不同內(nèi)存容量和性能的需求。

1.2RZ/G2L DDR控制器的相關(guān)硬件特性

RZ/G2L的DDR相關(guān)硬件架構(gòu)由多個(gè)關(guān)鍵模塊協(xié)同工作,共同保障內(nèi)存數(shù)據(jù)的高效傳輸與穩(wěn)定運(yùn)行。

內(nèi)存控制器(MC)采用全流水線設(shè)計(jì),為命令、讀寫數(shù)據(jù)提供了高效的接口通道。這種設(shè)計(jì)使得內(nèi)存訪問指令能夠以流水線的方式快速處理,極大地提高了內(nèi)存數(shù)據(jù)的吞吐量。同時(shí),它具備先進(jìn)的bank look-ahead特性,能夠提前預(yù)測(cè)內(nèi)存訪問模式,優(yōu)化數(shù)據(jù)讀取和寫入順序,進(jìn)一步提升內(nèi)存訪問效率。

通過可編程寄存器接口,開發(fā)者可以靈活地控制內(nèi)存參數(shù)和協(xié)議,包括自動(dòng)預(yù)充電功能,該功能能夠在內(nèi)存操作完成后自動(dòng)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)充電,為下一次操作做好準(zhǔn)備,減少等待時(shí)間。在控制器復(fù)位時(shí),內(nèi)存能夠?qū)崿F(xiàn)全面初始化,確保系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)內(nèi)存狀態(tài)的一致性和準(zhǔn)確性。

物理層(PHY)集成了多種重要功能。寫均衡(Write Leveling)功能能夠調(diào)整數(shù)據(jù)寫入時(shí)的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)信號(hào)的相位關(guān)系,確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確寫入內(nèi)存單元;位校準(zhǔn)(Bit Leveling)用于校準(zhǔn)數(shù)據(jù)信號(hào)(DQS)與數(shù)據(jù)(DQ/DM)之間的相位差,保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性;Vref訓(xùn)練(Read and Write)則通過自動(dòng)調(diào)整參考電壓,優(yōu)化數(shù)據(jù)讀寫時(shí)的信號(hào)質(zhì)量;自校準(zhǔn)邏輯(Self Calibratio Logic)能夠調(diào)整讀取數(shù)據(jù)與內(nèi)部時(shí)鐘的相位關(guān)系,確保數(shù)據(jù)讀取的準(zhǔn)確性;命令/地址交織(Command/Address Swizzling)功能通過優(yōu)化地址映射,提高內(nèi)存訪問效率,增強(qiáng)系統(tǒng)整體性能。

1.3RZ/G2L DDR控制器ECC功能介紹

RZ/G2L的ECC(糾錯(cuò)碼)功能是保障數(shù)據(jù)可靠性的重要機(jī)制。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸過程中,由于各種因素的干擾,數(shù)據(jù)可能會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤,ECC功能能夠有效地檢測(cè)和糾正這些錯(cuò)誤。

對(duì)于單比特錯(cuò)誤,ECC可以自動(dòng)檢測(cè)并進(jìn)行糾正,確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。在雙比特錯(cuò)誤發(fā)生時(shí),ECC能夠及時(shí)報(bào)告錯(cuò)誤信息,雖然無法直接糾正,但可以讓系統(tǒng)采取相應(yīng)的措施,如重新讀取數(shù)據(jù)或進(jìn)行錯(cuò)誤處理,避免錯(cuò)誤數(shù)據(jù)對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

此外,ECC功能還支持可編程的ECC存儲(chǔ)移除,開發(fā)者可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景和需求,靈活地選擇啟用或關(guān)閉ECC功能,在對(duì)數(shù)據(jù)可靠性要求不高且希望降低系統(tǒng)資源占用的情況下,可以關(guān)閉ECC功能,從而節(jié)省內(nèi)存空間和計(jì)算資源。

結(jié)語

敬請(qǐng)期待

精彩尚未結(jié)束,下一期我們將深入探討——DDR3和DDR4的背景技術(shù)介紹,敬請(qǐng)期待!

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