動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-03-20 08:33

  TEC半導(dǎo)體制冷器結(jié)構(gòu)解讀及工作原理研究

  

  TEC半導(dǎo)體制冷器的核心原理是?帕爾帖效應(yīng)?——當(dāng)直流電通過(guò)由N型和P型半導(dǎo)體材料組成的電偶對(duì)時(shí)，一端會(huì)吸收熱量（冷端），另一端會(huì)釋放熱量（熱端），從而實(shí)現(xiàn)無(wú)機(jī)械運(yùn)動(dòng)的固態(tài)制冷。這一現(xiàn)象由法國(guó)物理學(xué)家讓·查爾斯·珀?duì)柼?834年發(fā)現(xiàn)，其本質(zhì)是電荷載流子（電子和空穴）在不同能級(jí)半導(dǎo)體材料界面處發(fā)生能量轉(zhuǎn)移：電流從低能級(jí)流向高能級(jí)時(shí)吸熱，反之則放熱。與傳統(tǒng)壓縮

  TEC 制冷器 半導(dǎo)體

  45瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-20 07:31

  中篇?實(shí)戰(zhàn)篇：十大核心新材料賽道產(chǎn)業(yè)化全景拆解

  

  本文內(nèi)容源自《2026新材料行業(yè)與技術(shù)前沿發(fā)展趨勢(shì)》報(bào)告第4章「典型新材料發(fā)展趨勢(shì)：核心賽道產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展與前景」、第5章「新材料核心技術(shù)前沿趨勢(shì)：研發(fā)范式變革與技術(shù)突破方向」，為全文核心主體內(nèi)容。承接上篇《定調(diào)篇》獨(dú)家提出的「堡壘材料、主權(quán)材料、融合材料」三大戰(zhàn)線框架，基

  新材料 材料

  224瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-18 13:33

  15W高導(dǎo)熱墊片助力解決智駕卡頓之痛 | 晟鵬科技

  

  智能駕駛時(shí)代，芯片散熱成關(guān)鍵挑戰(zhàn)智駕產(chǎn)業(yè)已從“參數(shù)營(yíng)銷(xiāo)的狂歡”步入“用戶體驗(yàn)為王的理性回歸期”，功能實(shí)用性、安全可靠性、場(chǎng)景覆蓋度成為用戶決策的核心要素。隨著汽車(chē)智能化加速發(fā)展，高算力智駕芯片成為智能駕駛系統(tǒng)的“最強(qiáng)大腦”，承擔(dān)著感知（識(shí)別行人、車(chē)輛、交通標(biāo)識(shí)）、決策（規(guī)劃行駛路徑）、控制（調(diào)節(jié)油門(mén)、剎車(chē)、轉(zhuǎn)向）等核心任務(wù)。目前智駕芯片慢慢從SoC、SIP轉(zhuǎn)

  智能駕駛 智駕芯片 芯片散熱

  218瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-18 09:50

  上篇|定調(diào)篇?中國(guó)新材料的全球格局與三大核心戰(zhàn)線

  

  本文所有內(nèi)容、數(shù)據(jù)與核心觀點(diǎn)，均來(lái)自《2026新材料行業(yè)與技術(shù)前沿發(fā)展趨勢(shì)》原創(chuàng)報(bào)告，完整無(wú)刪減PPT原版可在文末獲取。開(kāi)篇：所有卡脖子的盡頭，全是材料工信部2019年調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)130多種關(guān)鍵戰(zhàn)略材料中，32%處于完全空白，52%長(zhǎng)期依賴進(jìn)口。智能終端處理器核心

  半導(dǎo)體 新材料 材料

  431瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-17 09:02

  碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與工程實(shí)踐

  

  在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下，碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表，正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場(chǎng)格局。電子聚焦新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET系列器件，致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。當(dāng)前，SiCMOSFET器件展

  SiC 功率器件 碳化硅

  213瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-16 08:41

  人形機(jī)器人關(guān)節(jié)模組電機(jī)技術(shù)方案全景深洞察：軸向磁通、球形關(guān)節(jié)、一體化伺服系統(tǒng)

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫(kù)」知識(shí)星球-關(guān)于人形機(jī)器人關(guān)節(jié)模組電機(jī)技術(shù)系統(tǒng)性調(diào)研-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：小象電動(dòng),安徽大學(xué),YASA、Traxial、BEYOND-本篇為知識(shí)星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布導(dǎo)語(yǔ)：隨著AI大模型的日漸成熟，人形機(jī)器人也從原先的遙不可及逐步走向了產(chǎn)業(yè)化。談到人行機(jī)器人，更多地時(shí)候我們會(huì)關(guān)注大模型、靈巧手、整機(jī)品

  人形機(jī)器人 伺服系統(tǒng) 電機(jī)

  220瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-15 07:51

  如何選擇EMC吸波屏蔽濾波材料及經(jīng)典應(yīng)用

  

  隨著電子設(shè)備的性能和功能的提高，每個(gè)設(shè)備產(chǎn)生的熱量增加，有效地散發(fā)，消散和冷卻熱量很重要。對(duì)于5G智能手機(jī)和AR/VR設(shè)備等高性能移動(dòng)產(chǎn)品，由于采用高性能IC和追求減輕重量的高度集成設(shè)計(jì)，導(dǎo)致散熱部件的安裝空間受到限制。限制了殼體內(nèi)部的安裝空間，因此利用高導(dǎo)熱墊片等TIM技術(shù)方案來(lái)更好地實(shí)現(xiàn)散熱。5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的

  emc 材料 濾波

  73瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-14 07:52

  高性能散熱膜 | 助力直播神器隨行 WiFi X

  

  據(jù)報(bào)道，IT之家3月11日消息，在今日的華為鴻蒙智家技術(shù)溝通會(huì)上，華為隨行WiFiX正式發(fā)布。華為隨行WiFiX的宣傳語(yǔ)為“超級(jí)直播神器”，該產(chǎn)品已在2025年底首次亮相，適用于戶外直播和移動(dòng)創(chuàng)作。華為隨行WiFiX宣稱是全球首款四發(fā)四收終端，支持1000Mbps上行峰值速率，以及5.3Gbps下行峰值速率。華為隨行WiFiX搭載隨行WiFi天線系統(tǒng)，內(nèi)置1

  WIFI 華為

  393瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-12 10:01

  鍵合率達(dá)95%！三菱電機(jī)推進(jìn) GaN-on-Diamond 新技術(shù)

  

  憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場(chǎng)及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料。基于GaN的高電子遷移率晶體管（HEMT）目前已廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、移動(dòng)通信、射頻功率放大器等關(guān)鍵領(lǐng)域，為高端電子設(shè)備的性能提升提供了重要支撐。然而，高功率運(yùn)行場(chǎng)景下，GaNHEMT器件內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生顯著的自熱效應(yīng)，過(guò)高的工作溫度

  GaN 三菱電機(jī) 氮化鎵

  465瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-03-11 08:31

  AI筆記本電腦顯示屏導(dǎo)熱散熱材料應(yīng)用方案 | 晟鵬技術(shù)

  

  筆電作為“移動(dòng)算力中心”，散熱邏輯與手機(jī)同源但規(guī)模更大、熱源更集中。以下是適配AI筆電（輕薄本/旗艦本）的屏幕端散熱全案，可直接作為供應(yīng)鏈技術(shù)溝通或產(chǎn)品規(guī)劃的參考基底。一、核心痛點(diǎn)與設(shè)計(jì)基準(zhǔn)（旗艦級(jí)）維度痛點(diǎn)解析設(shè)計(jì)基準(zhǔn)（目標(biāo)值）熱源密度APU/CPU、高刷Mini-LED/OLED、充電IC屏體最高溫≤55℃，表面溫差≤3℃空間約束機(jī)身超?。?5-18mm

  AI 材料 筆記本電腦

  83瀏覽量