該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過(guò)在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉FET和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。

可編程導(dǎo)通壓擺率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻相比，低側(cè)電流檢測(cè)仿真降低了功耗，并允許將低側(cè)導(dǎo)熱墊連接到PCB電源接地。
*附件：lmg2656.pdf

高側(cè) GaN 功率 FET 可以通過(guò)低側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 （INH） 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 （GDH） 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開(kāi)關(guān)環(huán)境中，高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器可靠地將 INH 引腳信號(hào)傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。智能開(kāi)關(guān)GaN自舉FET無(wú)二極管正向壓降，避免了高側(cè)電源過(guò)充電，并且反向恢復(fù)電荷為零。

該LMG2656支持轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式作，具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間。保護(hù)功能包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 （UVLO）、逐周期電流限制和過(guò)溫關(guān)斷。超低壓擺率設(shè)置支持電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

特性

• 650V GaN功率-FET半橋
• 230mΩ低側(cè)和高側(cè)GaN FET
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 <100ns 的低傳播延遲
• 可編程導(dǎo)通壓擺率控制
• 具有高帶寬和高精度的電流檢測(cè)仿真
• 低側(cè)參考 （INH） 和高側(cè)參考 （GDH） 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳
• 低側(cè) （INL） / 高側(cè) （INH） 柵極驅(qū)動(dòng)聯(lián)鎖
• 高側(cè) （INH） 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
• 智能開(kāi)關(guān)自舉二極管功能
• 高側(cè)啟動(dòng)：<8μs
• 低側(cè)/高側(cè)逐周期過(guò)流保護(hù)
• 過(guò)溫保護(hù)
• AUX空閑靜態(tài)電流：250μA
• AUX待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
• BST 空閑靜態(tài)電流：70μA
• 8mm × 6mm QFN 封裝，帶雙導(dǎo)熱墊

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LMG2656是德州儀器（TI）推出的高集成度650V/230mΩ氮化鎵（GaN）半橋功率器件，集成功率FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、電流感應(yīng)仿真、電平轉(zhuǎn)換器和自舉二極管功能，采用8mm×6mm QFN封裝。主要面向AC/DC適配器、充電器、輔助電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。

?2. 核心特性?

• ?電氣參數(shù)?
  • 650V耐壓，低/高邊GaN FET導(dǎo)通電阻均為230mΩ（典型值@25°C）。
  • 集成柵極驅(qū)動(dòng)器，傳播延遲<100ns，支持可編程導(dǎo)通斜率控制（4檔可調(diào)）。
  • 高精度電流感應(yīng)仿真功能，帶寬高且無(wú)需外部分流電阻。
• ?保護(hù)功能?
  • 低/高邊逐周期過(guò)流保護(hù)（閾值3.5–4.3A）。
  • 過(guò)溫保護(hù)（閾值150–165°C）。
  • 低/高邊欠壓鎖定（UVLO）及互鎖邏輯。
• ?能效優(yōu)化?
  • 待機(jī)靜態(tài)電流低至50μA（AUX），支持輕載能效需求。
  • 自舉GaN FET無(wú)二極管壓降，提升充電效率。

?3. 應(yīng)用設(shè)計(jì)支持?

• ?典型應(yīng)用電路?
  • LLC諧振轉(zhuǎn)換器（140W示例）、AHB轉(zhuǎn)換器（65W示例）及電機(jī)驅(qū)動(dòng)（5A示例）。
  • 提供布局指南，強(qiáng)調(diào)功率環(huán)路最小化及信號(hào)地分離。
• ?關(guān)鍵設(shè)計(jì)要點(diǎn)?
  • ?自舉電路?：建議BST-SW電容≥10nF，AUX電容≥3倍BST電容。
  • ?電流感應(yīng)?：CS引腳輸出增益1.415mA/A，需外接電阻轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。
  • ?散熱設(shè)計(jì)?：雙面散熱焊盤，推薦PCB熱阻θJA為23°C/W。

?4. 封裝與訂購(gòu)信息?

• 19引腳VQFN封裝（RFB），符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，MSL3級(jí)濕度敏感。
• 型號(hào)示例：LMG2656RFBR（卷帶包裝，2000片/卷）。

?5. 文檔支持?

• 包含詳細(xì)電氣特性表、開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試方法及典型性能曲線。
• 提供機(jī)械封裝圖紙（如RFB0019A）、焊盤布局示例及鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)建議。

該手冊(cè)為設(shè)計(jì)高密度、高效率電源系統(tǒng)提供完整解決方案，強(qiáng)調(diào)GaN技術(shù)在高頻、高壓應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。