圖1.(a)帶有諧振腔型 IDT 的 TBG 器件示意圖
2025年,復旦大學修發(fā)賢、張成團隊在《Nano Letters》發(fā)表題為"Phase Diagram Mapping of a Moiré System Using Surface Acoustic Waves"的研究成果,首次將表面聲波(SAW)技術應用于扭曲雙層石墨烯(TBG)摩爾系統(tǒng)。通過法布里-珀羅SAW諧振器(259.75 MHz)與1.04° TBG器件的集成,實現(xiàn)了對關聯(lián)絕緣態(tài)、陳絕緣體態(tài)和朗道能級的高靈敏度探測。實驗中,賽恩科儀OE2052鎖相放大器作為核心測量設備,成功解決了低電導態(tài)(10-6 S/m)信號微弱、易被噪聲淹沒的難題,為揭示量子態(tài)頻率依賴性提供了關鍵技術支持。
實驗材料準備
1.樣品制備(圖1)
· 基底:Y切鈮酸鋰(LiNbO3)襯底(避免鐵電極化摻雜效應)
· SAW諧振腔(IDT):工作頻率259.75 MHz,品質(zhì)因數(shù)Q=1850,輸出信號由OE2052檢測,需匹配輸入阻抗(典型50 Ω)
· TBG器件:機械剝離法制備1.04°扭曲雙層石墨烯,hBN封裝(20 nm),在低溫(1.8 K)環(huán)境工作,OE2052檢測其調(diào)制的SAW信號
圖1.(a)帶有諧振腔型 IDT 的 TBG 器件示意圖
(b)Y 型切割 NbLiO3 基底面上的 TBG 器件橫截面圖
測量系統(tǒng)搭建
圖2. 測量系統(tǒng)示意圖
★ 關鍵步驟:
1. 信號同步:
OE2052的參考輸入端連接射頻信號源,鎖定SAW頻率(259.75 MHz)
2. 降頻處理
使用混頻器將高頻SAW信號降頻至OE2052最佳檢測范圍,提升信噪比,避免高頻損耗
3. 參數(shù)提取
直接測量VSAW幅度(衰減 Γ)和相對于V0的相位差 Δθ(聲速變化 Δυ/υ)
4. 噪聲抑制
利用OE2052的高動態(tài)儲備(>120dB)和低輸入噪聲(<4nV/√Hz),在強電磁干擾環(huán)境(14T磁場)下穩(wěn)定工作,得到聲表面波測量結(jié)果(圖3、圖4)
圖3. 在B=14T時,CNP附近測得的聲表面波相移和經(jīng)度電阻的比較
圖4. 通過聲表面波傳輸?shù)碾妷旱臍w一化相位與摩爾填充因子和垂直磁場的函數(shù)關系
★ 信號檢測原理:
1. 相移測量(對應聲速變化):
· OE2052配置:時間常數(shù) τ=1s,等效噪聲帶寬 ENBW=0.25 Hz
· 靈敏度:可檢測0.01°相移(對應 σ_ω ≈ 10-7S變化)
2. 衰減測量(對應電導率):
Γ ∝V0/ Vsaw(峰值靈敏度在σω= σm)
★ 系統(tǒng)優(yōu)勢:
· 非接觸測量:僅需單點接地電極,避免傳統(tǒng)輸運測量的歐姆接觸問題
· 高信噪比:在9T強磁場下仍可分辨ν_L=-1朗道能級(傳統(tǒng)輸運無法檢測)
· 動態(tài)響應:通過柵壓掃描實時關聯(lián)填充因子 ν 與高頻電導率 σ_ω(圖5)
圖5. 通過聲表面波計算的高頻電導率,
(a)縱向傳輸電阻率 ρxx(黑色)和聲表面波重建電阻率 ρω,頻率為 fc = 259.75 MHz(紅色),由聲表面波相移計算得出,是零磁場下摩爾填充因子 v 的函數(shù)
(b)磁場下 v = +2 時的縱向電導率 σxx 和聲表面波重構(gòu)電導率 σω
(c)在零磁場下,v = +2 和 +4 時,ρxx 和 ρω 作為聲功率 P 的函數(shù)的比較
(d)電子在 Enk 和 Emk 之間轉(zhuǎn)變所產(chǎn)生的直流帶間電導率
(e)Enk 和 Emk ± ΔEω 之間電子轉(zhuǎn)變所產(chǎn)生的交流帶間電導率;與 nF(Emk)相比,半填充時的小平帶色散導致 nF(Emk±ΔEω)顯著降低,從而抑制了高頻電導率
由于頻帶色散較大,交流電導率沒有受到影響。
總結(jié)
OE2052高靈敏鎖相放大器在SAW-莫爾系統(tǒng)研究中展現(xiàn)出三大革命性優(yōu)勢:
■ 極限靈敏度:在低電導區(qū)域(10-6 S/m)信噪比提升100倍,成功探測"隱藏"量子態(tài)
■ 非接觸式測量:避免納米電極制備難題,特別適用于絕緣/半導態(tài)莫爾材料
■ 高頻電導解析:提供259.75 MHz射頻電導數(shù)據(jù),揭示平帶躍遷的量子幾何效應
該工作為研究扭曲二維材料(如MoTe2, WSe2)中的分數(shù)量子反?;魻栃_辟了新范式,相關技術已應用于上海量子科學研究中心。
審核編輯 黃宇
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