電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）在人工智能算力需求爆發(fā)式增長、數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴張的背景下，傳統(tǒng)電互連技術(shù)面臨帶寬瓶頸與能耗危機。硅光芯片憑借其高集成度、低功耗、超高速率的優(yōu)勢，正成為重構(gòu)光通信產(chǎn)業(yè)格局的核心技術(shù)。2025年全球硅光芯片市場規(guī)模預計突破80億美元，中國廠商在技術(shù)突破與商業(yè)化進程中展現(xiàn)出強勁競爭力。

硅光芯片技術(shù)突破

硅光芯片的技術(shù)突破正沿著材料融合與架構(gòu)創(chuàng)新雙軌并行。在材料層面，異質(zhì)集成技術(shù)成為破解硅基發(fā)光難題的關(guān)鍵，英特爾通過晶圓鍵合技術(shù)將磷化銦激光器與硅波導集成，實現(xiàn)100G至400G硅光模塊的規(guī)?；逃茫渥钚庐a(chǎn)品采用倏逝波耦合方案，將激光器與硅波導的耦合效率提升至85%。加州大學圣塔芭芭拉分校團隊開發(fā)的量子點激光器，通過InAs量子點作為增益介質(zhì)，在硅襯底上實現(xiàn)光子晶體激光器的穩(wěn)定輸出，為單片集成光源提供新路徑。

架構(gòu)創(chuàng)新方面，CPO（光電共封裝）技術(shù)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革。博通推出的CPO交換芯片將硅光引擎與ASIC芯片協(xié)同封裝，使1.6T光模塊的功耗降低40%，延遲減少30%。國內(nèi)企業(yè)中，中際旭創(chuàng)的1.6T硅光模塊采用自研芯片，通過波分復用技術(shù)實現(xiàn)單芯片8波長集成，傳輸容量突破1.6Tb/s，已進入國際云服務(wù)商的測試序列；新易盛推出的400G硅光模塊則采用低成本混合集成方案，通過優(yōu)化光耦合結(jié)構(gòu)將成本較傳統(tǒng)方案降低30%，在東南亞數(shù)據(jù)中心市場占據(jù)領(lǐng)先地位。

制造環(huán)節(jié)的技術(shù)突破顯著提升良率與產(chǎn)能。中芯國際12英寸DUV產(chǎn)線實現(xiàn)28nm節(jié)點硅光芯片流片驗證，關(guān)鍵層套刻精度誤差控制在3微米以內(nèi)，推動制造成本較傳統(tǒng)方案下降35%。華工科技開發(fā)的納米脊工程技術(shù)，通過限制缺陷在特定區(qū)域生長，在硅基上獲得高質(zhì)量III-V族材料，其800G硅光模塊已通過中國移動的嚴苛測試，進入批量供貨階段。

產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)呈現(xiàn)垂直整合趨勢。英特爾構(gòu)建從設(shè)計到封測的全流程體系，其硅光模塊在數(shù)據(jù)中心市場占有率達61%；思科通過收購Acacia強化相干光模塊技術(shù)，在電信市場占據(jù)近50%份額。國內(nèi)企業(yè)形成差異化競爭格局：華為海思的X2系列硅光芯片實現(xiàn)4×4波分復用器與電吸收調(diào)制器一體化封裝，端口速率達800Gbps；華工科技通過收購德國UVOL公司獲取先進封裝技術(shù)，其硅光模塊的耦合效率較行業(yè)平均水平提升15%。

硅光芯片市場格局

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域成為硅光芯片最大的應用市場。全球數(shù)據(jù)中心數(shù)量從2018年的400萬個增至2023年的800萬個，催生對400G/800G光模塊的爆發(fā)式需求。阿里云第三代數(shù)據(jù)中心全面采用國產(chǎn)硅光芯片，實現(xiàn)25公里無中繼傳輸，單比特能耗較傳統(tǒng)方案降低60%。LightCounting預測，2025年全球數(shù)據(jù)中心硅光模塊市場規(guī)模將達55億美元，其中CPO方案占比將超30%。具體來看，新易盛憑借其在東南亞市場的深耕，400G硅光模塊出貨量同比增長200%；中際旭創(chuàng)的1.6T模塊則成為谷歌、亞馬遜等巨頭的首選方案，市場份額突破35%。

智能駕駛領(lǐng)域開辟新增長極。硅光固態(tài)激光雷達通過CMOS工藝兼容的高密度集成，使系統(tǒng)成本降至傳統(tǒng)機械式方案的1/5。禾賽科技與九峰山實驗室合作開發(fā)的硅光雷達芯片，集成128通道VCSEL陣列，探測距離突破300米，已獲多家車企定點。華工科技推出的車載硅光通信模塊，支持10Gbps數(shù)據(jù)傳輸，滿足L4級自動駕駛的實時性要求，2025年預計裝車量將突破50萬輛。

技術(shù)瓶頸與供應鏈風險構(gòu)成主要挑戰(zhàn)。硅波導傳輸損耗、熱管理難題仍制約單片集成度提升，當前硅光芯片集成組件數(shù)量雖已達萬級，但良率波動導致成本較理論值高出20%。供應鏈方面，高端DUV設(shè)備依賴進口，InP外延片產(chǎn)能集中于日美企業(yè)，地緣政治風險加劇。為應對挑戰(zhàn)，國內(nèi)企業(yè)加速垂直整合：有研硅通過收購DGT Technologies獲取半導體核心零部件加工技術(shù)，延伸產(chǎn)業(yè)鏈至設(shè)備環(huán)節(jié)；長光華芯建設(shè)8英寸硅光晶圓中試線，實現(xiàn)片上光源技術(shù)自主可控。

政策支持與生態(tài)建設(shè)提供發(fā)展動能。國家集成電路上層規(guī)劃明確將硅光子列為重點發(fā)展方向，上海、湖北、重慶等地建設(shè)光子芯片創(chuàng)新平臺，形成“設(shè)計-制造-封測”全鏈條支撐。資本市場上，2024年國內(nèi)硅光領(lǐng)域融資超50億元，九峰山實驗室、云洲智能等創(chuàng)新企業(yè)獲得紅杉、高瓴等機構(gòu)投資，推動技術(shù)迭代周期縮短至18個月。華工科技聯(lián)合華中科技大學成立的硅光聯(lián)合實驗室，已孵化出30余項核心專利，其開發(fā)的硅光溫度傳感器精度達±0.1℃，達到國際領(lǐng)先水平。

寫在最后

展望2030年，硅光芯片將在三個維度實現(xiàn)突破：技術(shù)層面，單片集成組件數(shù)量突破10萬級，實現(xiàn)全光子AI計算芯片；市場層面，數(shù)據(jù)中心滲透率超60%，智能駕駛市場占比達25%；產(chǎn)業(yè)層面，中國有望掌握核心制造技術(shù)，形成千億級產(chǎn)業(yè)集群。當硅基材料與光子技術(shù)深度融合，以新易盛、中際旭創(chuàng)、光迅科技、華工科技為代表的中國企業(yè)，正通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與生態(tài)布局，為數(shù)字經(jīng)濟時代構(gòu)建起更高效、更綠色的信息高速公路。