chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新思科技SRAM PUF與其他PUF類型的比較

新思科技 ? 來源:新思科技 ? 2025-09-05 10:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在此前的文章《SRAM PUF:為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”,守護芯片安全》中,我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能(PUF)的基本原理,并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟高效且可靈活擴展的加密(根)密鑰生成與存儲解決方案所發(fā)揮的作用。SRAM PUF技術(shù)利用硅材料的物理特性,生成器件專屬的標識符,提供了一種替代傳統(tǒng)密鑰存儲方法的可靠方案。如果開發(fā)者尚不熟悉SRAM PUF的基礎(chǔ)原理,建議先閱讀前一篇文章了解詳情。

在這篇后續(xù)文章中,我們將把SRAM PUF與其他PUF技術(shù)(基于OTP的PUF和基于延遲的PUF)進行對比,以突顯SRAM PUF的優(yōu)勢。此外,我們還將結(jié)合一項新興應(yīng)用,探討SRAM PUF的未來發(fā)展前景。

SRAM PUF與其他PUF類型進行比較

PUF是現(xiàn)代加密系統(tǒng)的基石,能提供安全的密鑰生成和設(shè)備認證功能。然而,并非所有PUF技術(shù)生來就處于同一水平。下文將從安全性、可移植性、可靠性及經(jīng)過硅驗證的性能等關(guān)鍵特性入手,將新思科技的SRAM PUF實現(xiàn)方案與基于OTP的PUF和基于延遲的PUF進行對比。

安全性

SRAM PUF:SRAM PUF借助SRAM單元的上電狀態(tài),動態(tài)重構(gòu)加密密鑰(如根密鑰),確保芯片上不存儲任何密鑰,因而能夠有效抵御侵入式攻擊。密鑰重構(gòu)過程中內(nèi)置的隨機化、掩碼等防護措施,進一步強化了對側(cè)信道攻擊的防御能力。

基于OTP的PUF:基于OTP的PUF需通過改變芯片狀態(tài)來編程密鑰,因此容易受到逆向工程、電壓對比等物理攻擊的影響。儲存的密鑰一旦被破解,便無法替換,也不能重新生成。

基于延遲的PUF:環(huán)形PUF等基于延遲的PUF依賴振蕩頻率工作,而振蕩頻率極易成為側(cè)信道攻擊的目標。此外,如果基于延遲的PUF具有多組“挑戰(zhàn)-響應(yīng)”對,還容易淪為建模攻擊的目標。這些漏洞可能導(dǎo)致生成的密鑰安全性受損。

可移植性

SRAM PUF:SRAM PUF不受技術(shù)節(jié)點制約,能夠在不同的硅制造工藝中無縫運行,無需進行調(diào)整,因而具有出色的可移植性和可擴展性,能輕松適配各類應(yīng)用場景。

基于OTP的PUF:基于OTP的PUF依賴特定工藝,可移植性與可擴展性因此受到限制。

基于延遲的PUF:基于延遲的PUF的可移植性雖優(yōu)于基于OTP的PUF,但仍需針對每個工藝節(jié)點進行調(diào)整,導(dǎo)致集成過程更為復(fù)雜。

熵值

SRAM PUF:SRAM PUF會主動對自身響應(yīng)進行去偏處理,以確保熵值完全達標,由此生成的加密密鑰質(zhì)量優(yōu)異,足以滿足嚴苛的加密要求,已在同行評審研究中得到驗證。L是觀察方向上樣品表面的亮度

基于OTP的PUF:基于OTP的PUF假定具有理想的熵值且無需處理,但在實際環(huán)境中,由于制造差異和環(huán)境變化,此假定可能并不成立。倘若缺乏主動去偏處理,生成的密鑰可能面臨熵值不足的問題。

基于延遲的PUF:基于延遲的PUF的熵值高度依賴具體實現(xiàn)方式,需依靠特定算法和機制來保證隨機性。

可靠性

SRAM PUF:SRAM PUF采用穩(wěn)健可靠的糾錯碼(ECC),已通過廣泛的同行評審,即便在溫度波動、電壓變化及老化效應(yīng)等不利條件下,仍能確保密鑰重構(gòu)的一致性,因而在長期使用中具備極高的可靠性。

基于OTP的PUF:基于OTP的PUF通常缺乏ECC機制,哪怕是噪聲或老化引發(fā)的單個位翻轉(zhuǎn),都可能對安全性造成破壞。盡管宣稱錯誤率為零,但在實際應(yīng)用環(huán)境中仍可能出現(xiàn)意外失效。

基于延遲的PUF:市面上基于延遲的PUF,一部分宣稱無需實現(xiàn)ECC,另一部分則表示配備了ECC,導(dǎo)致它的可靠性很大程度上依賴于具體的實現(xiàn)方式。

經(jīng)過硅驗證的性能

SRAM PUF:新思科技的SRAM PUF在實際應(yīng)用中廣泛部署,已應(yīng)用十多年,量產(chǎn)器件超10億件,且部署規(guī)模仍在快速增長,充分印證了這是一項成熟且經(jīng)實踐檢驗的有效技術(shù)。

基于OTP的PUF:基于OTP的PUF在商業(yè)應(yīng)用中的部署很有限,而且在同行評審文獻中,關(guān)于它的實際部署案例也寥寥無幾。

基于延遲的PUF:基于延遲的PUF采用率極低,除學(xué)術(shù)研究領(lǐng)域外,實際落地的應(yīng)用案例屈指可數(shù)。

集成便捷性

SRAM PUF:SRAM PUF采用標準數(shù)字組件,無需額外控制器或特定工藝調(diào)整,即可輕松集成至現(xiàn)有系統(tǒng),不僅降低了總擁有成本(TCO),更加快了開發(fā)進度。

基于OTP的PUF:基于OTP的PUF需依賴非標準組件,導(dǎo)致集成難度增加、制造成本上升,同時限制了代工廠的選擇范圍。

基于延遲的PUF:基于延遲的PUF需針對每個工藝節(jié)點進行調(diào)整,不僅會讓集成過程更復(fù)雜,還會延長開發(fā)周期。

新技術(shù):高度安全的存儲解決方案——SRAM PUF與OTP的融合

新思科技研發(fā)了一項創(chuàng)新解決方案(即將發(fā)布),將OTP存儲器與SRAM PUF相結(jié)合,以滿足嵌入式系統(tǒng)中日益增長的安全數(shù)據(jù)存儲需求。新方案利用SRAM PUF的特性來生成并重構(gòu)加密密鑰,再通過密鑰對OTP存儲器中存儲的所有數(shù)據(jù)進行加密。

通過確保僅有加密數(shù)據(jù)留存于OTP中,新思科技的解決方案為系統(tǒng)構(gòu)建了堅固防線,可有效抵御侵入式攻擊,例如2025年IOActive公司演示的針對樹莓派的攻擊。此項攻擊演示表明,若將敏感數(shù)據(jù)以明文形式存儲在OTP存儲器中,會很容易遭受開蓋解密和被動電壓對比掃描等物理攻擊。而基于RTL密鑰(硬編碼至設(shè)計中)的解決方案同樣難以充分保護數(shù)據(jù),因為RTL密鑰并非對每顆芯片具有唯一性,攻擊者可通過對多個樣片實施逆向工程攻擊來提取RTL密鑰。通過對OTP中存儲的所有數(shù)據(jù)進行加密,并借助SRAM PUF實現(xiàn)加密密鑰的分離存儲(及動態(tài)生成),能有效降低因侵入式攻擊導(dǎo)致的數(shù)據(jù)泄露風(fēng)險。

新思科技將SRAM PUF與OTP的優(yōu)勢相融合,研發(fā)出一項具有前瞻性的解決方案,不僅能應(yīng)對近期侵入式攻擊暴露出的漏洞,更樹立了硬件安全防護的新標準,使嵌入式系統(tǒng)敏感數(shù)據(jù)的保護水平得到顯著提升,實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。

結(jié)語

SRAM PUF已成為安全(根)密鑰生成與存儲領(lǐng)域的變革性技術(shù),在安全性、可靠性與可擴展性上均優(yōu)于其他類型的PUF。憑借無需在芯片上存儲密鑰而能動態(tài)重構(gòu)密鑰的特性,加之強大的糾錯機制,SRAM PUF已成為各行各業(yè)值得信賴的解決方案,廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

隨著安全威脅不斷升級,SRAM PUF也在持續(xù)演進。其中一項創(chuàng)新就是“安全存儲”方案,它將SRAM PUF與OTP存儲器相結(jié)合,通過加密數(shù)據(jù)存儲來抵御侵入式攻擊,為防范物理篡改構(gòu)筑堅實防線。SRAM PUF憑借經(jīng)實踐檢驗的優(yōu)異表現(xiàn)及持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新,始終在安全數(shù)字系統(tǒng)中發(fā)揮核心組件的作用,為應(yīng)對未來需求做好充分準備。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • sram
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    807

    瀏覽量

    117201
  • 新思科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    922

    瀏覽量

    52623
  • 數(shù)據(jù)安全
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    751

    瀏覽量

    30740

原文標題:新思科技高度安全的存儲解決方案:SRAM PUF+ OTP守護數(shù)據(jù)安全

文章出處:【微信號:Synopsys_CN,微信公眾號:新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    思科SRAM PUF解決方案守護芯片安全

    如今我們所生活的互聯(lián)世界依賴于數(shù)以億計的芯片。社會正常運轉(zhuǎn)所需的芯片數(shù)量之大,令人驚嘆,因此保護芯片安全的技術(shù)至關(guān)重要。
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:18 ?1000次閱讀

    鋁電解電容與其他電容類型的性能對比

    在電子元器件領(lǐng)域,電容作為基礎(chǔ)被動元件之一,其性能差異直接影響電路設(shè)計的可靠性。鋁電解電容憑借獨特的結(jié)構(gòu)和工作原理,在眾多電容類型中占據(jù)重要地位,但其性能特點與其他電容類型存在顯著差異。本文將從
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:34 ?984次閱讀

    超6類網(wǎng)線與其他網(wǎng)線類型比較有什么優(yōu)勢呢

    超6類網(wǎng)線(Cat6a)相較于其他網(wǎng)線類型,具有以下顯著優(yōu)勢: 1. 傳輸速率與帶寬:萬兆網(wǎng)絡(luò)的基石 10Gbps高速傳輸:超6類網(wǎng)線支持10Gbps的傳輸速率,是六類網(wǎng)線(Cat6
    的頭像 發(fā)表于 07-03 10:06 ?2214次閱讀

    與其他材料在集成電路中的比較

    與其他半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的比較可從以下維度展開分析。
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:09 ?1175次閱讀

    DS28E38具有ChipDNA PUF保護的DeepCover安全ECDSA認證器技術(shù)手冊

    DS28E38為基于ECDSA公鑰的安全認證器,采用Maxim擁有專利的ChipDNA^?^ PUF技術(shù)。ChipDNA技術(shù)包括物理不可克隆技術(shù)(PUF),使DS28E38能夠提供高成效保護,防范
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:37 ?621次閱讀
    DS28E38具有ChipDNA <b class='flag-5'>PUF</b>保護的DeepCover安全ECDSA認證器技術(shù)手冊

    惠斯通電橋與其他電橋的比較

    惠斯通電橋與其他類型的電橋相比,在原理、應(yīng)用、靈敏度、線性度等方面都存在一些差異。以下是對惠斯通電橋與其他幾種常見電橋的比較: 一、惠斯通電橋 原理 :基于電磁平衡原理,通過
    的頭像 發(fā)表于 02-13 15:15 ?1677次閱讀

    FDD與其他調(diào)制方式的比較

    在無線通信領(lǐng)域,調(diào)制技術(shù)是實現(xiàn)信息傳輸?shù)年P(guān)鍵。不同的調(diào)制方式根據(jù)其特性和應(yīng)用場景有著各自的優(yōu)勢和局限性。頻率分集雙工(FDD)作為其中一種技術(shù),與其他調(diào)制方式相比,有著獨特的特點和應(yīng)用場景。 1.
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:18 ?1640次閱讀

    MTP設(shè)備與其他傳輸協(xié)議比較

    MTP(Media Transfer Protocol)設(shè)備與其他傳輸協(xié)議相比,具有一些獨特的特點和優(yōu)勢。以下是對MTP設(shè)備與USB大容量存儲模式(USB Mass Storage Class
    的頭像 發(fā)表于 01-03 09:55 ?2259次閱讀

    BJT與其他半導(dǎo)體器件的區(qū)別

    BJT與其他半導(dǎo)體器件的區(qū)別 1. 結(jié)構(gòu)差異 BJT結(jié)構(gòu): BJT是一種雙極型半導(dǎo)體器件,它由兩個PN結(jié)組成,分為NPN和PNP兩種類型。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極
    的頭像 發(fā)表于 12-31 16:28 ?1686次閱讀

    Triton編譯器與其他編譯器的比較

    Triton編譯器與其他編譯器的比較主要體現(xiàn)在以下幾個方面: 一、定位與目標 Triton編譯器 : 定位:專注于深度學(xué)習(xí)中最核心、最耗時的張量運算的優(yōu)化。 目標:提供一個高度抽象、靈活、高效
    的頭像 發(fā)表于 12-24 17:25 ?1559次閱讀

    色環(huán)電阻與其他電阻類型比較

    電阻是電路中的基本元件之一,用于限制電流的流動。在電子電路設(shè)計和維修中,選擇合適的電阻類型對于確保電路性能至關(guān)重要。色環(huán)電阻因其易于識別和成本效益而廣泛使用。 色環(huán)電阻概述 色環(huán)電阻,也稱為四色
    的頭像 發(fā)表于 12-23 10:32 ?1808次閱讀

    ddc與其他分類系統(tǒng)的比較

    DDC(Dewey Decimal Classification,即杜威十進制分類法)與其他分類系統(tǒng)在多個方面存在差異。以下是對DDC與其他分類系統(tǒng)(如體系分類法、網(wǎng)絡(luò)分類體系、PLC控制系統(tǒng)分類等
    的頭像 發(fā)表于 12-18 15:10 ?1443次閱讀

    CBB電容與其他電容的比較 CBB電容的主要規(guī)格

    1. CBB電容器與其他電容器的比較 a. 與陶瓷電容器比較 介質(zhì)材料 :CBB電容器使用聚丙烯薄膜作為介質(zhì),而陶瓷電容器使用陶瓷材料。聚丙烯薄膜提供了更好的溫度穩(wěn)定性和較低的損耗因子。 容量范圍
    的頭像 發(fā)表于 12-18 09:13 ?2807次閱讀

    cmp與其他數(shù)據(jù)處理工具的比較

    ) : 功能 :CMP通常用于描述兩個操作數(shù)之間的比較,這種比較可以是字節(jié)級別、位級別或其他級別的,具體取決于所比較的操作數(shù)的數(shù)據(jù)類型。CM
    的頭像 發(fā)表于 12-17 09:30 ?1032次閱讀

    dtu與其他技術(shù)的比較 dtu和數(shù)據(jù)分析的關(guān)系

    DTU與其他技術(shù)的比較 DTU(Data Transfer Unit,數(shù)據(jù)傳輸單元)與其他技術(shù)相比,具有以下顯著特點: 數(shù)據(jù)傳輸方式 : DTU通常采用無線或有線的方式傳輸數(shù)據(jù),具有傳輸距離遠、覆蓋
    的頭像 發(fā)表于 12-06 15:02 ?1259次閱讀