Texas Instruments TPS74701低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器可面向多種應(yīng)用提供易于使用的穩(wěn)健型電源管理解決方案。用戶可編程軟啟動可最大限度地減少輸入電源的壓力，減少了啟動時的電容涌流。軟啟動為單調(diào)設(shè)計(jì)，適合用于為多種不同類型的處理器和應(yīng)用特定的集成電路 (ASIC) 供電。使能輸入和電源良好輸出可通過外部穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)輕松排序。憑借全方位的靈活性，可為現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、數(shù)字信號處理器 (DSP) 等具有特殊啟動要求的應(yīng)用配置可滿足其時序要求的解決方案。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TPS74701低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊.pdf

高精度的參考和誤差放大器可在整個負(fù)載、線路、溫度和過程范圍內(nèi)提供2%精度。該器件在使用大于或等于2.2μF的任何類型電容器時都能保持穩(wěn)定運(yùn)行，并具有-40°C至+125°C的額定溫度范圍。Texas Instruments TPS74701采用小型3mm × 3mm VSON-10封裝，可與TPS74801兼容。

特性

• VOUT 范圍：0.8V至3.6V
• 超低VIN 范圍：0.8V至5.5V
• VBIAS 范圍：2.7V至5.5V
• 低壓差
• 電源正常（PG）輸出支持電源監(jiān)控或?yàn)槠渌娫刺峁┡判?a target="_blank">信號
• 500mA、VBIAS = 5V時的典型值為50mV
• 精度對線，負(fù)載以及溫度：2%
• 可編程軟啟動提供線性電壓啟動
• VBIAS 支持低VIN運(yùn)行，具有良好的瞬態(tài)響應(yīng)
• 與≥2.2μF的任何輸出電容器一起工作時均可保持穩(wěn)定
• 采用小型3mm × 3mm × 1mm 10引腳封裝

功能框圖

TPS74701 500mA低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

產(chǎn)品概述

TPS74701是德州儀器(TI)推出的500mA輸出電流低壓差線性穩(wěn)壓器，具有可編程軟啟動功能。該器件采用NMOS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有以下核心特性：

• ?超寬輸入電壓范圍?：0.8V至5.5V
• ?輸出電壓范圍?：0.8V至3.6V(可調(diào))
• ?極低壓差?：50mV典型值@500mA(VBIAS=5V)
• ?高精度輸出?：±2%精度(全溫范圍)
• ?集成保護(hù)功能?：短路限流、熱關(guān)斷
• ?緊湊封裝?：3mm×3mm VSON-10

關(guān)鍵電氣特性

絕對最大額定值

典型性能參數(shù)

• ?靜態(tài)電流?：1μA(關(guān)斷模式)
• ? 紋波抑制比(PSRR) ?：
  • 1kHz時60dB(VIN至VOUT)
  • 300kHz時50dB(VBIAS至VOUT)
• ?輸出噪聲?：25μVrms×VOUT(100Hz至100kHz)

核心技術(shù)創(chuàng)新

1. 雙電源架構(gòu)設(shè)計(jì)

• ?VIN?：主電源輸入(0.8-5.5V)
• ?VBIAS?：偏置電源(2.7-5.5V)
  • 當(dāng)VIN < VOUT+1.62V時必須使用
  • 提供柵極驅(qū)動電壓，改善低壓差性能

2. 可編程軟啟動

通過外部電容CSS實(shí)現(xiàn)：

• 啟動時間公式：tSS = (VREF×CSS)/ISS
  • 其中VREF=0.8V，ISS=440nA
• 最大推薦值15nF
• 典型配置：
  • 560pF → 1ms
  • 5.6nF → 10ms

3. 電源良好(PG)監(jiān)測

• 開漏輸出，需外接上拉電阻
• 閾值：90%VOUT(典型值)
• 可用于電源序列控制

行業(yè)解決方案

1. 網(wǎng)絡(luò)存儲設(shè)備

• 為FPGA I/O供電(1.2V/1.5V)
• 利用低噪聲特性為PLL供電
• 典型配置：
  • VIN=1.8V, VBIAS=5V
  • 效率達(dá)83%

2. 工業(yè)傳感器

• 4-20mA環(huán)路供電轉(zhuǎn)換
• 支持-40°C至125°C工作溫度
• 利用PG信號實(shí)現(xiàn)故障監(jiān)測

3. 服務(wù)器電源

• 為ASIC提供多路低壓電源
• 通過EN引腳實(shí)現(xiàn)時序控制
• 典型配置：
  • VIN=3.3V, VOUT=1.8V
  • COUT=47μF(低ESR)

熱設(shè)計(jì)指南

1. 功率計(jì)算

PD = (VIN - VOUT) × IOUT

2. 封裝熱阻

• RθJA：41.5°C/W(VSON-10)
• RθJC(top)：47.2°C/W

3. 布局建議

• 在器件下方設(shè)置散熱過孔陣列
• 保持輸入/輸出電容靠近引腳
• 反饋電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)靠近負(fù)載放置