一、引言

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓清洗設(shè)備對保障芯片生產(chǎn)質(zhì)量至關(guān)重要。東京電子的 CELLESTA 系列二手晶圓清洗設(shè)備 CELLESTA -i MD 在市場上具有一定份額，其現(xiàn)場驗機測試流程的規(guī)范性直接影響設(shè)備后續(xù)使用性能及芯片良品率。本文將詳細闡述該設(shè)備現(xiàn)場驗機測試全流程規(guī)范。

二、設(shè)備入場前準備

在設(shè)備到達現(xiàn)場前，需確保場地具備合適的空間及環(huán)境條件，溫度控制在 22±2℃，相對濕度維持在 40%-60%。同時，完成水、電、氣等基礎(chǔ)設(shè)施的連接規(guī)劃，保證其規(guī)格與設(shè)備要求匹配，如電源電壓穩(wěn)定在設(shè)備額定電壓的 ±5% 范圍內(nèi)。

三、設(shè)備組裝與初始設(shè)置

設(shè)備入場后，依據(jù)安裝手冊有序完成設(shè)備模塊對接及組裝工作。完成硬件組裝后，進行設(shè)備初始設(shè)置，包括系統(tǒng)參數(shù)的錄入，如清洗液流量、溫度、壓力等基礎(chǔ)參數(shù)的預(yù)設(shè)，這些參數(shù)需根據(jù)設(shè)備既定標準及后續(xù)測試需求進行初步設(shè)定。

四、單機可靠性測試

（一）硬件功能測試

對設(shè)備的軟件通訊功能進行測試，確保上位機與設(shè)備各部件間數(shù)據(jù)傳輸準確、穩(wěn)定。針對機械手傳片功能，模擬不同工況下的傳片操作，測試其定位精度及傳片穩(wěn)定性，定位誤差應(yīng)控制在 ±0.1mm 以內(nèi)。同時，啟動反應(yīng)腔射頻系統(tǒng)，檢測其輸出功率穩(wěn)定性等指標，確保符合設(shè)備技術(shù)規(guī)格。

（二）工藝指標測試

選取標準晶圓，進行清洗工藝試驗。檢測清洗后晶圓表面顆粒殘留量，要求每平方厘米顆粒數(shù)不超過 5 個；測試晶圓表面金屬離子殘留濃度，如銅離子殘留濃度需低于 1×101? atoms/cm2。通過多批次測試，評估工藝指標的一致性。

（三）工藝穩(wěn)定性測試（工藝馬拉松測試）

連續(xù)進行一定時長（如 48 小時）的清洗工藝測試，期間定時抽取晶圓檢測清洗效果。觀察清洗液消耗情況、設(shè)備運行狀態(tài)等參數(shù)，確保設(shè)備在長時間運行下工藝穩(wěn)定性良好，無明顯性能衰退。

五、小批量生產(chǎn)驗證

在工藝指標滿足要求基礎(chǔ)上，進行小批量（如 50 片）晶圓生產(chǎn)驗證。對生產(chǎn)出的晶圓進行全面性能檢測，包括薄膜厚度均勻性、表面粗糙度等指標。同時，檢查設(shè)備在批量生產(chǎn)下的運行穩(wěn)定性，如機械手傳片效率、各模塊協(xié)同工作的流暢性等，確保設(shè)備能適應(yīng)一定規(guī)模的生產(chǎn)需求。

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