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Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C浪涌保護(hù)裝置數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技觀察員 ? 2025-08-18 11:12 ? 次閱讀
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Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C浪涌保護(hù)器件專為箝位有害瞬變(如ESD和浪涌)而設(shè)計(jì)。TSD05是單向的,而TSD05C/TSD36C是雙向的。TSD05/TSD05C/TSD36C器件的額定靜電消散能力高達(dá) ±30kV(接觸和氣隙放電),超過了IEC 61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(等級(jí)4)規(guī)定的最高水平。

數(shù)據(jù)手冊(cè):

*附件:TSD05數(shù)據(jù)表.pdf

*附件:TSD05C,TSD36C數(shù)據(jù)表.pdf

TSD05/TSD05C/TSD36C具有穩(wěn)健的鉗位性能和低電容,是一款出色的TVS 二極管,可在許多應(yīng)用中保護(hù)數(shù)據(jù)線和電源線。Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引線式SOD-323封裝,易于焊接。

特性

  • IEC 61000-4-2 4級(jí)ESD保護(hù)
    • ±30kV接觸放電
    • ±30kV氣隙放電
  • IEC61000-4-5浪涌保護(hù)
    • TSD05 - 60A (8/20μs)
    • TSD05C - 30A (8/20μs)
    • TSD36C - 6.5A (8/20μs)
  • 低鉗位電壓
    • TSD05 -60A時(shí)為9V (8/20μs)
    • TSD05C - 30A時(shí)為11.5V (8/20μs)
    • TSD36C - 6.5A時(shí)為71V (8/20μs)
  • IO電容:
    • TSD05 - 19pF(典型值)
    • TSD05C:4pF(典型值)
    • TSD36C:4.3pF(典型值)
  • 直流擊穿電壓
    • TSD05 - 7V(典型值)
    • TSD05C - ±8V(典型值)
  • 超低漏電流:50nA(最大值)
  • 低ESD鉗位電壓
    • TSD05 - 7.5V(16A TLP時(shí))
    • TSD05C - 9.3V(16A TLP時(shí))
  • 工業(yè)溫度范圍:-55°C至+150°C
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOD-323引線封裝 (2.5mm × 1.2mm × 0.3mm)

功能框圖

1.png

?德州儀器TSDxx系列TVS二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、核心特性綜述

TSDxx系列是德州儀器(TI)推出的單向瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管家族,包含TSD03/05/12/15/18/24/36七種型號(hào),具有以下核心優(yōu)勢(shì):

  1. ?超強(qiáng)防護(hù)能力?:
    • IEC 61000-4-2 ESD防護(hù):±30kV接觸/空氣放電
    • IEC 61000-4-5浪涌防護(hù):7-60A(8/20μs波形)
  2. ?低損耗設(shè)計(jì)?:
    • 典型結(jié)電容<20pF
    • 最大漏電流僅50nA(全溫區(qū))
  3. ?工業(yè)級(jí)可靠性?:
    • 工作溫度范圍:-55℃至+150℃
    • 符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)

二、關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比

型號(hào)反向工作電壓(VRWM)擊穿電壓(VBR)浪涌電流(IPP)典型結(jié)電容
TSD033.6V4.5V@1mA25A20pF
TSD055.5V6V@1mA60A19pF
TSD1212V12.7V@10mA18A18pF
TSD3636V37.1V@10mA7A12pF

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. USB接口保護(hù)電路

  • ?布局要點(diǎn)?:
    • 采用TSD05就近布置在USB連接器VBUS引腳
    • 接地路徑長(zhǎng)度<5mm
  • ?實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)?:

2. 工業(yè)電源線保護(hù)

  • ?選型建議?:
    • 24V系統(tǒng)選用TSD24(VCLAMP=32V@9A)
    • 并聯(lián)100μF電解電容增強(qiáng)能量吸收
  • ?熱管理?:
    • SOD-323封裝θJA=693.9°C/W
    • 需保證PCB散熱銅箔面積≥15mm2
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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