文章來源:學(xué)習(xí)那些事
原文作者:前路漫漫
本文主要講述塑封工藝。
概述
塑封是微電子封裝中的核心環(huán)節(jié),主要作用是保護封裝內(nèi)部的焊線、芯片、布線及其他組件免受外界熱量、水分、濕氣和機械沖擊的損害,同時增強封裝的機械強度,便于后續(xù)貼片操作。按封裝材料劃分,電子封裝可分為金屬封裝、陶瓷封裝和塑料封裝三類。其中,塑料封裝因工藝簡便、成本低廉,占據(jù)了90%以上的市場份額,且這一占比仍在持續(xù)上升。在集成電路塑料封裝中,環(huán)氧模塑料是最常用的材料,在塑封材料中的占比超95%。
塑料按特性可分為熱塑性與熱固性兩類。熱塑性塑料的樹脂分子呈線性或支鏈狀結(jié)構(gòu),受熱時會軟化熔融,可塑造成特定形狀,冷卻后保持形態(tài),再次加熱仍能軟化熔融,可重復(fù)加工,成型過程通常僅涉及物理變化。
熱固性塑料則是通過加熱實現(xiàn)固化的聚合物材料,成型時同時伴隨物理與化學(xué)變化。這類材料在較低溫度下會熔融,具備良好流動性;注入模具后,在模具的溫度和壓力作用下發(fā)生化學(xué)交聯(lián)反應(yīng),長鏈分子轉(zhuǎn)化為密集的網(wǎng)狀交聯(lián)結(jié)構(gòu),最終固化成型。冷卻后,即便再次加熱也不會軟化,溫度過高時會出現(xiàn)碳化分解。
塑料成型技術(shù)多樣,包括轉(zhuǎn)移成型(又稱壓注成型、傳遞模塑)、壓縮成型(又稱模壓成型)和注塑成型等,其中轉(zhuǎn)移成型與壓縮成型在微電子封裝中應(yīng)用最為廣泛。
注塑成型是常見的塑料成型工藝,具有勞動強度小、成型周期短、產(chǎn)品質(zhì)量佳、模具使用壽命長、操作安全等優(yōu)勢。但在微電子封裝領(lǐng)域,由于引線框架在注塑模具中不易固定,且環(huán)氧模塑料采用該工藝難度較高,目前尚未投入實際應(yīng)用。
轉(zhuǎn)移成型技術(shù)整合了注塑成型與壓縮成型的優(yōu)點,設(shè)有獨立的加料室。模塑料在加料室內(nèi)受熱熔化后,在低壓作用下通過澆注系統(tǒng)快速注入已加熱的閉合模具型腔,隨后在型腔內(nèi)經(jīng)保溫保壓完成固化。其工藝流程如下:①將引線框架定位放入下模具;②合上上模具;③加入環(huán)氧模塑料(這類材料通常儲存在冷庫,使用前需在室溫下回溫);④進行預(yù)加熱;⑤通過活塞加壓,將模塑料壓入型腔;⑥保溫保壓,完成固化成型;⑦活塞撤離;⑧打開上模具;⑨取出成型樣品。

轉(zhuǎn)移成型具有壓注時間短、成型快速、生產(chǎn)效率高的特點,適合加工薄壁、壁厚不均、含細(xì)薄金屬嵌件、帶深孔及形狀復(fù)雜的塑件,尤其適用于電子元器件的塑封。經(jīng)其塑封的元器件精度高、尺寸穩(wěn)定,無氣孔和縮孔,且電性能、耐濕性良好,是微電子封裝中應(yīng)用最廣的成型技術(shù)。不過,該技術(shù)也存在不足:一是模塑料利用率僅約70%;二是填充料分布不夠均勻;三是樹脂流動可能對芯片和焊線產(chǎn)生應(yīng)力;四是在薄包封上蓋及大面積襯底封裝時,可能出現(xiàn)封裝不充分的問題。
與轉(zhuǎn)移成型不同,壓縮成型的加料室與型腔是一體的。模塑料直接放入已加熱至成型溫度的敞開型腔中,塑化與固化過程均在型腔內(nèi)完成。但塑料粉末可能干擾合模定位銷及用于孔成型的金屬嵌件位置,導(dǎo)致塑件精度不足,影響產(chǎn)品質(zhì)量,且成型效率較低,因此早期塑封多采用轉(zhuǎn)移成型工藝。

隨著封裝厚度逐漸變薄,以及大尺寸襯底封裝、大面積扇出式晶圓級封裝等新工藝的發(fā)展,轉(zhuǎn)移成型的缺陷愈發(fā)明顯,已難以滿足需求。而壓縮成型能很好地解決這些問題,在薄型封裝、低翹曲封裝、大尺寸襯底封裝及大面積扇出式晶圓級封裝中得到了有效應(yīng)用。關(guān)于轉(zhuǎn)移成型與壓縮成型在微電子封裝中的差異,可參考相關(guān)對比表。
壓縮成型的工藝流程如下:①打開上下模具,將基板定位在上模具,通過真空吸附將分離膜貼合到下模具表面,并在膜上放置模塑料粉末;②合上上下模具,對模塑料進行預(yù)加熱;③下模具活動部分上移,模塑料在垂直壓力作用下流動;④模塑料填滿型腔,并在溫度與壓力作用下固化。

塑封后續(xù)步驟
塑封工序完成后,還需進行后續(xù)的固化處理。具體操作是將塑封后的樣品放入烤箱,在170-180℃的溫度下烘烤8小時,以此確保環(huán)氧模塑料充分固化,同時消除塑封過程中產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力。
經(jīng)過模塑處理后,封裝表面會殘留溢出的模塑料,且烘烤后的引線框架表面可能出現(xiàn)氧化層,這些都需要清除干凈,以便后續(xù)的電鍍工序順利進行。傳統(tǒng)的去溢料方法包括機械噴砂(分干法和濕法)、堿性電解法以及化學(xué)浸泡結(jié)合高壓水噴射法。隨著激光加工技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用推廣,全自動激光去溢料技術(shù)逐漸發(fā)展起來,該技術(shù)具有清理徹底、效率大幅提升的優(yōu)勢。
為提升引線框架引腳的可焊性與導(dǎo)電性,同時抵御潮濕、高溫等外界不利環(huán)境的影響,塑封完成后的引線框架需通過電鍍或浸錫工藝,在引腳上覆蓋一層薄薄的保護性金屬層,目前以電鍍工藝為主。電鍍主要有含鉛和無鉛兩種類型,早期多采用含鉛電鍍,出于環(huán)保要求,現(xiàn)在主流為無鉛電鍍,即使用高純度錫鍍層或錫銀鍍層。電鍍過程在流水線式的電鍍槽中進行:先在專門的上料臺放置引線框架,隨后框架被傳送至裝有電鍍液的電鍍槽,作為陰極浸入其中,金屬離子在獲得電子后沉積到引腳上完成電鍍,最后送至下料臺取出。
電鍍完成后,還需進行退火處理,通常是在145-155℃的溫度下保持2小時。這一步的作用是讓無鉛鍍層在高溫烘烤后,通過內(nèi)部結(jié)構(gòu)的調(diào)整來抑制鍍層中晶須的生長。晶須是指在長期潮濕或溫度變化的環(huán)境中,從材料表面生長出的須狀晶體,可能導(dǎo)致產(chǎn)品引腳短路,而無鉛鍍層中較易出現(xiàn)晶須,存在短路風(fēng)險。
要理解錫須,先明確晶須的定義:晶須是一種發(fā)絲狀晶體,能從固體表面自然生長,又稱“固有晶須”。多種金屬表面會生長晶須,常見的有錫、鎘、鋅、銻、銦等,錫鉛合金上也可能出現(xiàn),但概率較低;而鉛、鐵、銀、金、鎳等金屬表面則很少出現(xiàn)。一般來說,晶須現(xiàn)象更易發(fā)生在質(zhì)地較軟、延展性好的材料上,尤其是低熔點金屬。
錫的晶須簡稱錫須,呈單晶體結(jié)構(gòu),具有導(dǎo)電性。其形狀多為直狀、扭曲溝狀或交叉狀,有時為中空結(jié)構(gòu),外表面帶有溝槽。錫須直徑可達(dá)10微米,長度甚至能超過9毫米,可承載10毫安的電流,電流過大時通常會被燒斷。
錫須的生長速率通常在每年0.03-0.9毫米之間,在特定條件下可能加快100倍以上。其生長速率受多種復(fù)雜因素影響,包括鍍層的電鍍化學(xué)過程、鍍層厚度、基體材料、晶粒結(jié)構(gòu)以及儲存環(huán)境等。錫須多從電鍍層開始生長,且存在較長的潛伏期,從幾天到數(shù)月甚至數(shù)年不等,因此其可能帶來的危害難以準(zhǔn)確預(yù)測。
一般而言,錫須產(chǎn)生的原因主要有兩點:一是錫與銅之間發(fā)生相互擴散,形成金屬化合物,導(dǎo)致錫層內(nèi)壓應(yīng)力急劇增加,促使錫原子沿晶體邊界擴散,進而形成錫須;二是電鍍后鍍層存在殘余應(yīng)力,引發(fā)錫須生長。
抑制錫須生長的方法主要有以下幾種:一是采用電鍍霧錫,通過改變晶體結(jié)構(gòu)來減小應(yīng)力;二是在150℃下烘烤2小時進行退火處理(實驗表明,溫度高于90℃時,錫須會停止生長);三是在Enthone FST浸錫工藝中添加少量有機金屬添加劑,以限制錫銅金屬互化物的生成;四是在錫與銅之間添加一層阻擋層,如鎳層;五是在錫中添加鉛曾是抑制錫須的有效方法,但因鉛不環(huán)保,需從其他角度尋找解決方案;六是添加1%-2%的黃金,也能有效抑制錫須生長。
切筋成型包含切筋與成型兩道工序。其中,切筋是將整片引線框架分割為獨立單元的過程;成型則是對已分割的單元進行引腳加工,使其形成工藝所需的形狀,之后放入料管或料盤中。簡單來說,切筋成型工藝就是先把原本的大塊引線框架切割成若干小分塊,再對這些小分塊進行處理,讓引腳達(dá)到規(guī)定形態(tài)。這兩道工序有時會同步完成,有時也會分開進行。部分企業(yè)會先進行切筋,接著完成上錫,再開展成型工藝,通過這種方式減少引腳截面未鍍上焊錫的面積。
作為電子封裝產(chǎn)業(yè)的分支技術(shù),IC切筋成型技術(shù)在產(chǎn)業(yè)近年來的快速擴張推動下實現(xiàn)了迅猛發(fā)展。隨著封裝形式從DIP、SOP、QFP逐步向CSP等演進,其與電路板的連接方式、引腳數(shù)量都發(fā)生了顯著變化,這對切筋成型的工藝標(biāo)準(zhǔn)提出了越來越高的要求。
激光打碼是利用激光束在封裝的正面或背面標(biāo)注標(biāo)識,這些標(biāo)識包含國家、制造商、器件代碼、生產(chǎn)批次等信息,便于產(chǎn)品的使用與追溯。
完成打碼后,需對成品電路的外觀進行檢查,合格產(chǎn)品將按照包裝規(guī)范進行包裝,包裝方式包括料管、料盤、卷帶盤等。
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