中微愛芯為AiP8F35XX系列芯片提供一份產(chǎn)品開發(fā)指南，幫助用戶快速掌握芯片性能，降低產(chǎn)品開發(fā)周期，提高開發(fā)效率。

1.觸摸應(yīng)用場景

AiP8F35XX觸摸芯片應(yīng)用范圍：彈簧按鍵、隔空觸摸、滑輪滑條。

2.外部晶振選擇

（涉及AiP8F356X系列）

AiP8F356X外部晶振可選擇HXT/LXT，當使用HXT晶振端口復用為LXT時，無需等待振蕩穩(wěn)定標志位。

3.E2PROM讀/寫規(guī)范

（涉及AiP8F350X、AiP8F351X、AiP8F353X系列）

在E2PROM數(shù)據(jù)讀或者寫時，建議關(guān)閉總中斷，操作完之后再打開總中斷。

編程函數(shù)可直接采用我司提供外設(shè)庫。

數(shù)據(jù)寫入

數(shù)據(jù)讀取

在E2PROM/FLASH和UART同時使用時，當UART使能接收中斷時，則要求E2PROM/FLASH操作之后清除UART溢出錯誤標志位。

4.定時器輸出精確定時

（涉及AiP8F35XX全系列）

當用戶開啟觸摸功能，同時需要定時器輸出精準波形驅(qū)動相關(guān)器件(如蜂鳴器)，一般建議將當前定時器的中斷優(yōu)先級提高即可：

例如：采用T0定時器軟件輸出PWM驅(qū)動BUZZ或者點亮LED，將T0中斷優(yōu)先級設(shè)置最高（IP0 |= 0X20; IP1 |= 0X20）

5.KEYCODE寄存器

（涉及AiP8F35XX全系列）

以下寄存器需要對KEYCODE寄存器寫入固定值已解鎖寫保護：

注：

1、需預(yù)先寫入KEYCODE解鎖寫保護：0x3C、0x02、0xA0，寫結(jié)束后寫入0x00打開寫保護

2、需預(yù)先寫入KEYCODE解鎖寫保護：0x3C、0x02、0xA1，寫結(jié)束后寫入0x00打開寫保護

范例：例如程序中需要關(guān)閉ADC的外設(shè)時鐘，軟件中如下操作：

6.WDT時鐘源

（涉及AiP8F353X系列）

當WDT工作在定時器模式并打開中斷時，禁止選擇預(yù)分頻時鐘中LIRC作為時鐘。如下表所示：

建議：WDT時鐘源采用Fx(FRECK[1:0])，或者直接選擇LIRC/256（WDTCK = 1）。

FRECR寄存器

WDTCR寄存器

7.IIC主從通信

（涉及AiP8F353X系列）

7.1. 從機通信速率

當IIC工作在從機模式下，通過中斷處理收發(fā)數(shù)據(jù)時，最大通信速率不要超過20K。

注：主從通信范例程序可參考外設(shè)庫中提供范例。

7.2. STOPF標志位清零

IIC主機在發(fā)送完STOP信號后需手動清除STOPF標志位。

C語言示例：

8.SPI通信速率

（涉及AiP8F351X、AiP8F353X、AiP8F356X系列）

SPI通信速率最快不能超過2M。

9.喚醒

（涉及AiP8F356X系列）

該芯片停振檢測中斷無法喚醒IDLE模式。

10.最低工作電壓

（涉及AiP8F356X系列）

該芯片最低工作電壓為2.2V。

11.AC高壓過零信號檢測

（涉及AiP8F35XX全系列）

硬件方案：采用隔離式檢測，同時在芯片檢測端口添加一個RC濾波模塊。如下：

方式1：采用光耦隔離

方式2：采用三極管隔離

12.不同外設(shè)中斷共用同一個中斷使能位

（涉及AiP8F351X、AiP8F353X、AiP8F356X系列）

原則：中斷標志位需要第一時間清除。

如AiP8F3264芯片中，ADC和SPI共用同一個中斷使能位INT15E，當該位置1時，則開啟ADC和SPI中斷。當軟件中同時使能ADC和SPI功能時，則要求上述兩個外設(shè)的中斷標志位需第一時間清除。

13.VDD和GND的處理

（涉及AiP8F35XX全系列）

為了提高芯片電源的穩(wěn)定性，芯片VDD與GND之間必須加100nF電容。

芯片VDD與GND走線寬度不低于30mil。

14.觸摸電阻選擇

（涉及AiP8F35XX全系列）

為了提高觸摸的可靠性，提升一次通過CS實驗(注入電流)通過率，建議MCU觸摸引腳與彈簧之間串聯(lián)電阻，阻值范圍：4.7K-10K， 推薦使用10K。

觸摸電阻盡量靠近芯片引腳。

錯誤：電阻距離芯片太遠

正確：電阻靠近芯片

15.系統(tǒng)上電初始化注意事項

（涉及AiP8F350X、AiP8F351X系列）

由于芯片初始上電時，默認開啟LVR為1.6V，系統(tǒng)時鐘采用1M工作。當用戶將系統(tǒng)時鐘切換到16M工作時，則該頻率下的最低工作電壓必須高于3V；如果出現(xiàn)電源慢上電情況，且電壓在3V以下1.6V以上同時將系統(tǒng)時鐘切換到16M時，則容易出現(xiàn)芯片死機現(xiàn)象。

建議如下：

第一步：延時100-200ms，等待電源穩(wěn)定

第二步：設(shè)置LVR

第三步：設(shè)置系統(tǒng)時鐘頻率

16.UART使用注意事項

（涉及AiP8F35XX全系列）

16.1. 全雙工通信設(shè)計

UART發(fā)送完成中斷標志位TC和接收中斷標志位RXNE在同一個寄存器上，此寄存器不能位操作，所以在清除TC和RXNE時會對整個寄存器進行與操作，這樣當UART進行全雙工通信時發(fā)送和接收中斷有可能同時產(chǎn)生，或者是兩者之間間隔時間很短，會出現(xiàn)TC或者RXNE被誤清除導致中斷丟失的風險，因此在全雙工通信應(yīng)用場景中，中微愛芯獨特的位操作設(shè)計可避免該風險的產(chǎn)生。設(shè)計原理：TC和RXNE該位只可讀或者寫0，無法寫1，這樣通過對標志位直接賦值0的方式來進行位清除，無需通過與操作。具體如下：

17.STOP模式喚醒注意事項

（涉及AiP8F350X、AiP8F351X、AiP8F353X系列）

為了消除外部中斷有概率無法喚醒STOP的問題，現(xiàn)建議用戶如下操作：

步驟1：進入STOP模式之前，關(guān)閉總中斷。

步驟2：清除項目中開啟中斷的中斷標志位

步驟3：進入STOP狀態(tài)

步驟4：退出STOP模式，恢復總中斷

18.通信線硬件注意事項

18.1. 芯片UART、I2C、SPI等與另外一顆MCU或者WIFI通信

為了降低外接通信引腳對觸摸的影響，則可以在通信引腳上加100~220pF電容來降低外部干擾到芯片觸摸的影響。 一般建議通信引腳串聯(lián)電阻(100-510歐姆)、電容(100~220pF)形成RC濾波，其中電容需盡量靠近MCU引腳。

兩顆MCU間UART通信

MCU與WIFI通信

18.2. MCU與LED、LCD、時鐘電路等驅(qū)動芯片連接的通信

一般建議通信引腳串聯(lián)電阻(100-510歐姆)、電容(100~220pF)形成RC濾波，其中濾波電容需盡量靠近MCU引腳。

18.3. AD、編碼器、紅外等信號輸入引腳

外部信號一般建議采用RC濾波后，再進入MCU引腳用于檢測。其中濾波電容C盡量靠近MCU芯片引腳。

19.HXT使用注意事項

（涉及AiP8F35XX全系列）

必須使用規(guī)格小于等于24MHz的高速晶振進行4分頻配置后才可作為系統(tǒng)時鐘，為了提高晶振及芯片的穩(wěn)定性，建議PCB晶振接口設(shè)計應(yīng)當盡量靠近芯片晶振引腳（5mm左右），如下圖所示：

關(guān)于中微愛芯

無錫中微愛芯電子有限公司成立于2004年，是一家以集成電路設(shè)計、測試、方案開發(fā)、銷售和服務(wù)為主的高新技術(shù)企業(yè)，是工信部認定的集成電路設(shè)計企業(yè)，是國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)。產(chǎn)品已形成MCU、LCD顯示、LED顯示、通用邏輯、信號鏈、馬達&柵驅(qū)動、功率器件、電源、音響、遙控器、通信、配套等多個系列幾千款產(chǎn)品，覆蓋消費電子、網(wǎng)通產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備、新能源、汽車電子等多個領(lǐng)域。