人工智能掀起的高算力浪潮中，算力中心日夜不息地運轉(zhuǎn)，訓(xùn)練著龐大的模型，支撐著自動駕駛、科學(xué)發(fā)現(xiàn)和智能體機器人技術(shù)的快速發(fā)展。然而，這輝煌算力背后卻藏著不容忽視的“能量焦慮”--急劇增長的電力消耗與轉(zhuǎn)換效率瓶頸。傳統(tǒng)硅基功率器件這只能量轉(zhuǎn)換的“老舊心臟”，在高頻、高溫的極限環(huán)境下已日益力不從心。

這場能源革命的曙光，落在了第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)身上。

PART01破局者誕生：碳化硅功率器件的核心優(yōu)勢

如果說傳統(tǒng)硅(Si)材料打造的功率器件是我們熟悉的“蒸汽機”，那么碳化硅功率器件便是新時代的“內(nèi)燃機”，實現(xiàn)了能源轉(zhuǎn)換效率的顛覆性跨越。作為功率半導(dǎo)體材料的新物種，材料特性獨具一格：

相對于第一代(硅基)半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體(碳化硅等)禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高。第三代半導(dǎo)體的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，具有更強的耐高壓、高功率能力，耐溫能力大幅提升(最高200°C以上，硅器件極限約150°C)，高溫可靠性無可比擬;

碳化硅更適合作為襯底材料：在高壓和高可靠性領(lǐng)域選擇碳化硅外延;

碳化硅襯底器件體積?。河捎谔蓟杈哂休^高的禁帶寬度，碳化硅功率器件可承受較高的電壓和功率，其器件體積可變得更小，約為硅基器件的1/10。同樣由于碳化硅較高的禁帶寬度，碳化硅器件可進行重摻雜，碳化硅器件的電阻將變得更低，約為硅基器件的1/100。

碳化硅襯底材料能量損失?。涸谙嗤碾妷汉娃D(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%～60%之間;800V時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%～50%之間。碳化硅器件的能量損失更小。

碳化硅功率器件卓越的性能，帶來了電力電子系統(tǒng)層面的躍升表現(xiàn)

--更優(yōu)轉(zhuǎn)換效率：碳化硅材料的核心指標優(yōu)勢使系統(tǒng)綜合效率得以極致突破，電能損耗可大幅降低;

--更強功率密度：更高頻的開關(guān)允許電路中使用更小的磁性元件(電感、變壓器)，電源整體尺寸可縮小30%～50%;

--更簡冷卻系統(tǒng)：低發(fā)熱使得所需冷卻資源大幅縮減，冷卻結(jié)構(gòu)設(shè)計得以簡化。

PART02高算力背后的電力脈搏：碳化硅的應(yīng)用戰(zhàn)場

在算力中心與電力基礎(chǔ)設(shè)施的心臟部位，碳化硅功率器件已成為高電壓、大功率應(yīng)用的隱形“力量源泉”。

AI算力中心的“能源命脈”

-- 服務(wù)器電源(PSU)：數(shù)據(jù)中心海量服務(wù)器需要超高效率、極高功率密度的電源單元。全球領(lǐng)先電源廠商已發(fā)布超過鈦金級效率的3kW+碳化硅電源模塊，能將整機效率拉升到97%+以上;

--高壓直流供電(HVDC)：直接支持400V～1000V直流輸入，減少轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，損耗預(yù)計降低30%以上;

--不間斷電源(UPS)：備用電源效率提升是關(guān)鍵。碳化硅UPS系統(tǒng)實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的98%+效率，同時在功率密度、體積上也極具優(yōu)勢，100kW~200kW 的碳化硅UPS已經(jīng)陸續(xù)量產(chǎn);

--機架級配電：48V母線和新型分布式架構(gòu)中，SiC功率芯片負責(zé)高壓到中低壓的高效、高頻降壓轉(zhuǎn)換。

支撐算力基石的“綠色樞紐“

--光伏/儲能變流器：光伏發(fā)電和電網(wǎng)級儲能裝置中，碳化硅功率器件讓逆變器效率可超過99%。

--新能源充電樁：電動汽車快速發(fā)展的支撐關(guān)鍵，15分鐘充滿電的超級快充需800V/1000V高壓平臺。碳化硅模塊滿足高電壓(1200V/2000V)高頻高功率要求。

未來科技的”動力心臟“

--電動汽車：從電機驅(qū)動控制器(電驅(qū))、車載充電器(OBC)到DC/DC變換器，采用碳化硅可有效實現(xiàn)5%～10%的系統(tǒng)效率提升，同等電量下續(xù)航延長30公里以上。

--高速軌道交通、工業(yè)電機驅(qū)動：碳化硅是高頻、大功率應(yīng)用的理想選材。

PART03因果循環(huán)：人工智能如何驅(qū)動碳化硅革命

這是一個不可分割的因果閉環(huán)鏈：

· AI引爆算力 算力渴求電力 效率亟待提升 硅基功率芯片效率已達瓶頸

· SiC帶來電力電子效率革命 更高效能源轉(zhuǎn)換支撐更龐大算力 推動更復(fù)雜的AI落地

沒有碳化硅功率器件對電力損失的精簡優(yōu)化，支撐千萬級服務(wù)器的數(shù)據(jù)中心根本無法運作，更不可能為ChatGPT這樣的人工智能提供穩(wěn)定澎湃的基礎(chǔ)保障。每一次AI模型的迭代背后，都是高效電力心臟“泵血”能力的躍遷式支撐。

當千層算法在計算洪流中奔涌探尋智慧之光，是碳化硅功率器作為隱形的能量心臟，在高頻節(jié)律中泵送著支撐未來所需的磅礴能量。它不再只是硬件清單中的尋常元器件--從算力中心、智能電網(wǎng)到風(fēng)馳電掣的電動汽車，每一份高效電能都在突破硅時代的物理邊界，重繪AI時代的能源圖景?；蛟S這硬核革命終將隱匿于技術(shù)進步的光輝之中，但這枚第三代“電力之心”在高算力時代的核心價值不言自明--它帶來的不僅是能效躍升的百分點，更是通往智能時代的能源通行證。

硅基時代的老舊心臟漸弱，碳化硅芯的電力脈搏已在高算力胸腔中強勁共振。

當萬億參數(shù)規(guī)模的GPT模型在服務(wù)器陣列中高速運行，300億美元的碳化硅市場如同新生血管般在全球電力網(wǎng)絡(luò)深處悄然延伸--每一次計算脈沖的傳遞，都是新材料對物理極限的重新定義。

森國科作為中國第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)功率器件的領(lǐng)軍企業(yè)，是驅(qū)動AI算力時代高效能基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵賦能者，歷經(jīng)8年的努力，推出了覆蓋650V, 1200V, 1500V, 2000V 系列的碳化硅功率器件及模塊，成為革新電源系統(tǒng)效率的“硬核力量”。森國科正以SiC之“芯”，為澎湃的AI算力打造高效、綠色的“電力血管”。

關(guān)于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都設(shè)有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學(xué)歷占比50%，來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構(gòu)，囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC及FOC電機的驅(qū)動。經(jīng)過5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線的團隊在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)?；旌?、電機驅(qū)動算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機驅(qū)動芯片方面，成功推出了單相BLDC散熱風(fēng)扇電機系列和三相BLDC電機驅(qū)動系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司!