BMF240R12E2G3作為一款1200V/240A的SiC MOSFET功率模塊，在三相四線制儲能變流器（PCS）中備受青睞，其根本性優(yōu)勢源于以下核心技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)級性能突破：

? 一、高頻低損耗特性，突破效率瓶頸

超低導通與開關損耗

導通損耗優(yōu)化：常溫下導通電阻（RDS(on)）僅5.5mΩ，高溫（150℃）下仍保持8.5mΩ，顯著低于IGBT的飽和壓降（2-3V）。

開關損耗負溫度特性：開通損耗（Eon）隨溫度升高而下降（125℃時比常溫降低11.3%），抵消了導通損耗的溫升影響，高溫重載時總損耗僅增約5%39。這一特性在硬開關拓撲中尤為關鍵。

零反向恢復損耗：內(nèi)置SiC SBD二極管，反向恢復電荷（Qrr）低至0.59–0.63μC（競品通常>1.2μC），消除體二極管反向恢復導致的EMI和損耗。

高頻支持能力（40kHz+）

高開關頻率使濾波電感體積減少36%，功率密度提升25%，同時降低磁性元件成本。

實測PCS整機效率達≥98.8%（不含電抗器），較IGBT方案提升1%以上，年均充放電循環(huán)損耗顯著降低。

審核編輯 黃宇