在過(guò)去幾十年里，摩爾定律指引著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，芯片制造工藝也在按部就班地推進(jìn)。但進(jìn)入了最近幾年，芯片的微縮周期因受到硅材料本身特性和設(shè)備的限制而逐漸變慢。換句話說(shuō)，摩爾定律失效了。

全球半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)規(guī)劃藍(lán)圖協(xié)會(huì)主席Paolo Gargini在早年也曾表示，按照最快的發(fā)展速度看，到2020年，我們的芯片線路可以達(dá)到2-3納米級(jí)別，然而在這個(gè)級(jí)別上只能容納10個(gè)原子。這時(shí)候芯片的電子將受限于量子的不確定性，晶體管變得不可靠，尋找硅以外的替代材料和新技術(shù)就成為工程師們的工作重點(diǎn)。

為了延續(xù)之前的芯片前進(jìn)步伐，產(chǎn)業(yè)研正在材料等方面探索芯片演進(jìn)的新解決辦法：More Moore、More than Moore和Beyond CMOS就成為了其中的選擇。其中More Moore和More than Moore被稱為非硅微電子學(xué)。

集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三個(gè)方向

根據(jù)定義，所謂More Moore是想辦法沿著摩爾定律的道路繼續(xù)前進(jìn)；More than Moore做的是發(fā)展在之前摩爾定律演進(jìn)過(guò)程中所謂開發(fā)的部分；Beyond CMOS做的是發(fā)明在硅基CMOS遇到物理極限時(shí)所能倚重的新型器件。如下圖所示，根據(jù)ITRS和IRDS的規(guī)劃，到10nm之后，三五族半導(dǎo)體、SiGe和Ge等高遷移非硅材料；TFET、NC警惕光和自旋電子等Beyond CMOS選擇將會(huì)成為產(chǎn)業(yè)追尋的新方向。

CMOS設(shè)備的進(jìn)化

但我們也應(yīng)該看到，在這些新方法后面，存在更多的問題。例如More Moore的漏電問題，More than moore的多模塊封裝，還有Beyond CMOS面臨的功耗瓶頸問題。

Beyond CMOS的功耗瓶頸

圍繞著這些新技術(shù)和新材料的電子遷移率、空穴遷移率、靜待遷移率，還有材料本身的各種表征特性，都是大家非常關(guān)注的。

為此，西安電子科技大學(xué)的韓根全教授作了一個(gè)題為《Ge based Tunneling and Negative Capacitance FETs: Devices andCharacterization》的演講，為大家解析芯片新思路背后的門道和解決方法。