該TPIC6B273是一款單片、高壓、中電流、功率邏輯八進(jìn)制 D 型鎖存器，具有 DMOS 晶體管輸出，設(shè)計(jì)用于需要相對(duì)較高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位，用于電感瞬態(tài)保護(hù)。功率驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。
*附件：tpic6b273.pdf

該TPIC6B273包含八個(gè)正邊沿
觸發(fā)的D型觸發(fā)器，具有直接清除輸入。每個(gè)觸發(fā)器都具有漏極開路功率DMOS晶體管輸出。

當(dāng)清除（CLR）為高電平時(shí)，D輸入端滿足建立時(shí)間要求的信息將傳輸?shù)?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/時(shí)鐘/" target="_blank">時(shí)鐘（CLK）脈沖正向沿的
DRAIN輸出。時(shí)鐘觸發(fā)發(fā)生在特定的電壓電平下，與正向脈沖的轉(zhuǎn)換時(shí)間沒有直接關(guān)系。當(dāng)時(shí)鐘輸入（CLK）處于高電平或低電平時(shí)，D輸入信號(hào)在輸出端沒有影響。提供異步CLR，用于關(guān)閉所有八個(gè)DMOS晶體管輸出。當(dāng)給定輸出的數(shù)據(jù)為低電平時(shí)，DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí)，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

輸出為低側(cè)漏極開路DMOS晶體管，具有50 V的輸出額定值和150 mA的連續(xù)灌電流能力。每個(gè)輸出在 T 時(shí)提供 500 mA 的典型電流限制 C = 25°C。 電流限制隨著結(jié)溫的升高而降低，以提供額外的器件保護(hù)。

該TPIC6B273的特點(diǎn)是在 -40°C 至 125°C 的工作溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 低 r DS（開） ...5 典型
• 雪崩能量 ...30 毫焦
• 八個(gè)功率 DMOS 晶體管輸出，連續(xù)電流為
  150mA
• 500mA典型限流能力
• 輸出箝位電壓...50伏
• 低功耗

參數(shù)

?1. 產(chǎn)品概述?
TPIC6B273是德州儀器（TI）設(shè)計(jì)的高電壓、中電流功率邏輯八路D型鎖存器，集成DMOS晶體管輸出，適用于需要較高負(fù)載功率的系統(tǒng)（如繼電器、螺線管驅(qū)動(dòng)等）。關(guān)鍵特性包括：

• ?低導(dǎo)通電阻?：典型值5Ω
• ?輸出保護(hù)?：內(nèi)置50V鉗位電壓，支持30mJ雪崩能量
• ?電流能力?：每路150mA連續(xù)電流，500mA典型限流能力
• ?封裝選項(xiàng)?：提供SOIC（DW）和PDIP（N）兩種封裝

?2. 功能描述?

• ?鎖存邏輯?：8個(gè)正邊沿觸發(fā)的D型觸發(fā)器，帶異步清除（CLR）輸入。數(shù)據(jù)在CLK上升沿傳輸至輸出，CLR高電平時(shí)強(qiáng)制所有輸出關(guān)閉。
• ?輸出結(jié)構(gòu)?：開漏DMOS晶體管，支持低邊驅(qū)動(dòng)，輸出額定50V/150mA（連續(xù)），500mA（脈沖）。

?3. 電氣特性?

• ?工作條件?：邏輯電壓VCC=4.5V5.5V，溫度范圍-40°C125°C
• ?關(guān)鍵參數(shù)?：
  • 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（rDS(on)）：5Ω（典型值，ID=100mA）
  • 傳播延遲：tPLH=150ns（最大），tPHL=90ns（最大）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間：trr=300ns（典型）

?4. 熱性能與可靠性?

• ?散熱能力?：DW封裝熱阻90°C/W（結(jié)到環(huán)境），需注意多路同時(shí)導(dǎo)通時(shí)的電流降額（見圖9-10）。
• ?絕對(duì)最大額定值?：
  • 邏輯輸入電壓：-0.3V~7V
  • DMOS漏源電壓：50V
  • 單脈沖雪崩能量：30mJ

?5. 封裝與訂購(gòu)信息?

• ?型號(hào)后綴?：DW（SOIC）、N（PDIP），支持卷帶（DWR）或管裝（DW/N）
• ?環(huán)保合規(guī)?：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，引腳鍍層為NiPdAu