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淺談Sn-Bi-Ag低溫錫膏的晶界強化機制

jf_17722107 ? 來源:jf_17722107 ? 作者:jf_17722107 ? 2025-08-13 09:08 ? 次閱讀
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Sn-Bi-Ag低溫錫膏的晶界強化機制是一個多因素協(xié)同作用的過程,以下從各機制的具體作用、研究案例及數(shù)據(jù)支持、協(xié)同效應(yīng)三個角度進行詳細闡述:

一、Ag3Sn金屬間化合物的晶界析出與釘扎(核心強化機制)

沉淀強化

在Sn-Bi熔體中,Ag與Sn反應(yīng)生成細小的Ag?Sn顆粒。這些顆粒傾向于在Sn晶粒的晶界處富集,因其是原子擴散的快速通道,也是第二相偏析的優(yōu)先位置。

釘扎效應(yīng)

彌散分布的硬質(zhì)Ag?Sn顆粒通過Zener釘扎作用,阻礙晶界遷移和晶粒長大。實驗表明,Ag?Sn顆粒能有效阻止位錯在晶界處的滑移和堆積,顯著增強晶界的“強度”或“穩(wěn)定性”。

數(shù)據(jù)支持

在Sn3.8Ag0.7Cu合金的研究中,微細顆粒狀A(yù)g?Sn分布在晶界上,阻礙晶界滑動,起到增強作用。類似地,在Sn-Bi-Ag合金中,Ag?Sn的釘扎效應(yīng)使焊點在120℃等溫時效2000小時后,界面IMC層仍保持薄且未開裂,抑制了柯肯達爾空洞的出現(xiàn)。

二、抑制Bi在晶界的偏聚與脆化(關(guān)鍵改善機制)

Bi偏聚的問題

在Sn-Bi共晶合金中,Sn原子與焊盤的Cu原子發(fā)生冶金反應(yīng),生成金屬間化合物Cu6Sn5,Sn原子不斷消耗,析出的Bi原子易在晶界偏聚,形成連續(xù)脆性層,成為裂紋擴展路徑,導(dǎo)致合金脆性大。

Ag的作用機制

物理占據(jù):Ag?Sn顆粒占據(jù)晶界位置,稀釋Bi濃度,減少連續(xù)脆性層形成。

動力學(xué)改變:Ag可能改變Bi的偏聚行為,如降低其平衡濃度或減緩偏聚速率。

案例與數(shù)據(jù)

深圳市福英達公司自己開發(fā)的低溫FL系列合金,通過添加微納米增強型顆粒Ag、Cu等元素,使Sn-Bi合金焊點IMC附近的富Bi現(xiàn)象得到改善,焊點韌性提升30%,斷裂伸長率超過12%。

三、晶粒細化(基礎(chǔ)強化機制)

異質(zhì)形核作用

Ag?Sn顆粒作為Sn晶粒結(jié)晶的非均勻形核點,增加形核率,細化晶粒尺寸。

Hall-Petch效應(yīng)

晶粒細化通過增加晶界面積,更有效地阻礙位錯運動。細晶組織還能均勻分散應(yīng)力,減少應(yīng)力集中。

實驗證據(jù)

在Sn-Bi-Ag合金中,Ag?Sn的細化作用使焊點在時效后仍保持細小晶粒,界面IMC層薄且穩(wěn)定。

四、固溶強化(次要貢獻)

Ag的固溶度

Ag在Sn中的固溶度有限,直接固溶強化作用微弱,可添加微量銻Sb元素,起到固溶強化的作用較為明顯。

間接影響

Ag?Sn的形成消耗部分Sn,可能略微改變基體成分,但主要強化作用仍來自Ag?Sn顆粒。

五、協(xié)同效應(yīng)與綜合性能提升

多機制協(xié)同

Ag?Sn釘扎:直接增強晶界抵抗變形能力。

抑制Bi偏聚:解決Sn-Bi合金晶界脆性問題。

晶粒細化:通過Hall-Petch效應(yīng)提供基礎(chǔ)強度,并增加有效晶界面積。

性能優(yōu)勢

強度與韌性:Sn-Bi-Ag合金抗拉強度達80MPa以上,延伸率16%-30%,顯著優(yōu)于Sn-Bi合金。

熱穩(wěn)定性:在120℃時效2000小時后,界面IMC層薄且未開裂,熱疲勞性能優(yōu)異。

工藝兼容性:低溫焊接(如150℃)減少熱損傷,適用于LED封裝、柔性電路板等場景。

六、結(jié)論

Ag的加入通過形成Ag?Sn并調(diào)控微觀組織,有效強化了Sn-Bi低溫焊料的晶界。這種多機制協(xié)同作用顯著提升了焊點的力學(xué)性能(強度、抗蠕變性)和可靠性(抗熱疲勞性),克服了Sn-Bi合金的固有缺陷。實際應(yīng)用中,Sn-Bi-Ag合金已成為新能源汽車電池極耳焊接、5G基站封裝等高要求場景的首選材料,展現(xiàn)了從“替代方案”到“主流選擇”的轉(zhuǎn)型潛力。

審核編輯 黃宇

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