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【SM4073L】30V高耐壓充電管理IC,賦能高壓場景的工業(yè)級解決方案

泉州海川半導體有限公司 ? 2025-09-06 15:28 ? 次閱讀
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SM4073L—30V高耐壓+1A快充±1%精度+EN使能+高集成設計,重新定義線性充電器可靠性邊界!

高耐壓充電管理芯片市場趨勢

行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,≥30V耐壓的充電管理芯片市場增速顯著(CAGR>13%),核心驅(qū)動力源于三大領域:
?工業(yè)自動化:24V供電系統(tǒng)需承受40V+浪涌沖擊;
?車載電子:12V系統(tǒng)拋負載瞬態(tài)峰值超30V;
?快充設備USB PD/QC協(xié)議高壓檔位(9V/12V)普及。

SM4073L,高達 1A 的可編程充電電流與30V高耐壓,直擊上述痛點,賦能高壓場景的解決方案。

wKgZPGi4-7CAVxGcAARGh936s2E411.png泉州海川半導體-SM4073L

SM4073L核心優(yōu)勢:高耐壓與高集成融合

2. 1A快充±1%精度

可編程電流公式:

wKgZO2i4_H2AUicJAACqz-JeDaE861.png

RPROG=1.2K時輸出1000mA,浮充電壓4.2V±1%(0℃~85℃)。

3.EN引腳低電平有效

SM4073L的EN引腳通過低電平有效,高電平/懸空無效的硬邏輯設計,完美匹配MCU控制接口,方便MCU應用驅(qū)動:

?無需外部電路:實現(xiàn)安全使能控制

?懸空自保護:機制杜絕設計疏漏風險

4.顛覆性集成設計

無需外部MOS/檢測電阻/隔離二極管,BOM成本顯著降低;內(nèi)置0.6mΩ功率FET,降低導通損耗。

?消除外部MOS的15%能量損耗→ 更低溫升、更長續(xù)航
?突破散熱限制→ 高溫環(huán)境滿功率快充不降額
?減少熱老化效應→ 提升設備與電池壽命

SM4073L的30V高耐壓、1A快充±1%精度以更低溫升、極速充電體驗,疊加低電平有效使能引腳(EN)及精準電壓控制延長電池壽命,同時消除過充風險,為工業(yè)、車載及消費設備提供安全高效的電源解決方案。
四重安全機制適配嚴苛環(huán)境

SM4073L四重安全機制(反接保護/熱調(diào)節(jié)/涓流修復/軟啟動)實現(xiàn)電池-系統(tǒng)-環(huán)境三位一體防護,確保工業(yè)、車載等嚴苛場景下持續(xù)可靠運行。

wKgZO2i4_RqASikNAAAhVPJF2mA925.pngSM4073L 四重保護機制

高耐壓場景應用方案

wKgZO2i4_UqAPq5_AAAquDBAdgY046.pngSM4073L 應用優(yōu)勢

設計對比

SM4073L核心突破:封裝DFN3x3-8,較傳統(tǒng)方案減少外圍器件數(shù)量;高壓防護:耐壓能力提升。

wKgZO2i4_a6AHh85AAAQ2s7byxc408.png

SM4073L作為30V工業(yè)級耐壓鋰電池充電芯片,通過1A可編程快充、30V耐壓、多重安全保護機制及簡化高壓場景設計,解決工業(yè)24V系統(tǒng)浪涌、車載12V拋負載及快充高壓輸入三大痛點,成為高壓電源管理市場的高可靠性解決方案。

wKgZPGi74iaADvf6AAE2XVbbXs8893.pngSM4073L典型應用電路圖▲
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