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TPS546B24S同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-08 10:18 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS546B24S同步SWIFT?降壓轉(zhuǎn)換器是一款高度集成、高達(dá)4倍可堆疊的非隔離直流/直流轉(zhuǎn)換器,具有PmBus^?^ 和擴(kuò)展寫保護(hù)。該降壓轉(zhuǎn)換器提供 2.95V至18V輸入電壓范圍、 12個(gè)可選開(kāi)關(guān)頻率(從225kHz至1.5MHz)以及 20A輸出電流。如果與兩個(gè)、三個(gè)和四個(gè)其他TPS546B24S轉(zhuǎn)換器相連,TPS546B24S轉(zhuǎn)換器可以在單個(gè)輸出上提供高達(dá)80A的電流。該降壓轉(zhuǎn)換器具有集成的5.5mΩ/1.8mΩ MOSFET,并通過(guò)引腳搭接可選擇0.5V至5.5V的輸出,或使用PMBus VOUT_COMMAND選擇0.25V至5.5V的輸出。TPS546B24S轉(zhuǎn)換器使用專有的固定頻率電流模式控制,具有輸入前饋和可選的內(nèi)部補(bǔ)償元件,可更大限度減小尺寸和提高穩(wěn)定性。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TPS546B24S同步SWIFT?降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

TPS546B24S轉(zhuǎn)換器通過(guò)添加制造商特定的PmBus^?^ 命令以及擴(kuò)展寫保護(hù)和密鑰,在TPS546B24A的基礎(chǔ)上進(jìn)行了擴(kuò)展。此功能能夠以更高的分辨率限制寫入功能,從而提高了安全性,有助于防止惡意訪問(wèn)PMBus。典型應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心交換機(jī)、機(jī)架服務(wù)器、有源天線系統(tǒng)、遠(yuǎn)程無(wú)線電、基帶單元、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備、CT、PET和MRI。

特性

  • 2.95V至18V PVIN;2.95V至18V AV IN (4VIN VDD5開(kāi)關(guān)電壓)雙電源支持
  • 集成5.5mΩ/1.8mΩ MOSFET
  • 具有可選內(nèi)部補(bǔ)償?shù)钠骄娏髂J娇刂?/li>
  • 可2倍、3倍、4倍堆疊,電流共享高達(dá) 80A,每個(gè)輸出支持單獨(dú)地址
  • 通過(guò)引腳搭接可選擇0.5V至5.5V的輸出,或使用 PMBus VOUT_COMMAND選擇0.25V至5.5V的輸出
  • 廣泛的PmBus命令集,可遙測(cè)VOUT 、IOUT 和內(nèi)部裸片溫度
  • 通過(guò)內(nèi)部反饋分壓器實(shí)現(xiàn)差分遙感,可檢測(cè)到小于 1%的VOUT誤差,TJ 為至-40°C至150°C
  • 通過(guò)PmBus實(shí)現(xiàn)AVS和裕量調(diào)節(jié)
  • 采用MSEL引腳,引腳編程PMBus默認(rèn)值
  • 從225kHz到1.5MHz的12個(gè)可選開(kāi)關(guān)頻率(8個(gè)引腳搭接選項(xiàng))
  • 頻率同步輸入/同步輸出
  • 支持預(yù)偏置輸出
  • 7mm × 5mm × 1.5mm,40引腳QFN
  • 直接兼容TPS546B24A

功能框圖

1.png

應(yīng)用示意圖

2.png

TPS546B24S同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、關(guān)鍵特性

  • 集成5.5mΩ(高邊)/1.8mΩ(低邊)MOSFET
  • 支持PMBus?數(shù)字接口通信(1MHz時(shí)鐘速率)
  • 平均電流模式控制,帶可選內(nèi)部補(bǔ)償
  • 輸出電壓可通過(guò)引腳配置(0.5V-5.5V)或PMBus命令(0.25V-5.5V)設(shè)定
  • 12種可選的開(kāi)關(guān)頻率(225kHz至1.5MHz)
  • 頻率同步輸入/輸出功能
  • 差分遠(yuǎn)端電壓檢測(cè),在-40°C至+150°C結(jié)溫范圍內(nèi)誤差<1%
  • 7mm×5mm×1.5mm 40引腳QFN封裝

二、核心技術(shù)解析

1. 平均電流模式控制架構(gòu)

TPS546B24S采用創(chuàng)新的平均電流模式控制架構(gòu),具有獨(dú)立的電流誤差積分和電壓誤差積分環(huán)路。這種架構(gòu)提供了與峰值電流模式控制相似的性能,但不受最小導(dǎo)通時(shí)間或最小關(guān)斷時(shí)間的限制。

?控制環(huán)路特點(diǎn)?:

  • 輸入電壓前饋調(diào)制器將集成的電流誤差信號(hào)轉(zhuǎn)換為電感導(dǎo)通時(shí)間
  • 電流誤差積分器通過(guò)調(diào)整調(diào)制器控制電壓來(lái)匹配感應(yīng)電感電流
  • 電壓誤差積分器通過(guò)調(diào)整電流控制電壓VSHARE來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓

2. 功率級(jí)設(shè)計(jì)

器件集成了高效率的功率MOSFET:

  • 高邊MOSFET導(dǎo)通電阻:5.5mΩ@VBOOT-VSW=4.5V,25°C
  • 低邊MOSFET導(dǎo)通電阻:1.8mΩ@VVDD5=4.5V,25°C
  • 支持預(yù)偏置輸出啟動(dòng),防止從預(yù)偏置輸出放電

3. 數(shù)字接口與配置

通過(guò)PMBus接口可實(shí)現(xiàn)全面的數(shù)字控制:

  • 輸出電壓編程與監(jiān)控
  • 故障保護(hù)閾值配置
  • 軟啟動(dòng)/軟停止時(shí)間設(shè)置
  • 遙測(cè)數(shù)據(jù)讀取(電壓、電流、溫度)
  • 支持1MHz高速通信

三、典型應(yīng)用

1. 單相應(yīng)用配置

作為獨(dú)立器件使用時(shí)典型連接方式:

  • GOSNS/VOSNS:分別連接輸出地/輸出正極
  • EN/UVLO:使能控制或電阻分壓器
  • MSEL1/MSEL2/VSEL/ADRSEL:配置引腳
  • VSHARE:懸空或旁路至AGND

2. 多相堆疊配置

多相應(yīng)用時(shí)需注意:

  • 控制器設(shè)備(環(huán)控器)GOSNS接地
  • 跟隨器設(shè)備(環(huán)隨器)GOSNS接BP1V5
  • 所有設(shè)備VSHARE互連
  • BCX_CLK/BCX_DAT用于相位間通信

3. 關(guān)鍵外圍元件選擇

?輸入電容器?:

  • 建議使用X5R或更好材質(zhì)的陶瓷電容
  • PVIN-PGND間至少放置一個(gè)0402 2.2nF-10nF X7R電容

?輸出濾波器?:

  • 根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇電感(典型300nH)
  • 輸出電容需考慮紋波電流和瞬態(tài)響應(yīng)要求

?自舉電路?:

  • 典型100nF X5R陶瓷電容(BOOT-SW)
  • 可選串聯(lián)電阻(最大8Ω)降低SW尖峰

四、保護(hù)功能

1. 電流保護(hù)

  • 低邊過(guò)流保護(hù)(4-31A可編程)
  • 高邊短路保護(hù)(1.5×低邊閾值)
  • 負(fù)電流保護(hù)(-10A閾值)

2. 電壓保護(hù)

  • 輸入欠壓鎖定(2.5-15.75V可編程)
  • 輸出過(guò)壓保護(hù)(105%-140%可編程)
  • 輸出欠壓保護(hù)(60%-95%可編程)

3. 溫度保護(hù)

  • 結(jié)溫監(jiān)測(cè)與保護(hù)
  • 過(guò)熱警告(可編程閾值)
  • 170°C熱關(guān)斷(固定閾值)

五、設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  1. ?布局考慮?:
  • 保持功率回路面積最小化
  • 將AGND與PGND在器件散熱焊盤下方單點(diǎn)連接
  • 輸入電容盡量靠近PVIN和PGND引腳
  1. ?熱管理?:
  • 結(jié)至環(huán)境熱阻:25.3°C/W(單層PCB)
  • 確保足夠的散熱和氣流
  • 監(jiān)控READ_TEMPERATURE_1參數(shù)
  1. ?PMBus配置?:
  • 通過(guò)VSEL/MSEL引腳或PMBus命令配置
  • 建議使用TI提供的TPS546x24S補(bǔ)償和引腳配置計(jì)算工具
  • 關(guān)鍵參數(shù)可存儲(chǔ)至非易失性存儲(chǔ)器

六、典型應(yīng)用領(lǐng)域

  • 數(shù)據(jù)中心交換機(jī)、機(jī)架服務(wù)器
  • 有源天線系統(tǒng)、遠(yuǎn)程無(wú)線電單元
  • 自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備、醫(yī)療成像系統(tǒng)
  • ASIC/SoC/FPGA核心及I/O電源
  • 高電流POL(負(fù)載點(diǎn))電源
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