Texas Instruments LM5185EVM-SIO評估模塊有助于對LM5185-Q1控制器的功能和性能進(jìn)行廣泛評估。LM5185-Q1初級側(cè)調(diào)節(jié) (PSR) 反激控制器具有可調(diào)節(jié)環(huán)路補(bǔ)償和電流限制。TI LM5185EVM-SIO評估模塊可對變壓器初級繞組的電壓進(jìn)行采樣，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的輸出穩(wěn)壓，無需使用光耦合器或三級偏置繞組。該器件的輸入電壓范圍為20V至60V，輸出為16.4V，額定負(fù)載為1A。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LM5185EVM-SIO 驅(qū)動評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 寬輸入電壓范圍（默認(rèn)20V至60V，可擴(kuò)展6V至90V）
• 無需光耦合器對隔離輸出的嚴(yán)格電壓穩(wěn)壓：16.4V±1.5%
• 峰值轉(zhuǎn)換效率>90%
• 免去光耦合器和變壓器輔助繞組可縮減解決方案尺寸和成本。
• 可編程環(huán)路補(bǔ)償、電流限制、輸入U(xiǎn)VLO和熱補(bǔ)償可實(shí)現(xiàn)靈活且優(yōu)化的設(shè)計(jì)

應(yīng)用

• 牽引逆變器
• 車載充電器 (OBC)
• HEV/EV HVAC和加熱器
• 微型逆變器
• 電機(jī)驅(qū)動器
• 電池管理系統(tǒng) (BMS)
• 通用IGBT、MOSFET、GaN和SiC柵極驅(qū)動器
• POE PD直流-直流轉(zhuǎn)換器
• 適用于工業(yè)和電信系統(tǒng)的通用隔離偏置電源軌

布局