1. 浪涌測(cè)試（Surge Test）

1.1 測(cè)試目的

模擬 雷擊、電網(wǎng)切換、大功率設(shè)備啟停 等高能量瞬態(tài)干擾，驗(yàn)證電源模塊的耐高壓沖擊能力。

1.2 測(cè)試波形

組合波（1.2/50μs 電壓波 + 8/20μs 電流波）

1.2/50μs：電壓波（開路狀態(tài)）

8/20μs：電流波（短路狀態(tài)）

測(cè)試等級(jí)：通常 ±0.5kV ~ ±4kV（線-線或線-地）

1.3 測(cè)試方法

直接耦合：通過(guò)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）注入電源輸入端口。

測(cè)試模式：

差模（線-線）：測(cè)試L-N之間的抗浪涌能力。

共模（線-地）：測(cè)試L/GND、N/GND之間的抗浪涌能力。

1.4 常見(jiàn)失效

保險(xiǎn)絲熔斷

MOV（壓敏電阻）炸裂

MOSFET/二極管擊穿

PCB燒毀

1.5 防護(hù)設(shè)計(jì)

TVS二極管（瞬態(tài)抑制二極管）

氣體放電管（GDT）

共模電感（CMC）

X/Y電容濾波

1.6 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

IEC 61000-4-5（通用標(biāo)準(zhǔn)）

GB/T 17626.5（中國(guó)國(guó)標(biāo)）

2. 脈沖群測(cè)試（EFT/Burst Test）

2.1 測(cè)試目的

模擬 繼電器、電機(jī)、開關(guān)電源 等設(shè)備快速通斷時(shí)產(chǎn)生的高頻脈沖群干擾，驗(yàn)證電源的抗快速瞬變能力。

2.2 測(cè)試波形

5/50ns 快速脈沖群（單脈沖寬度）

重復(fù)頻率：5kHz 或 100kHz

測(cè)試等級(jí)：通常 ±0.5kV ~ ±4kV（電源線/信號(hào)線）

2.3 測(cè)試方法

容性耦合鉗（CCP） 耦合到電源線或信號(hào)線。

直接注入法（適用于低阻抗電路）。

2.4 常見(jiàn)失效

MCU復(fù)位、死機(jī)

ADC采樣異常

通信誤碼（如UART、I2C出錯(cuò)）

PWM控制信號(hào)抖動(dòng)

2.5 防護(hù)設(shè)計(jì)

RC濾波電路（電源入口）

磁珠（Ferrite Bead）

共模扼流圈

屏蔽電纜

2.6 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

IEC 61000-4-4（通用標(biāo)準(zhǔn)）

GB/T 17626.4（中國(guó)國(guó)標(biāo)）

3. ESD測(cè)試（靜電放電測(cè)試）

3.1 測(cè)試目的

模擬 人體或設(shè)備接觸時(shí)產(chǎn)生的靜電放電，驗(yàn)證電源模塊的抗靜電能力。

3.2 測(cè)試波形

上升時(shí)間極快（0.7~1ns）

放電模式：

接觸放電（Contact Discharge）：金屬部件直接放電（±2kV ~ ±8kV）。

空氣放電（Air Discharge）：非金屬部件間接放電（±2kV ~ ±15kV）。

3.3 測(cè)試方法

直接對(duì)金屬外殼、接口、按鍵等可接觸部位放電。

測(cè)試等級(jí)：

工業(yè)級(jí)：±4kV（接觸）、±8kV（空氣）

消費(fèi)級(jí)：±2kV（接觸）、±4kV（空氣）

3.4 常見(jiàn)失效

MCU死機(jī)或復(fù)位

顯示屏花屏

通信接口損壞（如USB、HDMI失效）

Latch-up（閂鎖效應(yīng)）導(dǎo)致芯片燒毀

3.5 防護(hù)設(shè)計(jì)

ESD保護(hù)二極管（TVS陣列）

低阻抗接地設(shè)計(jì)

屏蔽外殼

增加去耦電容

3.6 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

IEC 61000-4-2（通用標(biāo)準(zhǔn)）

GB/T 17626.2（中國(guó)國(guó)標(biāo)）

4. 三種測(cè)試對(duì)比總結(jié)

測(cè)試類型

模擬場(chǎng)景

波形特點(diǎn)

能量等級(jí)

主要失效模式

防護(hù)措施

浪涌測(cè)試 雷擊、電網(wǎng)切換 1.2/50μs（電壓波）
8/20μs（電流波） 高能量（kV/kA級(jí)） 保險(xiǎn)絲熔斷、MOV炸裂 TVS、GDT、共模電感

脈沖群測(cè)試 繼電器、開關(guān)干擾 5/50ns 脈沖群（5kHz/100kHz） 中能量（百伏級(jí)） MCU復(fù)位、通信錯(cuò)誤 RC濾波、磁珠

ESD測(cè)試 人體/設(shè)備靜電 0.7~1ns 快速放電 低能量（kV級(jí)，ns級(jí)） 芯片Latch-up、接口損壞 ESD二極管、良好接地

5. 結(jié)論

浪涌測(cè)試 關(guān)注 高能量沖擊，需重點(diǎn)防護(hù) MOV、TVS、GDT。

脈沖群測(cè)試 關(guān)注 高頻干擾，需優(yōu)化 濾波和屏蔽。

ESD測(cè)試 關(guān)注 靜電防護(hù)，需加強(qiáng) TVS和接地設(shè)計(jì)。

能量等級(jí)：浪涌 > 脈沖群 > ESD。

時(shí)間尺度：浪涌（ms）> 脈沖群（μs）> ESD（ns）。

設(shè)計(jì)側(cè)重：浪涌需高能泄放路徑，脈沖群需高頻濾波，ESD需低阻抗接地。

這三類測(cè)試共同確保電源模塊在復(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性，是產(chǎn)品認(rèn)證（如CE、UL、FCC）的必測(cè)項(xiàng)目。

審核編輯 黃宇