在做電力電子設(shè)計(jì)的朋友，經(jīng)常會(huì)遇到一個(gè)選擇題：IGBT 和 MOSFET，到底該用哪個(gè)?

這兩個(gè)器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手，常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動(dòng)汽車(chē)、電源模塊等場(chǎng)景。但它們各自的“性格”不一樣，理解清楚才能用得順手。今天就帶大家來(lái)拆解一下。

01

MOSFET 是誰(shuí)?IGBT 又是啥?

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)

本質(zhì)是“電壓驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通靠電子流動(dòng)”。優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功耗低、導(dǎo)通電阻小。像 PowerMaster 的系列 MOSFET，就專(zhuān)門(mén)針對(duì)低壓高速場(chǎng)景做了優(yōu)化，在高頻開(kāi)關(guān)電源里效率表現(xiàn)很亮眼。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

可以理解為“MOSFET 的輸入端 + BJT 的輸出端”。它有 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)優(yōu)勢(shì)，又有 BJT 承受大電流的能力。Trinno 的 IGBT 在中高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和光伏逆變器里應(yīng)用廣泛，耐壓高，可靠性強(qiáng)。

一句話總結(jié)：MOSFET 更像短跑健將，IGBT 更像大力士。

02

核心區(qū)別：導(dǎo)通損耗 vs. 開(kāi)關(guān)速度

03

應(yīng)用場(chǎng)景怎么選?

低壓高速場(chǎng)合(<600V)比如：開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 模塊、服務(wù)器電源、快充適配器 ——

MOSFET 更合適。這里像 PowerMaster 的低導(dǎo)通電阻 MOSFET，就常被用在高效率 DC-DC 電路里。

(在高頻下依然保持較高效率，適合快充電源、服務(wù)器電源等場(chǎng)景)

中高壓大功率場(chǎng)合(600V 以上)比如：光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、軌道交通、工業(yè)變頻器 ——

IGBT 更常見(jiàn)。Trinno 的 IGBT 模塊在這些大功率系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定，工程師評(píng)價(jià)普遍是“耐壓可靠，不怕硬仗”。

值得注意的是，SiC(碳化硅)MOSFET 正在崛起，能同時(shí)兼顧高壓和高速，逐漸在高端市場(chǎng)挑戰(zhàn) IGBT 的地位。

04

工程師的小建議

如果你做的是幾百瓦級(jí)別、低電壓、追求高頻效率，像 PowerMaster 的 MOSFET 產(chǎn)品就很值得關(guān)注。

如果你做的是幾千瓦甚至兆瓦級(jí)別、大電流、高壓場(chǎng)景，Trinno 的 IGBT 模塊會(huì)讓你省心不少。

當(dāng)然，如果預(yù)算夠，也可以嘗試 SiC MOSFET —— 不過(guò)要注意成本。

MOSFET 和 IGBT 并不是“誰(shuí)好誰(shuí)壞”的關(guān)系，而是不同應(yīng)用的最佳拍檔：

MOSFET：快、靈活，適合中低壓場(chǎng)景。

IGBT：穩(wěn)、能扛，適合高壓大功率。

選型時(shí)可以參考一句老話：用 MOSFET 做快的，用 IGBT 扛大的。

而在具體產(chǎn)品選擇上，PowerMaster 的 MOSFET 和 Trinno 的 IGBT，都是工程師常用的可靠選擇。