電源適配器能將家庭用電的高電壓轉(zhuǎn)換成設(shè)備能工作的穩(wěn)定低電壓,確保設(shè)備正常運(yùn)行。除了電腦、手機(jī)、游戲機(jī),還廣泛配套于安防攝像頭、機(jī)頂盒、路由器、燈條、按摩儀等設(shè)備中。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案:U8722DE+U7110W。
E-GaN電源芯片U8722DE主要特征:
& 集成700V E-GaN
& 集成高壓啟動(dòng)功能
& 超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗<30mW
& 谷底鎖定模式,最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)
& 集成EMI優(yōu)化技術(shù)
& 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置
& 集成 Boost 供電電路
& 集成完備的保護(hù)功能:
VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)
輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)
輸入欠壓保護(hù) (BOP)
片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)
短路保護(hù) (SCP)
過(guò)載保護(hù) (OLP)
過(guò)流保護(hù) (SOCP)
前沿消隱 (LEB)
CS管腳開(kāi)路保護(hù)
& 封裝類型 ESOP-7
同步整流icU7110W電路設(shè)計(jì)布局參考如下:
1. 副邊主功率回路Loop的面積盡可能小。
2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容,盡量緊靠IC,Loop2的面積盡可能小。
3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻,推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響,HV檢測(cè)點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn),CCM應(yīng)力越小。如圖所示的High Side配置中,建議HV通過(guò)R2電阻連接到輸出電容的正端。
4. R1和C1構(gòu)成同步整流開(kāi)關(guān)的RC吸收電路,RC吸收回路Loop3的面積可能小。
5. Drain引腳的PCB散熱面積盡可能大。
6. 如圖所示,ASOP-6的封裝框架與Drain引腳電位相同,芯片切筋后,框架金屬有少量暴露,考慮到絕緣要求,外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。
E-GaN電源芯片U8722DE+同步整流ic U7110W,憑借超低啟動(dòng)電流和集成EMI優(yōu)化技術(shù),可顯著降低待機(jī)功耗,提升整體效率,實(shí)現(xiàn)快速充電的同時(shí)保持低功耗!
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原文標(biāo)題:5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案:U8722DE+U7110W
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