基于IICA0的EEPROM讀寫
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利用I2C接口采用輪詢方式讀寫EEPROM芯片
利用I2C接口，采用輪詢方式讀寫EEPROM芯片
#define TESTI2C2 //I2C1 = 1I2C2 = 2
#defineI2C1_SCL_GPIO_PORT CW_GPIOB
發(fā)表于 01-23 06:00
EEPROM的相關(guān)問題
1.Q：CW24C系列的EEPROM的擦寫次數(shù)是多少次？
A：CW24C系列的EEPROM采用Double-cell架構(gòu)，極大的提高了EEPROM的可靠性和擦寫壽命，其擦寫為500萬次。
2.Q
發(fā)表于 12-15 07:56
CW32單片機(jī)I2C接口來讀寫EEPROM芯片
u8State = 0;
uint8_t receivedflag = 0; //讀取完成標(biāo)志
6.主程序：利用I2C接口，采用中斷方式讀寫EEPROM芯片（CW24C02）。
發(fā)表于 12-09 07:43
基于CW32 MCU的I2C接口優(yōu)化穩(wěn)定讀寫EEPROM關(guān)鍵技術(shù)
問題，實(shí)現(xiàn)多個(gè)EEPROM設(shè)備的穩(wěn)定讀寫操作。
通過這些優(yōu)化技術(shù)，能夠有效提升CW32 MCU在I2C通信中的穩(wěn)定性和可靠性，確保在復(fù)雜環(huán)境下的數(shù)據(jù)傳輸安全和穩(wěn)定。
發(fā)表于 12-03 07:29
把CW32L010用FLASH模擬EEPROM
;
u16 FEE_data[5]={100,200,300,400,500}; // eeprom變量數(shù)組，通過函數(shù)讀寫。eeprom變量名稱→枚舉名→數(shù)組下標(biāo)
int main(void
發(fā)表于 11-24 07:40
基于onsemi NV250x0LV系列EEPROM數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NV250x0LV低電壓車規(guī)級(jí)一級(jí)串行EEPROM是1Kb、2Kb和4Kb SPI串行EEPROM器件，內(nèi)部分別組織為128×8、256×8和512×8位。安森美
?STM32 EEPROM存儲(chǔ)擴(kuò)展板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics X-NUCLEO-EEICA1 I2C EEPROM存儲(chǔ)器擴(kuò)展板非常適合用于M24256E-F和M24M01E-F系列I^2^C EEPROM
FLASH模擬EEPROM入門指南
，需通過現(xiàn)有資源實(shí)現(xiàn)類似功能。
技術(shù)可行性：利用FLASH的非易失性特性，通過軟件算法模擬EEPROM的字節(jié)級(jí)讀寫能力。
核心差異與挑戰(zhàn)
物理限制：FLASH需按扇區(qū)/頁(yè)擦除且寫入前必須全擦除為
發(fā)表于 08-14 06:13
【沁恒CH585開發(fā)板免費(fèi)試用體驗(yàn)】I2C 讀寫EEPROM (三)
字節(jié)，高7bit是地址，bit0是讀寫控制位，0表示寫，1表示讀 */
I2C_SendByte(EEPROM_DEV_ADDR | I2C_RD); /* 此處是讀指令 */
發(fā)表于 08-05 22:25
【沁恒CH585開發(fā)板免費(fèi)試用體驗(yàn)】I2C 讀寫EEPROM (二)
(I2C_FLAG_BUSY) != RESET);
}
主要配置I2C模式、低電平占空比、I2C尋址模式以及通信速率，最后使能I2C設(shè)備。
初始化完成后就是對(duì)AT24C02的讀寫操作，嚴(yán)格按照相應(yīng)的時(shí)序操作就行
發(fā)表于 08-05 22:13
求助，關(guān)于STM32F407的flash讀寫問題求解
目前flash模擬EEPROM是參考的官方的flash讀寫代碼，但C語(yǔ)言中attribute ((at())絕對(duì)定位的應(yīng)用
網(wǎng)上的一段代碼如下
1、定位到flash中，一般用于固化的信息，如出廠設(shè)置
發(fā)表于 07-18 07:14
FLASH模擬EEPROM
FLASH 模擬 EEPROM 原理
2.1 EERPOM 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)
由于 FLASH 在寫入數(shù)據(jù)前，需要將 FLASH 數(shù)據(jù)先擦除為 0xFF，而 FLASH 擦除時(shí)通常為扇區(qū)擦除，例如
發(fā)表于 07-16 15:13
第二十九章 讀寫內(nèi)部FLASH
本文介紹了W55MH32內(nèi)部FLASH，其含主存儲(chǔ)、系統(tǒng)存儲(chǔ)等，可存儲(chǔ)代碼及掉電保存數(shù)據(jù)。讀寫需解鎖、擦除頁(yè)等步驟，標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)提供相關(guān)函數(shù)。還展示了擦除編程測(cè)試及模擬EEPROM讀寫的實(shí)驗(yàn)。
CY7C68016固件無法從EEPROM啟動(dòng)的原因？
參照AN61345的文件，已經(jīng)成功將接口程序調(diào)試完畢?，F(xiàn)在遇到一個(gè)問題，68016中的固件程序只能通過RAM的方式運(yùn)行，詳細(xì)說明如下：
1、將SLAVE.IIC文件下載到EEPROM中，軟件顯示下載
發(fā)表于 06-03 09:38
Cyusb3014接一塊I2C eeprom的情況下，A0、A1、A2的地址要設(shè)置嗎？
請(qǐng)問一下，Cyusb3014接一塊I2C eeprom的情況下，A0、A1、A2的地址要設(shè)置嗎？我在控制中心以及elf2img中沒有發(fā)現(xiàn)設(shè)置I2C地址的地方，那應(yīng)該就是說bootloader默認(rèn)
發(fā)表于 05-12 07:19
工商網(wǎng)監(jiān)
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