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AMC23C12快速響應(yīng)、可調(diào)閾值帶鎖存功能的增強型隔離窗口比較器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-08 15:30 ? 次閱讀
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Texas Instruments AMC23C12/AMC23C12-Q1隔離式窗口比較器具有較短的響應(yīng)時間。開漏輸出通過一個具有高抗磁干擾能力的隔離柵與輸入電路分離。該隔離柵經(jīng)認證可提供高達5kVRMS的增強電流隔離,符合VDE 0884-17和UL1577標準。它還支持最高1kVPK的工作電壓。

數(shù)據(jù)手冊:

*附件:AMC23C12數(shù)據(jù)手冊.pdf

*附件:AMC23C12-Q1數(shù)據(jù)手冊.pdf

比較窗口以0V為中心,這意味著如果輸入電壓的絕對值超過跳閘閾值,那么比較器就會跳閘。跳閘閾值可通過單個外部電阻器在20mV至300mV范圍內(nèi)調(diào)節(jié),因此比較窗口的范圍為±20mV至±300mV。當REF引腳上的電壓大于550mV時,負比較器會禁用,僅正比較器正常運行。該模式下的基準電壓可高達2.7V。該模式對于監(jiān)控電壓源特別有用。

該器件上的開漏輸出支持透明模式(鎖存輸入與GND2連接),即輸出跟隨輸入狀態(tài);或鎖存模式,即在鎖存輸入信號的下降沿清除輸出。AMC23C12/AMC23C12-Q1采用8引腳寬體SOIC封裝。它的額定擴展工業(yè)溫度范圍為–40°C至+125°C。Texas Instruments AMC23C12-Q1器件符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標準。

特性

  • 寬高側(cè)電源電壓范圍:3V至27V
  • 低側(cè)電源電壓范圍:2.7V至5.5V
  • 可調(diào)節(jié)閾值
    • ±20mV至±300 mV(窗口比較器模式)
    • 600mV至2.7V(正比較器模式)
  • 基準電流,用于閾值調(diào)整
    • 100μA, ±2%
  • 跳閘閾值誤差:±1%(最大值,250mV時)
  • 開漏輸出,具有可選鎖存模式
  • 傳播延遲:280ns(典型值)
  • 高CMTI:55V/ns(最小值)
  • 安全相關(guān)認證
    • 7000V峰值增強型隔離,符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 符合UL1577標準且長達1分鐘的5000VRMS隔離
  • 在整個–40°C至+125°C擴展工業(yè)溫度范圍內(nèi)標定的值

功能框圖

1.png

AMC23C12快速響應(yīng)、可調(diào)閾值帶鎖存功能的增強型隔離窗口比較器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品核心特性與創(chuàng)新設(shè)計

AMC23C12是德州儀器(TI)推出的增強型隔離窗口比較器,具有以下突破性特性:

?1.1 卓越的隔離性能?

  • ?7000VPK增強型隔離?:符合DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)標準
  • ?5000VRMS隔離耐壓?:通過UL1577認證(1分鐘測試)
  • ?超高CMTI性能?:55V/ns(最小值),確保在強電磁干擾環(huán)境下穩(wěn)定工作

?1.2 靈活的閾值配置?

  • ?窗口比較器模式?:±20mV至±300mV可調(diào)閾值范圍
  • ?正比較器模式?:600mV至2.7V閾值范圍(當REF引腳電壓>550mV時自動切換)
  • ?精密參考電流源?:100μA ±1%精度,通過單電阻即可設(shè)置閾值

?1.3 超快響應(yīng)特性?

  • ?280ns典型傳播延遲?:適用于快速故障檢測場景
  • ?雙工作模式選擇?:透明模式(實時響應(yīng))或鎖存模式(需外部復(fù)位)

二、關(guān)鍵電氣參數(shù)解析

參數(shù)類別規(guī)格指標技術(shù)意義
電源范圍高邊3-27V/低邊2.7-5.5V兼容多種電源架構(gòu)
閾值誤差±1%(max)@250mV高精度檢測保障
傳播延遲280ns(typ)@10mV過驅(qū)快速故障響應(yīng)能力
靜態(tài)電流高邊4.3mA(max)/低邊2.2mA(max)低功耗設(shè)計
工作溫度-40°C至+125°C工業(yè)級溫度范圍

三、典型應(yīng)用電路設(shè)計

3.1 電機驅(qū)動過流保護方案

?電路拓撲特點?:

  • 并聯(lián)于電流檢測放大器(如AMC1300B)
  • 高邊直接連接門極驅(qū)動電源(3-27V)
  • 10mΩ分流電阻實現(xiàn)±25A檢測范圍

?關(guān)鍵設(shè)計公式?:

  • 閾值電阻計算:R1 = (VTRIP - VHYS)/IREF
    • 示例:20A保護點→(200mV-4mV)/100μA=1.96kΩ
  • RC濾波設(shè)計:R5=10Ω, C6=1nF→10ns附加延遲

3.2 光伏逆變器過壓檢測

?獨特優(yōu)勢?:

  • 支持高達480V DC鏈路電壓監(jiān)測
  • 21kΩ閾值電阻實現(xiàn)2.1V參考電壓
  • 25mV遲滯電壓增強噪聲免疫力

?布局要點?:

  • REF引腳100nF電容需最近距離放置
  • 高邊/低側(cè)地平面嚴格隔離
  • 輸出端采用≤10kΩ上拉電阻優(yōu)化CMTI

四、工作模式深度解析

4.1 窗口比較器模式(VREF<550mV)

  • ?雙閾值檢測?:+VREF和-VREF對稱閾值
  • ?4mV固定遲滯?:防止輸入噪聲導(dǎo)致誤觸發(fā)
  • ?典型應(yīng)用?:雙向電流檢測、交流信號監(jiān)控

4.2 正比較器模式(VREF>600mV)

  • ?單閾值檢測?:僅響應(yīng)正向過壓
  • ?遲滯增至25mV?:提升高壓檢測穩(wěn)定性
  • ?典型應(yīng)用?:DC電源監(jiān)控、制動電阻控制

4.3 鎖存功能實現(xiàn)

  • ?透明模式?:LATCH=0,輸出實時反映輸入狀態(tài)
  • ?鎖存模式?:LATCH=1,需下降沿復(fù)位(>4μs)
  • ?故障記憶優(yōu)勢?:適合周期性輪詢系統(tǒng)

五、電源管理與保護機制

?5.1 創(chuàng)新電源架構(gòu)?

  • 集成高邊LDO:支持3-27V寬輸入
  • 雙電源監(jiān)控:VDD1UV=3V, VDD2UV=2.7V
  • 200μs啟動消隱時間(tHS,BLK)

?5.2 故障保護時序?

故障類型檢測時間輸出響應(yīng)
高邊掉電tHS,FLT=100μs強制拉低
低邊掉電立即高阻態(tài)
電源跌落

六、PCB設(shè)計指南

?6.1 關(guān)鍵布局規(guī)則?

  1. ?接地策略?:
    • 高邊GND1直接連接檢測電阻
    • 低邊GND2獨立回路
  2. ?去耦設(shè)計?:
    • 高邊:1μF+100nF陶瓷電容組合
    • 低邊:1μF+100nF陶瓷電容組合
  3. ?隔離間距?:
    • 保持8.5mm爬電距離
    • 避免高壓走線與輸出平行

?6.2 熱管理建議?

  • 封裝熱阻:θJA=102.8°C/W
  • 最大功耗:102mW@25V/5.5V
  • 建議使用2oz銅厚PCB
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