以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫(kù)」知識(shí)星球

- 關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南 v3.0版本

- 「SysPro | 動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容，全文15500字

- 文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：infineon, NXP, ROHM,網(wǎng)絡(luò)

- 非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載，或進(jìn)行散播，或用于任何形式商業(yè)行為

- 本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，詳細(xì)分布見目錄頁(yè)

導(dǎo)語(yǔ)：在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為核心功率器件，其性能直接決定了系統(tǒng)的效率與可靠性。本文以英飛凌IGBT模塊規(guī)格書為切入點(diǎn)，系統(tǒng)解析了規(guī)格書的關(guān)鍵參數(shù)、核心電氣特性、二極管配套參數(shù)及熱性能指標(biāo)。通過(guò)結(jié)合實(shí)際工程案例，重點(diǎn)闡述了參數(shù)應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng)，例如殼溫對(duì)電流標(biāo)定的影響、雜散電感導(dǎo)致的電壓過(guò)沖、反向恢復(fù)電流的損耗機(jī)制等。以上內(nèi)容為關(guān)于英飛凌IGBT DataSheet的實(shí)踐應(yīng)用筆記，本次是第三次更新 v3.0，較2.0版本，增加了一些實(shí)際應(yīng)用中這些關(guān)鍵參數(shù)的理解和應(yīng)用方法，并進(jìn)行了案例說(shuō)明，以輔助我們更好地獲取一些系統(tǒng)層面關(guān)心的性能數(shù)據(jù)。本篇在實(shí)踐工作中有多次用到，或許會(huì)有些價(jià)值。

圖片來(lái)源：Infineon

目錄

上篇：額定參數(shù)、翻篇工作區(qū)、脈沖電流、飽和壓降、閾值電壓

1. 規(guī)格書首頁(yè)的基本介紹

1.1 規(guī)格書首頁(yè)的基本介紹

1.2 模塊命名規(guī)則

2 IGBT相關(guān)參數(shù)

2.1 最大額定值：VCES, VGES, ICnom, ICRM

2.1.1 最大阻斷電壓值：VCES

2.1.2 最大峰值電壓：VGES

2.1.3 標(biāo)稱額定電流值：ICnom

2.1.4 可重復(fù)導(dǎo)通峰值電流：ICRM

2.2 反偏安全工作區(qū)：RBSOA

2.2.1 可安全關(guān)斷的最大電流值

2.2.2 可承受的最大電壓過(guò)沖值

2.3 脈沖電流：ICRMvs. IRBSOA(知識(shí)星球發(fā)布)

2.3.1 集電極可重復(fù)導(dǎo)通的峰值電流：ICRM

2.3.2 可安全關(guān)斷的最大電流：IRBSOA

2.4 CE級(jí)飽和壓降：VCEsat(知識(shí)星球發(fā)布)

2.4.1 定義

2.4.2 VCEsat和哪些因素相關(guān)

2.4.3 VCEsat的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值：IGBT并聯(lián)

2.5 柵極閾值電壓：VGEth(知識(shí)星球發(fā)布)

2.5.1 定義

2.5.2 VGEth和哪些因素相關(guān)

2.5.3 VGEth的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值：IGBT并聯(lián)

中篇：IGBT開關(guān)特性參數(shù)、Diode特性參數(shù)

2.6 開關(guān)特性參數(shù)(知識(shí)星球發(fā)布)

2.6.1 柵極電荷：QG

2.6.2 內(nèi)部門級(jí)電阻：RGint

2.6.3 外部門級(jí)電阻：RGext

2.6.4 外部門級(jí)電容：CGE

2.6.5 開關(guān)時(shí)間：tdon, tr, tdoff, tf

2.6.6 開關(guān)損耗：Eon, Eoff

2.6.7 短路電流：ISC

2.6.8 短路特性的影響因素

3. Diode相關(guān)參數(shù)(知識(shí)星球發(fā)布)

3.1 反向重復(fù)峰值電壓：VRRM

3.2 正向額定電流值：IF

3.3 正向重復(fù)峰值電流：IFRM

3.4 浪涌能力：I2t

3.5 正向壓降：VF

3.6 開關(guān)特性參數(shù)

3.7 二極管的安全工作區(qū)（SOA）

3.8 二極管 · 小結(jié)

下篇：熱性能參數(shù)、模塊級(jí)參數(shù)、NTC參數(shù)

4. 熱性能參數(shù)(知識(shí)星球發(fā)布)

4.1 芯片熱量的傳遞路徑

4.2 熱阻：Rthjc, Rthch

4.3 瞬態(tài)熱阻抗：Zthjc

4.4 熱性能參數(shù) · 小結(jié)

5. 模塊整體相關(guān)參數(shù)(知識(shí)星球發(fā)布)

5.1 絕緣性能參數(shù)——模塊的“電氣安全防線”

5.2 結(jié)構(gòu)與安裝參數(shù)——模塊的“物理連接保障”

5.3 雜散電感LS——模塊的“隱形電氣干擾源”

6. NTC相關(guān)參數(shù)(知識(shí)星球發(fā)布)

注: 本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布

01規(guī)格書首頁(yè)的基本介紹

我們先看看規(guī)格書的首頁(yè)。模塊規(guī)格書的首頁(yè)，會(huì)提供該模塊最關(guān)鍵的參數(shù)信息：

在首頁(yè)最上面：模塊的具體型號(hào)、模塊的封裝種類、芯片在模塊中的電路拓?fù)?/strong>、電壓電流等級(jí)、還有規(guī)格書的狀態(tài)。 在Statusof Datasheet，說(shuō)明了數(shù)據(jù)類型，一共分為三類：

目標(biāo)數(shù)據(jù)：代表工程樣品；

初步數(shù)據(jù)：代表個(gè)別數(shù)據(jù)待定，可以理解成模塊已進(jìn)入量產(chǎn)階段；

最終數(shù)據(jù)：代表成熟樣品數(shù)據(jù)。

在首頁(yè)的下半段，模塊的典型應(yīng)用、突出的電氣特性、機(jī)械特性、條碼信息等。

圖片來(lái)源：英飛凌

那么，上圖中Title中的模塊是如何命名的呢？這背后的規(guī)則是什么？

以下為模塊的命名規(guī)則解釋：根據(jù)產(chǎn)品的具體型號(hào)直接識(shí)別出模塊的電路拓?fù)?、電壓及電流等?jí)、封裝種類、芯片技術(shù)等主要參數(shù)信息。

圖片來(lái)源：英飛凌

02

IGBT相關(guān)參數(shù)

下面我們看看規(guī)格書的核心內(nèi)容：以PrimePACK FF1400R17IP4P為例，下圖是IGBT模塊的技術(shù)參數(shù)。

圖片來(lái)源：英飛凌

2.1 最大額定值：VCES, VGES, ICnom, ICRM

我們逐一解釋下上述規(guī)格參數(shù)的含義，拓展解釋下應(yīng)用中對(duì)這一參數(shù)要如何理解？

2.1.1 最大阻斷電壓值：VCES指的是：C 級(jí)（集電極）和 E 級(jí)（發(fā)射極）之間所能承受的最大阻斷電壓值。注意：這里指模塊內(nèi)部芯片級(jí)的電壓承受能力，而非模塊功率端子上可以施加的最大電壓。

這個(gè)參數(shù)非常關(guān)鍵，一旦實(shí)際電壓超過(guò)了VCES，芯片就可能像脆弱的玻璃一樣被擊穿損壞，整個(gè) IGBT 模塊也就無(wú)法正常工作啦。所以在設(shè)計(jì)電路和使用 IGBT 模塊時(shí)，工程師們必須要確保加在 C 級(jí)和 E 級(jí)之間的電壓，時(shí)刻都在 VCES允許的范圍內(nèi)。

2.1.2 最大峰值電壓：VGES

指的是：G 極（柵極）和 E 級(jí)（發(fā)射極）之間所能承受的最大峰值電壓。

在 IGBT 模塊的運(yùn)作中，柵極就像是一個(gè) “控制閥門”，控制著電流能否從集電極順利流向發(fā)射極。而VGES規(guī)定了這個(gè) “控制閥門” 能承受的電壓極限。如果施加在 G 極和 E 極之間的電壓超過(guò)了VGES，就好比閥門承受了過(guò)大的壓力，可能會(huì)導(dǎo)致閥門損壞，進(jìn)而使得 IGBT 模塊的控制功能出現(xiàn)故障。比如在一些高頻開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景中，如果對(duì)VGES這個(gè)參數(shù)把握不準(zhǔn)，很容易因?yàn)殡妷悍逯颠^(guò)高而損壞 IGBT 模塊，影響整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

圖片來(lái)源：ROHM

2.1.3 標(biāo)稱額定電流值：ICnom

指的是：模塊內(nèi)IGBT芯片的電流能力，也就是我們通常所說(shuō)的標(biāo)稱額定電流值。
在 IGBT 模塊中，這個(gè)數(shù)值反映了芯片在正常情況下能夠持續(xù)穩(wěn)定通過(guò)的電流大小。舉個(gè)例子，一個(gè) FF450R17ME3 的大功率 IGBT 模塊，它內(nèi)部是由3 個(gè) 150A 芯片并聯(lián)構(gòu)成的，所以它的標(biāo)稱值ICnom就是 450A 。

需要注意的是，ICnom是模塊在通直流時(shí)的理論計(jì)算值 ，其計(jì)算方法如下：

1. 首先，要假定模塊殼溫及結(jié)溫 Tvj|SysPro備注：Tvj是怎么獲得的，后面會(huì)詳細(xì)解釋

2. 接著，根據(jù) IGBT芯片的結(jié)殼熱阻 RthJC和特定的理論公式，算出在當(dāng)前條件下可承受的總功耗 Ptot |SysPro備注：這里的結(jié)殼熱阻 R_thJC，就像是熱量從芯片內(nèi)部傳遞到外殼的 “阻力”，阻力越小，熱量越容易傳出去

3. 最后，用總功耗 Ptot除以該條件下對(duì)應(yīng)的VCEsat值，就能得出ICnom值。

從上面的公式可以看出，ICnom值的標(biāo)定是由殼溫 TC及結(jié)殼熱阻 RthJC的大小共同決定的。這也解釋了我們?yōu)槭裁茨敲聪虢档蜌睾蜔嶙瑁?/strong>同樣的芯片及最大結(jié)溫，只是降低標(biāo)定條件中的殼溫 TC，就可以使得標(biāo)稱電流 ICnom變大很多。

圖片來(lái)源：英飛凌

2.1.4: 可重復(fù)導(dǎo)通峰值電流：ICRM
CE之間可重復(fù)導(dǎo)通的峰值電流，一般為 ICnom值的兩倍。在 IGBT 模塊中，當(dāng)電路出現(xiàn)一些瞬間的大電流需求時(shí)，只要這個(gè)電流值不超過(guò) ICRM，模塊就能正常工作，不會(huì)因?yàn)殡娏鬟^(guò)大而損壞。例如在電機(jī)啟動(dòng)的瞬間，會(huì)產(chǎn)生較大的電流沖擊，這時(shí)就需要 IGBT 模塊的ICRM能夠滿足這種瞬間大電流的需求。

|SysPro備注，一些IGBT選型補(bǔ)充說(shuō)明：

在選擇 IGBT 模塊、比較芯片的電流能力時(shí)，有個(gè)非常重要的點(diǎn)需要特別注意：一定要將不同模塊的電流值，根據(jù)公式折算到同樣的殼溫 TC條件下去比較，這樣的比較才有意義！

因?yàn)榫拖袂懊嬲f(shuō)的，殼溫 TC對(duì)ICnom值的影響很大，如果不把殼溫條件統(tǒng)一，直接比較不同模塊的ICnom值，得出的結(jié)果是不準(zhǔn)確的。比如，有兩個(gè) IGBT 模塊，A 模塊在殼溫 90℃時(shí) ICnom是300A，B 模塊在殼溫 135℃時(shí) ICnom是 350A，乍一看好像 B 模塊的電流能力更強(qiáng)，但如果把它們都折算到相同的殼溫條件下，可能結(jié)果就不一樣了。所以，在實(shí)際的工程應(yīng)用中，工程師們?cè)谶x型時(shí)必須要進(jìn)行這樣的折算，才能選出真正符合需求的 IGBT 模塊。

圖片來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

2.2 反偏安全工作區(qū)：RBSOA

反偏安全工作區(qū)（RBSOA），簡(jiǎn)單說(shuō)就是給 IGBT 模塊 “定規(guī)矩”：當(dāng) IGBT 模塊關(guān)斷時(shí)，只要實(shí)際結(jié)溫沒(méi)超過(guò)允許的最大運(yùn)行結(jié)溫Tvjop，它能重復(fù)、安全關(guān)斷的最大電流值，以及能扛住的最大電壓過(guò)沖值，就由這個(gè)工作區(qū)來(lái)界定。這里面設(shè)計(jì)有兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，如下圖所示：

可安全關(guān)斷的最大電流值

可承受的最大電壓過(guò)沖值

圖片來(lái)源：英飛凌

注：Datasheet中注明了Module和Chip各自的IC在不同VCE之間的變化，這里解釋下：

• IC, Module：從模塊外部測(cè)量到的電流（如輔助端子）
• IC, Chip：每個(gè)芯片可承受的最大I_C

下面詳細(xì)解釋下各自的含義和應(yīng)用中的關(guān)鍵：

可安全關(guān)斷的最大電流值

為ICnom模塊標(biāo)稱額定電流的兩倍。如下圖，模塊標(biāo)稱能穩(wěn)定通 1400A，關(guān)斷時(shí)這個(gè)安全關(guān)斷的最大電流就是 2800A 。

可承受的最大電壓過(guò)沖值

在芯片層面，這個(gè)值就是規(guī)格書里的VCES（C、E 極間最大阻斷電壓）。

|SysPro備注，實(shí)際應(yīng)用中，要注意下面幾點(diǎn)：

1.由于模塊內(nèi)部從芯片到功率端子之間雜散電感的客觀存在，以及電流在關(guān)斷時(shí)的負(fù)di/dt存在，從而會(huì)造成模塊外部端子上和內(nèi)部芯片上，實(shí)際可承受的最大過(guò)充電壓值的差異ΔV（實(shí)際過(guò)壓會(huì)更大）

|SysPro備注，舉個(gè)例子：假設(shè)芯片級(jí) VCES是 1200V，模塊內(nèi)部雜散電感 L=20nH，關(guān)斷時(shí) di/dt = 1000A/μs ，根據(jù) ΔV = -di/dt × L ，算出來(lái) ΔV = -1000A/μs × 20nH = -20V（負(fù)號(hào)代表電壓變化方向 ），那外部端子實(shí)際過(guò)壓可能就變成 1220V ，比芯片級(jí)的 VCES更高，這就得多留意！

2.ΔV=-di/dt ×L，從這里可以看出：關(guān)斷時(shí)侯電流值越大，-di/dt也越大，這也會(huì)導(dǎo)致ΔV上升，實(shí)際應(yīng)用中要特別注意這個(gè)差異。

3.我們?cè)谧?strong>雙脈沖測(cè)試（模擬 IGBT 開關(guān)過(guò)程的測(cè)試）時(shí)，重點(diǎn)要關(guān)注這個(gè) ΔV 會(huì)不會(huì)飆升，要是超太多，模塊可能就扛不住 “電壓顛簸” 導(dǎo)致?lián)p壞！

圖片來(lái)源：參考文獻(xiàn)[下文]

|SysPro備注，關(guān)于這一點(diǎn)曾多次在文章中提及過(guò)，參考：電驅(qū)系統(tǒng)雙脈沖測(cè)試，從入門到工程實(shí)踐全解析：測(cè)試目的/原理/策略、器件選型/電路優(yōu)化/時(shí)間參數(shù)計(jì)算、實(shí)踐指南

2.3 脈沖電流：ICRMvs. IRBSOA

(知識(shí)星球中發(fā)布)

通過(guò)2.2章節(jié)中定義的IGBT反偏安全工作區(qū)，我們發(fā)現(xiàn)IRBSOA電流也是2800A，即ICnom的兩倍，在2.1中我們提到過(guò)ICRM也是ICnom的兩倍，這兩者有什么區(qū)別呢？主要是表征的物理意義不同，我們?cè)敿?xì)說(shuō)明下。2.3.1集電極可重復(fù)導(dǎo)通的峰值電流：ICRM...2.3.2可安全關(guān)斷的最大電流：IRBSOA...

2.4 CE級(jí)飽和壓降：VCEsat

(知識(shí)星球中發(fā)布)

2.4.1 VCEsat定義...

2.4.2 VCEsat和哪些因素相關(guān)...

2.4.3 VCEsat的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值：IGBT并聯(lián)...

2.5 柵極閾值電壓：VGEth

(知識(shí)星球中發(fā)布)

2.5.1 VGEth定義...

2.5.2 VGEth和哪些因素相關(guān)...

2.5.3 VGEth的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值：IGBT并聯(lián)...

中篇：IGBT開關(guān)特性參數(shù)、Diode特性參數(shù)

2.6 開關(guān)特性參數(shù)

（知識(shí)星球中發(fā)布）

2.6.1 柵極電荷：QG...2.6.2 內(nèi)部門級(jí)電阻：RGint...2.6.3 外部門級(jí)電阻：RGext...

擴(kuò)展：驅(qū)動(dòng)電阻的選值方法...

2.6.4 外部門級(jí)電容：CGE...

2.6.5 開關(guān)時(shí)間：tdon, tr, tdoff, tf...

2.6.6 開關(guān)損耗：Eon, Eoff...

2.6.7 短路電流：ISC...

2.6.8 短路特性的影響因素...

03

Diode相關(guān)參數(shù)

二極管作為 IGBT 模塊的重要配套器件，其參數(shù)特性直接影響整個(gè)電路的可靠性和效率。以下結(jié)合與 IGBT 參數(shù)的類比，詳細(xì)解釋二極管的核心參數(shù)及實(shí)際應(yīng)用注意事項(xiàng)。

3.1 反向重復(fù)峰值電壓：VRRM

VRRM，反向重復(fù)峰值電壓，俗稱二極管的“反向耐壓極限”，是二極管能承受的最大反向重復(fù)峰值電壓，即二極管在反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，允許重復(fù)施加的最高電壓。

圖片來(lái)源：英飛凌

和 IGBT 的 VCES類似，這個(gè)參數(shù)是在結(jié)溫 25℃ 條件下定義的（結(jié)溫升高時(shí)，實(shí)際耐壓能力可能略有下降），如下圖所示：

圖片來(lái)源：英飛凌

這個(gè)參數(shù)，在實(shí)際應(yīng)用中的意義在于：防止二極管因反向電壓過(guò)高而擊穿。例如，車規(guī)級(jí)模塊中，二極管需承受電機(jī)回饋或電源波動(dòng)產(chǎn)生的反向電壓，VRRM必須大于實(shí)際可能的最大反向電壓。

3.2 正向額定電流值：IF

（知識(shí)星球中發(fā)布）

IF，正向額定電流值，俗稱二極管的“長(zhǎng)期載流能力”，是二極管在通直流時(shí)的標(biāo)稱額定電流 ，即長(zhǎng)期穩(wěn)定工作時(shí)能通過(guò)的最大正向電流...

3.3 正向重復(fù)峰值電流：IFRM

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

3.4 浪涌能力：I2t

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

3.5 正向壓降：VF

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

3.6 開關(guān)特性參數(shù)

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

3.7 二極管的安全工作區(qū)（SOA）

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

3.8 二極管小結(jié)

二極管的參數(shù)特性與 IGBT 有諸多相似之處（如耐壓、額定電流、峰值電流），但反向恢復(fù)特性是其獨(dú)有的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響系統(tǒng)效率和可靠性。

選型時(shí)需結(jié)合實(shí)際工況（如電流、溫度、開關(guān)頻率），確保所有參數(shù)均在規(guī)格書規(guī)定的范圍內(nèi)，尤其注意反向恢復(fù)損耗和 SOA 限制，避免因瞬態(tài)應(yīng)力導(dǎo)致?lián)p壞。

下篇：熱性能參數(shù)、模塊級(jí)參數(shù)、NTC參數(shù)

04

熱性能參數(shù)

4.1 芯片熱量的傳遞路徑

（知識(shí)星球中發(fā)布）

下面是我們聊聊熱性能相關(guān)參數(shù)。

當(dāng)IGBT或二極管芯片上導(dǎo)通電流時(shí)，芯片自身會(huì)產(chǎn)生損耗（如導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗），這些損耗最終會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量，導(dǎo)致芯片溫度升高。熱量要“逃離”芯片，需要經(jīng)過(guò)一條固定的路線，即熱傳遞路徑：芯片 → DBC層 → 模塊基板 → 散熱器 → 空氣及周邊環(huán)境......

圖片來(lái)源：英飛凌

4.2 熱阻：Rthjc, Rthch

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

4.3 瞬態(tài)熱阻抗：Zthjc

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

4.4 熱性能參數(shù) · 小結(jié)

熱性能參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊可靠性的核心：熱傳遞路徑描述熱量“去哪里”，Rthjc和Rthch量化傳遞阻力（穩(wěn)態(tài)散熱能力），Zthjc則描述動(dòng)態(tài)脈沖下的散熱特性。理解這些參數(shù)，才能通過(guò)損耗計(jì)算準(zhǔn)確評(píng)估芯片結(jié)溫，避免因過(guò)熱導(dǎo)致模塊損壞。實(shí)際應(yīng)用中，需注意Rthch的實(shí)際值會(huì)優(yōu)于規(guī)格書假設(shè)，而Zthjc需結(jié)合開關(guān)頻率和脈沖寬度綜合分析。

05

模塊整體相關(guān)參數(shù)

下面是模塊整體相關(guān)參數(shù)的介紹。

模塊作為一個(gè)完整的功率器件單元，其整體參數(shù)直接影響電路的安全性、可靠性和開關(guān)性能。核心參數(shù)主要包括絕緣性能、結(jié)構(gòu)安裝參數(shù)和雜散電感三大類。我們逐一聊聊。

5.1 絕緣性能參數(shù)——模塊的“電氣安全防線”

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

|SysPro備注，關(guān)于這塊做過(guò)專題解讀，可以參考文章：

電氣間隙與爬電距離全面解析：定義指南、標(biāo)準(zhǔn)解讀、案例分析

5.2 結(jié)構(gòu)與安裝參數(shù)——模塊的“物理連接保障”

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

5.3 雜散電感（LS）——模塊的“隱形電氣干擾源”

（知識(shí)星球中發(fā)布）

...

圖片來(lái)源：英飛凌

06

NTC相關(guān)參數(shù)

（知識(shí)星球中發(fā)布）

大部分英飛凌IGBT模塊內(nèi)置負(fù)溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻，用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊溫度，保障熱保護(hù)功能可靠運(yùn)行。 我們先看看NTC的核心參數(shù)與作用...

圖片來(lái)源：英飛凌

以上內(nèi)容為關(guān)于英飛凌IGBT DataSheet的實(shí)踐應(yīng)用筆記（節(jié)選），本次是第三次更新 v3.0，較2.0版本，增加了一些實(shí)際應(yīng)用中這些關(guān)鍵參數(shù)的理解和應(yīng)用方法，并舉例進(jìn)行了案例說(shuō)明，以輔助我們更好地獲取一些系統(tǒng)層面關(guān)心的性能數(shù)據(jù)。本篇在實(shí)踐工作中有多次用到，或許會(huì)有些價(jià)值。