Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動器IC和功率MOSFET，可完成功率級開關(guān)功能。該組合可在5mm × 6mm小型封裝中實(shí)現(xiàn)大電流、高效率以及高速開關(guān)功能。該功率級具有經(jīng)過調(diào)整的死區(qū)時(shí)間微調(diào)，可通過非TI控制器改進(jìn)瞬態(tài)響應(yīng)。它還集成精確的電流檢測和溫度檢測功能，可以提高精度并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此外，Texas Instruments CSD96416 PCB的尺寸也經(jīng)過優(yōu)化，以幫助縮短設(shè)計(jì)時(shí)間和簡化整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成過程。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 額定峰值電流：50A
• 16V V IN 、25V高側(cè)和低側(cè)FET
• 經(jīng)過調(diào)整的死區(qū)時(shí)間微調(diào)，可通過非TI控制器改進(jìn)瞬態(tài)響應(yīng)
• 峰值效率：超過94%（f SW =600kHz，L OUT =150nH）
• 高頻工作（高達(dá)1.75MHz）
• 溫度補(bǔ)償雙向電流感測
• 模擬溫度輸出
• 故障監(jiān)控
• 3.3V和5V PWM信號兼容
• 三態(tài)PWM輸入
• 集成式自舉開關(guān)
• 優(yōu)化的死區(qū)時(shí)間，可提供擊穿保護(hù)
• 高密度QFN 5mm × 6mm占位尺寸
• 超低電感封裝
• 系統(tǒng)優(yōu)化PCB尺寸
• 散熱增強(qiáng)型頂部冷卻
• 符合RoHS指令，無鉛端子電鍍
• 不含鹵素

簡化應(yīng)用

TI CSD96416同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、核心特性概述?

Texas Instruments的CSD96416是一款高度集成的同步降壓NexFET?智能功率級模塊，專為高功率密度、高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有以下核心優(yōu)勢：

• ?超高電流能力?：峰值電流50A，支持16V輸入電壓和25V高低側(cè)MOSFET耐壓。
• ?卓越效率表現(xiàn)?：在600kHz開關(guān)頻率下效率超過94%（搭配150nH輸出電感）。
• ?高頻工作支持?：開關(guān)頻率最高達(dá)1.75MHz，適用于空間受限場景。
• ?智能監(jiān)測功能?：集成溫度補(bǔ)償雙向電流檢測、模擬溫度輸出及故障監(jiān)控。
• ?緊湊封裝?：5mm×6mm QFN封裝，優(yōu)化PCB占板面積與散熱性能。

?二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新?

1. ?動態(tài)死區(qū)調(diào)節(jié)技術(shù)?
   • 通過調(diào)整死區(qū)時(shí)間（Deadtime Trim）優(yōu)化與非TI控制器的瞬態(tài)響應(yīng)匹配，減少振鈴損耗。
   • 內(nèi)置防直通保護(hù)邏輯，避免高低側(cè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通。
2. ?集成電流/溫度檢測?
   • 雙向電流檢測精度±3%，支持實(shí)時(shí)負(fù)載監(jiān)測。
   • 溫度輸出信號比例系數(shù)-11mV/°C，可直接連接ADC。
3. ?系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計(jì)?
   • 集成自舉二極管，減少外部元件數(shù)量。
   • 超低電感封裝（<1nH）降低開關(guān)損耗。

?三、典型應(yīng)用場景?

1. ?多相降壓轉(zhuǎn)換器?
   • 適用于服務(wù)器/桌面CPU的V-Core供電（高頻、大電流需求）。
   • 支持3.3V/5V PWM信號輸入，兼容主流數(shù)字控制器。
2. ?高密度電源模塊?
   • 顯卡與內(nèi)存供電：利用1.75MHz高頻開關(guān)減小電感體積。
   • 工業(yè)POL（負(fù)載點(diǎn)）轉(zhuǎn)換器：-55°C至150°C寬溫域工作能力。
3. ?快速響應(yīng)系統(tǒng)?
   • 通過Tri-state PWM輸入實(shí)現(xiàn)動態(tài)關(guān)斷，響應(yīng)時(shí)間<100ns。

?四、硬件設(shè)計(jì)指南?

?1. PCB布局建議?

• ?功率回路優(yōu)化?
  • 輸入電容需貼近VIN引腳（間距<3mm），采用低ESR陶瓷電容（如X7R 10μF）。
  • 使用4層板時(shí)，預(yù)留完整地平面層以降低噪聲。
• ?散熱管理?
  • 頂部散熱焊盤需連接至大面積銅箔（建議≥2cm2），并添加散熱過孔陣列。
  • 滿載運(yùn)行時(shí)建議強(qiáng)制風(fēng)冷（風(fēng)速≥1m/s）。

?2. 外圍元件選型?

• ?自舉電容?：推薦0.1μF/25V陶瓷電容（C0G材質(zhì)）。
• ?電流檢測電阻?：根據(jù)公式RCS = 80mV/Ipeak計(jì)算，精度建議≥1%。

?五、性能測試數(shù)據(jù)?

1. ?效率曲線?
   • 12V輸入轉(zhuǎn)1.8V輸出時(shí)，峰值效率達(dá)96%（負(fù)載10A，fSW=1MHz）。
2. ?熱性能?
   • 環(huán)境溫度25°C下，8A連續(xù)輸出時(shí)結(jié)溫升≤40°C（PCB熱阻θJA=15°C/W）。