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BQ25628/BQ25629評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-28 11:43 ? 次閱讀
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Texas Instruments bq25628EVM和bq25629EVM評估模塊有助于評估bq25629和bq25629輸入I2C控制單節(jié) (1S) NVDC充電器。bq25628EVM和bq25629EVM評估模塊設(shè)有螺釘接線端子,用于連接外部電源。TI bq25628EVM和bq25629EVM為EV2400或USB2ANY接口控制器提供連接。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments bq25628EVM和bq25629EVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 用于BQ25628或BQ25629器件的評估模塊
  • 接線端子中設(shè)有螺釘,用于連接外部電源、負載模擬器、電池模擬器、熱敏電阻器或?qū)嶋H電池組
  • USB mini連接器,用于連接USB電源,并使用D+和D-線路設(shè)置充電器的輸入電流限制
  • 連接可選的EV2400接口板控制器
  • 用于關(guān)鍵電壓信號和10mΩ串聯(lián)電阻器的測試點,可輕松測量輸入、系統(tǒng)或電池電流

PCB布局

1.png

測試設(shè)置

2.png

BQ25628/BQ25629評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、產(chǎn)品概述?
Texas Instruments推出的BQ25628/BQ25629評估模塊(EVM)是專為單節(jié)電池充電管理設(shè)計的開發(fā)平臺,支持NVDC(窄壓直流)電源路徑管理、I2C通信控制及OTG(On-The-Go)反向升壓輸出功能。兩款器件均采用集成ADC設(shè)計,適用于便攜式設(shè)備、IoT終端等需高效充電與電源管理的場景。模塊型號BMS050兼容BQ25628EVM和BQ25629EVM,硬件設(shè)計高度一致,僅通過跳線配置區(qū)分功能差異。

?二、核心特性?

  1. ?NVDC電源路徑管理?
    • 支持系統(tǒng)負載與電池充電的動態(tài)優(yōu)先級分配,確保系統(tǒng)在低電量時仍可優(yōu)先供電。
    • 輸入電壓范圍3.9V至18V,兼容USB Type-C、適配器等多種電源輸入。
  2. ?I2C可編程控制?
    • 通過EV2400或USB2ANY接口板實現(xiàn)實時參數(shù)配置(如充電電流、電壓閾值)。
    • 內(nèi)置狀態(tài)寄存器可監(jiān)控充電狀態(tài)、故障報警等信息。
  3. ?OTG反向升壓功能?
    • 支持5V/1.2A輸出,可為外設(shè)供電,適用于移動電源應(yīng)用。
    • 通過VPB引腳狀態(tài)LED直觀顯示升壓模式激活狀態(tài)。
  4. ?硬件設(shè)計亮點?
    • 提供測試點覆蓋關(guān)鍵信號(VBUS、BAT、SYS等),便于調(diào)試。
    • 跳線配置靈活,支持快速切換工作模式(如D+/D-檢測模擬)。

?三、評估模塊使用指南?
?1. 硬件配置?

  • ?電源與負載連接?
    • 輸入電源:5V/3A直流電源接入J1(VIN/GND)。
    • 電池模擬:4象限電源或電子負載接J4(BAT/GND),電壓范圍0-4.8V。
  • ?跳線設(shè)置?
    • 參考手冊Table 1-3配置JP1-JP15,例如:
      • JP6(D-連接)需根據(jù)BQ25628/9型號選擇安裝。
      • JP13(TS分壓)需短接以模擬25℃電池環(huán)境。

?2. 軟件工具鏈?

  • ?BQStudio配置步驟?
    1. 安裝BQStudio并加載對應(yīng)器件配置文件(.bqz)。
    2. 選擇“Charger”設(shè)備類型,連接EV2400接口板至J6/J7。
    3. 通過Field View調(diào)整參數(shù)(如充電電流、輸入限流)。

?3. 典型測試流程?

  • ?充電模式驗證?
    • 輸入5V時,SYS輸出電壓應(yīng)為3.7V±0.2V,電池電流按設(shè)定值調(diào)節(jié)(如480mA±100mA)。
  • ?升壓模式驗證?
    • 斷開輸入電源,電池端加載3.7V,啟用OTG后測量VPB引腳輸出5.04V±25mV。

?四、PCB設(shè)計建議?

  1. ?布局優(yōu)先級?
    • 優(yōu)先放置PMID電容(靠近PMID引腳),縮短高頻電流回路。
    • SYS輸出電容需通過多via連接至地層,減少開關(guān)噪聲。
  2. ?熱管理?
    • 功率器件(如電感、MOSFET)需預(yù)留散熱區(qū)域,參考EVM內(nèi)部層布局(圖4-2至4-4)。

?五、應(yīng)用場景擴展?

  • ?快速充電適配器?:利用I2C動態(tài)調(diào)整充電參數(shù),兼容QC/PD協(xié)議。
  • ?低功耗設(shè)備?:NVDC架構(gòu)優(yōu)化輕載效率,延長待機時間。
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